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mwlとは 意味・読み方・使い方
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「mwl」を含む例文一覧
該当件数 : 23件
Sub-word drivers 13 include the PMOS transistors of which the main word lines MWL are connected to the gates, and selectively activate the sub-word line SWL corresponding to the selected main word line MWL.例文帳に追加
サブワードドライバ13は、メインワード線MWLがゲートに接続されるPMOSトランジスタを有し、選択されたメインワード線MWLに対応するサブワード線SWLを選択的に活性化する。 - 特許庁
Main word lines MWL <0>, MWL <1> common to plural subword lines SWL <0>-SWL <3> or SWL <4> to SWL <7> and SWL <0> to SWL <7> provided with open ends are provided in this semiconductor memory.例文帳に追加
開放端を備える複数のサブワードラインSWL<0>〜SWL<7>と、SWL<0>〜SWL<3>或いはSWL<4>〜SWL<7>に共通なメインワードラインMWL<0>,MWL<1>を設ける。 - 特許庁
A main word driver 12 sets non-selective main word lines MWL to high level and activates selected main word lines MWL as a low level.例文帳に追加
メインワードドライバ12は、非選択のメインワード線MWLをハイレベルとし、選択されたメインワード線MWLをローレベルとして活性化する。 - 特許庁
The semiconductor memory device has a plurality of main word lines MWL crossing a memory block 80 and extending, and four sub-word lines SWL1-4 arranged at each of memory blocks and belonging respectively to the plurality of main word lines MWL.例文帳に追加
この半導体記憶装置は、メモリブロック80を横断して延びる複数のメインワード線MWLと、メモリブロックの各々に配置されて複数のメインワード線MWLにそれぞれ従属する4本のサブブワード線SWL1〜4とを有する。 - 特許庁
By this structure, in a subword driver (SWD) region which is arranged intersecting the X direction, the MWL wiring is arranged on the uppermost layer, a subword selecting line (FXT/B) wiring layer is formed in a lower layer of the MWL wiring, and the number of island patterns in the lower layer wiring layer can be reduced.例文帳に追加
この構造によれば、X方向と交叉するように配置されたサブワードドライバ(SWD)領域において、最上層にMWL配線を設け、その下層にサブワード選択線(FXT/B)配線層を設け、当該下層配線層における島パターンの数を減少させることができる。 - 特許庁
In the semiconductor storage device having the multilayer wiring structure wherein series selecting lines (YS) extended in a Y direction and main wordlines (MWL) extended in an X direction are subjected to multilayer wiring, the semiconductor storage device having structure wherein a wiring layer of the YS is arranged lower than a wiring layer of the MWL can be obtained.例文帳に追加
Y方向に延びる列選択線(YS)と、X方向に延びるメインワード線(MWL)とを多層配線した多層配線構造を有する半導体記憶装置において、YSの配線層をMWLの配線層よりも下層に配置した構造を有する半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁
This semiconductor memory has a plurality of main word lines MWL extending crossing memory blocks 80, and four sub-word lines SWL1-4 arranged at each of the memory blocks and belonging respectively to the plurality of main word lines MWL.例文帳に追加
この半導体記憶装置は、メモリブロック80を横断して延びる複数のメインワード線MWLと、メモリブロックの各々に配置されて複数のメインワード線MWLにそれぞれ従属する4本のサブブワード線SWL1〜4とを有する。 - 特許庁
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「mwl」を含む例文一覧
該当件数 : 23件
This semiconductor storage device has a hierarchical word line structure consisting of a plurality of main word lines MWL and a plurality of sub-word lines SWL.例文帳に追加
本発明の半導体記憶装置は、複数のメインワード線MWLと複数のサブワード線SWLからなる階層ワード線構造を有している。 - 特許庁
The N+diffusion mode NSL is connected to a main word line/MWL<x> set to an L level (ground voltage Vss) when a corresponding memory cell line is selected.例文帳に追加
N^+拡散ノードNSLは、対応するメモリセル行の選択時にLレベル(接地電圧Vss)に設定されるメインワード線/MWL<x>と接続される。 - 特許庁
In a write operation, write data Di in the register part are input via a common data input bus (RWL=1), and successively write data Di in the memory cell array are input (MWL=4).例文帳に追加
書き込み動作時は、共通のデータ入力バスを介してレジスタ部に対する書き込みデータDiを入力し(RWL=1)、続いてメモリセルアレイに対する書き込みデータDiを入力する(MWL=4)。 - 特許庁
In the sub word driver circuit 8000, when the bank selecting line BSL becomes active, the potential level of the main word line MWL is transmitted to the node n1 via a transistor 8100.例文帳に追加
サブワードドライバ回路8000においては、バンク選択線BSLが活性となるとメインワード線MWLの電位レベルがトランジスタ8100を介してノードn1に伝達される。 - 特許庁
A first reset circuit 11 causes a short with the word lines WL0...WL3 when the main word line/MWL does not select a word line drive circuit.例文帳に追加
第1のリセット回路11は、主ワード線/MWLによりワード線駆動回路が選択されていないとき、ワード線WL0…WL3をショートする。 - 特許庁
The word line RWL0 for reference cell is a word line activated when a memory array normal word line MWL being not a redundant line of a memory array MA is selected.例文帳に追加
リファレンスセル用ワード線RWL0は、メモリアレイMAの冗長でないメモリアレイ通常ワード線MWLが選択された場合に活性化するワード線とする。 - 特許庁
Accordingly, as a digit line driving circuit DD is controlled via the metal piling word line MWL, a main digit MDL line is not needed and the number of wiring layers becomes small.例文帳に追加
したがって、メタル杭打ちワード線MWLを介してディジット線駆動回路DDを制御するので、メインディジットMDL線が不要となり、配線層数が少なくて済む。 - 特許庁
In a semiconductor memory device, subword lines SWL00 to SWL3n are selected when a corresponding word line MWL and any of subdecoding lines SD0 to SD3 are driven up to a step-up potential Vpp.例文帳に追加
サブワード線SWL00〜SWL3nは、対応するワード線MWLとサブデコード線SD0〜SD3ののいずれかが、昇圧電位Vppまで駆動されることにより選択される。 - 特許庁
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