「mwl」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the semiconductor storage device having the multilayer wiring structure wherein series selecting lines (YS) extended in a Y direction and main wordlines (MWL) extended in an X direction are subjected to multilayer wiring, the semiconductor storage device having structure wherein a wiring layer of the YS is arranged lower than a wiring layer of the MWL can be obtained.例文帳に追加

Ｙ方向に延びる列選択線（ＹＳ）と、Ｘ方向に延びるメインワード線（ＭＷＬ）とを多層配線した多層配線構造を有する半導体記憶装置において、ＹＳの配線層をＭＷＬの配線層よりも下層に配置した構造を有する半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁

This semiconductor memory has a plurality of main word lines MWL extending crossing memory blocks 80, and four sub-word lines SWL1-4 arranged at each of the memory blocks and belonging respectively to the plurality of main word lines MWL.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、メモリブロック８０を横断して延びる複数のメインワード線ＭＷＬと、メモリブロックの各々に配置されて複数のメインワード線ＭＷＬにそれぞれ従属する４本のサブブワード線ＳＷＬ１〜４とを有する。 - 特許庁

This semiconductor storage device has a hierarchical word line structure consisting of a plurality of main word lines MWL and a plurality of sub-word lines SWL.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、複数のメインワード線ＭＷＬと複数のサブワード線ＳＷＬからなる階層ワード線構造を有している。 - 特許庁

The N+diffusion mode NSL is connected to a main word line/MWL<x> set to an L level (ground voltage Vss) when a corresponding memory cell line is selected.例文帳に追加

Ｎ^+拡散ノードＮＳＬは、対応するメモリセル行の選択時にＬレベル（接地電圧Ｖｓｓ）に設定されるメインワード線／ＭＷＬ＜ｘ＞と接続される。 - 特許庁

In a write operation, write data Di in the register part are input via a common data input bus (RWL=1), and successively write data Di in the memory cell array are input (MWL=4).例文帳に追加

書き込み動作時は、共通のデータ入力バスを介してレジスタ部に対する書き込みデータＤｉを入力し（ＲＷＬ＝１）、続いてメモリセルアレイに対する書き込みデータＤｉを入力する（ＭＷＬ＝４）。 - 特許庁

In the sub word driver circuit 8000, when the bank selecting line BSL becomes active, the potential level of the main word line MWL is transmitted to the node n1 via a transistor 8100.例文帳に追加

サブワードドライバ回路８０００においては、バンク選択線ＢＳＬが活性となるとメインワード線ＭＷＬの電位レベルがトランジスタ８１００を介してノードｎ１に伝達される。 - 特許庁

A first reset circuit 11 causes a short with the word lines WL0...WL3 when the main word line/MWL does not select a word line drive circuit.例文帳に追加

第１のリセット回路１１は、主ワード線／ＭＷＬによりワード線駆動回路が選択されていないとき、ワード線ＷＬ０…ＷＬ３をショートする。 - 特許庁

The word line RWL0 for reference cell is a word line activated when a memory array normal word line MWL being not a redundant line of a memory array MA is selected.例文帳に追加

リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０は、メモリアレイＭＡの冗長でないメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬが選択された場合に活性化するワード線とする。 - 特許庁

Accordingly, as a digit line driving circuit DD is controlled via the metal piling word line MWL, a main digit MDL line is not needed and the number of wiring layers becomes small.例文帳に追加

したがって、メタル杭打ちワード線ＭＷＬを介してディジット線駆動回路ＤＤを制御するので、メインディジットＭＤＬ線が不要となり、配線層数が少なくて済む。 - 特許庁

In a semiconductor memory device, subword lines SWL00 to SWL3n are selected when a corresponding word line MWL and any of subdecoding lines SD0 to SD3 are driven up to a step-up potential Vpp.例文帳に追加

サブワード線ＳＷＬ００〜ＳＷＬ３ｎは、対応するワード線ＭＷＬとサブデコード線ＳＤ０〜ＳＤ３ののいずれかが、昇圧電位Ｖｐｐまで駆動されることにより選択される。 - 特許庁

Second-fifth reset circuits 12...15 allow a non-selected word line to be a ground electric potential using the signal of a selected word line when the main word line/MWL selects a word line drive circuit.例文帳に追加

第２乃至第５のリセット回路１２…１５は主ワード線／ＭＷＬによりワード線駆動回路が選択されているとき、選択されたワード線の信号を用いて選択されていないワード線を接地電位とする。 - 特許庁

The curable resin composition used as a constituent material of an electrophotographic photoreceptor contains a phenolic resin satisfying MwH/MwL≤1.90, wherein MwH is a peak area of a weight average molecular weight of ≥200 and MwL is a peak area of a weight average molecular weight of <200, in a molecular weight distribution measured by gel permeation chromatography.例文帳に追加

電子写真感光体の構成材料として用いられる硬化性樹脂組成物であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定される分子量分布において、重量平均分子量２００以上のピーク面積をＭｗＨとし、重量平均分子量２００未満のピーク面積をＭｗＬとした場合に、（ＭｗＨ／ＭｗＬ）の値が１．９０以下であるフェノール樹脂を含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

Each write digit line WDL is selectively activated hierarchically with the write digit lines WDL according to the information transmitted by a main word line MWL and a segment decode line SGDL arranged in common to a plurality of sub- blocks adjacent in the direction of rows.例文帳に追加

各ライトディジット線ＷＤＬは、ライトディジット線ＷＤＬと階層的に、行方向に隣接する複数のサブブロックに対して共通に配置されるメインワード線ＭＷＬおよびセグメントデコード線ＳＧＤＬによって伝達される情報に応じて、選択的に活性化される。 - 特許庁

A first layer metal wiring 7 of the lower layer of a third layer metal wiring 9 which serves as a main word line MWL is used as wiring for shunting and connected to first layer polysilicon wiring 3, constituting a sub word line SWL electrically at prescribed intervals.例文帳に追加

メインワード線ＭＷＬとなる第３層金属配線９下層の第１層金属配線７をシャント用配線として用いて、サブワード線ＳＷＬを構成する第１層ポリシリコン配線３に電気的に所定間隔で接続する。 - 特許庁

A word line drive circuit 10 drives four word lines WL0...WL3 according to the signal supplied from a main row decoder 1021 through a main work line/MWL and word line drive voltages WDRV0...WDRV3 supplied from a sub row decoder 104.例文帳に追加

ワード線駆動回路１０は、主ローデコーダ１０２から主ワード線／ＭＷＬを介して供給される信号と、副ローデコーダ１０４から供給されるワード線駆動電圧ＷＤＲＶ０…ＷＤＲＶ３に応じて4本のワード線ＷＬ０…ＷＬ３を駆動する。 - 特許庁

In response to the setting of the main word line/MWL<x> to the L level, the word lines WL0<x>, WL1<x> of an x line are set to H levels in reading data, and the digit lines DL0<x>, DL1<x> of the x line are set to H levels in writing data.例文帳に追加

メインワード線／ＭＷＬ＜ｘ＞がＬレベルに設定されるのに応答して、データ読出時には第ｘ行のワード線ＷＬ０＜ｘ＞，ＷＬ１＜ｘ＞がＨレベルに設定され、データ書込時には、第ｘ行のディジット線ＤＬ０＜ｘ＞，ＤＬ１＜ｘ＞がＨレベルに設定される。 - 特許庁

Thereby, at read-out, potentials of the word line RWL0 for reference cell (or word line RWL1 for reference cell) and the memory array normal word line MWL (or memory array redundant word line ReWL) are made rise synchronously with each other.例文帳に追加

これによって、データの読み出し時に、リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０（またはリファレンスセル用ワード線ＲＷＬ１）とメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬ（またはメモリアレイ通常ワード線ＲｅＷＬ）との電位が同期して立上がる。 - 特許庁

By a voltage changeover circuit 14, a first boost voltage (VPP) is supplied to the main word driver 12 in a predetermined area to which the selected main word line MWL belongs, among a plurality of areas divided from a memory cell array, while in areas other than the area, a second boost voltage (VPPL) lower than the first boost voltage is supplied to the main word driver 12.例文帳に追加

電圧切り替え回路１４は、メモリセルアレイを分割した複数の領域のうち、選択されたメインワード線ＭＷＬが属する所定領域では第１の昇圧電圧（ＶＰＰ）を、それ以外の領域では第１の昇圧電圧より低い第２の昇圧電圧（ＶＰＰＬ）を、メインワードドライバ１２に供給する。 - 特許庁