negative stressとは 意味・読み方・使い方

To estimate dielectric breakdown lifetime, in both positive and negative stress polarities by conducting measurement of a lifetime for only one stress polarity of a low-voltage region of low voltage regions of both positive and negative stress polarities.例文帳に追加

正および負の両ストレス極性における低電圧領域における寿命測定を一方のストレス極性に対してのみ行うことによって、両ストレス極性における絶縁破壊寿命を推定する。 - 特許庁

The CVS is one of a negative word (phrase), stress word (phrase), prerequisite word (phrase), a conjunctive word (phrase) and aspect.例文帳に追加

該ＣＶＳは、否定語（句）、強調語（句）、前提語（句）、接続語（句）、様相の一である。 - 特許庁

A stress-balancing pad 130 is formed on an anchor portion 122 of the spring metal finger 120, and made to include an internal stress (for example, negative internal stress) that counter balances the positive stress of the spring metal finger 120.例文帳に追加

ばね金属指１２０のアンカ部１２２に応力均衡パッド１３０を形成し、ばね金属指１２０の正の応力を相殺する内部応力（例えば負の内部応力）を応力均衡パッド１３０に存在させる。 - 特許庁

A stress by expansion and contraction of Sn is dispersed by Pb, and fine disintegration occurring at the negative electrode active material layer 12 and a negative electrode current collector 11 can be suppressed because the stress is concentrated on the negative electrode current collector 11.例文帳に追加

ＰｂによりＳｎの膨張収縮による応力が分散され、負極集電体１１に応力が集中して負極活物質層１２および負極集電体１１が微粉化してしまうことを抑制することができる。 - 特許庁

An intersection C is obtained from the relations between α1 of the negative stress gate voltage and 1/TBD, and the relations between α2 of the positive stress gate voltage and 1/TBD.例文帳に追加

負のストレスゲート電圧の、α１と１／Ｔ_BDとの関係、および正のストレスゲート電圧の、α２と１／Ｔ_BDとの関係から交点Ｃを求める。 - 特許庁

To provide a turbine blade capable of achieving the satisfactory balance of a stress concentration between a negative pressure side and a positive pressure side.例文帳に追加

負圧側と正圧側との間で応力集中の釣合がとれたタービンブレードを提供する。 - 特許庁

To provide an optical film having negative stress birefringence though having positive oriented birefringence.例文帳に追加

正の配向複屈折を有していながら、負の応力複屈折を有する光学フィルムを提供すること。 - 特許庁

The relation between a negative stress gate voltage and an injection electron total amount QBD for bringing about a dielectric breakdown are obtained.例文帳に追加

負のストレスゲート電圧と絶縁破壊を起こす注入電子総量Ｑ_BDとの関係を求める。 - 特許庁