nitrogen profileとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can make it possible to achieve a desired thickness and nitrogen profile by using a plasma nitriding process.例文帳に追加

プラズマ窒化プロセスを用いて所望の膜厚および窒素プロファイルにすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon oxinitride film has a nitrogen concentration profile in which the nitrogen concentration in a region in contact with the substrate 1 is adjusted to 0-2 atm.% and that in a region which contains nitrogen at the highest concentration is adjusted to 5-20 atm.%.例文帳に追加

シリコン酸窒化膜は、Ｓｉ基板１に接する領域における窒素濃度が０atm ％より大きく２atm ％以下であり、かつ、最大窒素濃度を示す領域における窒素濃度が５atm％以上で２０atm ％以下であるような窒素濃度プロファイルを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a gate insulating film, having an improved nitrogen concentration profile and good electrical characteristics, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

窒素濃度プロファイルが改善されたゲート絶縁膜を有する電気的特性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first gate insulating film 31 and the second gate insulating film 41 consist of oxynitride silicon, and the nitrogen-concentration profile of the first gate insulating film 31 and that of the second gate insulating film 41 mutually differ.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜３１及び第２のゲート絶縁膜４１は酸窒化シリコンからなり、第１のゲート絶縁膜３１の窒素濃度プロファイルと、第２のゲート絶縁膜４１の窒素濃度プロファイルとは互いに異なっている。 - 特許庁

In order to realize this nitrogen concentration profile, the surface region of the oxide film or oxinitride film is subjected to plasma nitriding after the film is formed or the surface region of the Si substrate 1 is oxidized after a nitride film or the oxinitride film is formed.例文帳に追加

このような窒素濃度プロファイルを実現するためには、酸化膜又は酸窒化膜を形成してからその表面領域をプラズマ窒化処理するか、窒化膜又は酸窒化膜を形成してからＳｉ基板の表面領域を酸化する。 - 特許庁

The treatment gases comprise fluorine rich polymer-forming etching gas that promotes a high etching rate, carbon rich polymer-forming etching gas that promotes a high polymerization deposition rate, polymer control gas (such as oxygen or nitrogen) that delays polymerization deposition rate, and inactive dilution gas that alleviates tapering-off of etching profile.例文帳に追加

処理ガスは、高エッチング速度を促進するフッ素リッチ重合エッチングガス、高重合体堆積速度を促進する炭素リッチ重合エッチングガス、重合体堆積速度を遅延させる重合体管理ガス（例えば、酸素又は窒素）、エッチングプロファイルの先細りを軽減する不活性希釈ガスを含む。 - 特許庁

By this, the barrier layer, interposed between first/second copper wirings while being deposited on an insulating layer, has a profile that a nitrogen density included in its material is changed so as to be relatively low at a boundary part in-between the first copper wiring and at a boundary part in-between the second copper wiring and to be relatively high at a central part sandwiched by the boundary parts.例文帳に追加

これにより、絶縁層に被着し、第１の銅配線と第２の銅配線との間に介在するバリア層は、その材料に含有される窒素の濃度が、第１の銅配線および第２の銅配線との境界部分で相対的に低く、それらの境界部分に挟まれる中央部分で相対的に高くなるように変化するプロファイルを有する。 - 特許庁

At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile.例文帳に追加

半導体基板１を紫外光６，７を照射しながら一酸化二窒素３を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光７と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光６の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜２を形成する。 - 特許庁