nm pとは 意味・読み方・使い方

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

Preferably, the hole array 12 has an interval P between holes 14 satisfying 250 nm<P<400 nm as an average interval and a diameter D of the hole 14 with respect to the interval P between the holes 14 is in a range of 0.7<D/P<0.85.例文帳に追加

また、ホールアレイ１２は、各ホール１４間の間隔Ｐは２５０ｎｍ＜Ｐ＜４００ｎｍの平均間隔を有し、ホール１４の直径Ｄは各ホール１４間の間隔Ｐに対して０．７＜Ｄ／Ｐ＜０．８５の範囲であることが好ましい。 - 特許庁

A P-type GaN layer 18 of at least 2 nm and at most 100 nm in thickness is formed on the P-type clad layer 16, and a metal film 20 is formed.例文帳に追加

Ｐ型クラッド層１６上にＰ型ＧａＮ層１８を２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さで形成して金属膜２０を形成する。 - 特許庁

The pitch P is multiple of the projection width W and is, for example, 80 nm.例文帳に追加

ピッチＰは、突起幅Ｗの倍数であって、例えば８０ｎｍである。 - 特許庁

The film thickness of the p-type amorphous silicon film 24 is 6 to 80 nm.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜２４の膜厚は、６ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。 - 特許庁

Furthermore, the thickness of the first p-type contact layer 16a and that of the second p-type contact layer 16b is totally 20 to 300 nm.例文帳に追加

また、第１ｐ型コンタクト層１６ａと第２ｐ型コンタクト層１６ｂの厚さの合計は、２０〜３００ｎｍである。 - 特許庁

Further, the p-type contact layer 7 with the film thickness of about 200 nm made of an Mg doped p-type In_0.03Ga_0.97N is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

Each of the underlayer 3 and the (p) layer 4 has a film thickness of 10 nm, the (i) layer 5 has a film thickness of 300-1,000 nm and the (n) layer 6 has a film thickness of 20 nm.例文帳に追加

下地層３およびｐ層４は、１０ｎｍの膜厚を有し、ｉ層５は、３００〜１０００ｎｍの膜厚を有し、ｎ層６は、２０ｎｍの膜厚を有する。 - 特許庁