「nm p」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The thickness of a p-side well layer nearest the p-type semiconductor layer is 4 nm or more and the thicknesses of all the well layers except for the p-side well layer are less than 4 nm.例文帳に追加

ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さは、４ｎｍ以上であり、ｐ側井戸層を除く全ての井戸層の厚さは４ｎｍ未満である。 - 特許庁

The thickness dimension of the non-magnetic layer 4 is in the range of 1-50 nm and surface roughness (P-V) is in the range of ≥2 nm and ≤20 nm.例文帳に追加

非磁性層４の厚さ寸法は、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲、表面粗さ（Ｐ−Ｖ）が２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲とする。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

Preferably, the hole array 12 has an interval P between holes 14 satisfying 250 nm<P<400 nm as an average interval and a diameter D of the hole 14 with respect to the interval P between the holes 14 is in a range of 0.7<D/P<0.85.例文帳に追加

また、ホールアレイ１２は、各ホール１４間の間隔Ｐは２５０ｎｍ＜Ｐ＜４００ｎｍの平均間隔を有し、ホール１４の直径Ｄは各ホール１４間の間隔Ｐに対して０．７＜Ｄ／Ｐ＜０．８５の範囲であることが好ましい。 - 特許庁

A P-type GaN layer 18 of at least 2 nm and at most 100 nm in thickness is formed on the P-type clad layer 16, and a metal film 20 is formed.例文帳に追加

Ｐ型クラッド層１６上にＰ型ＧａＮ層１８を２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さで形成して金属膜２０を形成する。 - 特許庁

The pitch P is multiple of the projection width W and is, for example, 80 nm.例文帳に追加

ピッチＰは、突起幅Ｗの倍数であって、例えば８０ｎｍである。 - 特許庁

The film thickness of the p-type amorphous silicon film 24 is 6 to 80 nm.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜２４の膜厚は、６ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。 - 特許庁

Furthermore, the thickness of the first p-type contact layer 16a and that of the second p-type contact layer 16b is totally 20 to 300 nm.例文帳に追加

また、第１ｐ型コンタクト層１６ａと第２ｐ型コンタクト層１６ｂの厚さの合計は、２０〜３００ｎｍである。 - 特許庁

Further, the p-type contact layer 7 with the film thickness of about 200 nm made of an Mg doped p-type In_0.03Ga_0.97N is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

Each of the underlayer 3 and the (p) layer 4 has a film thickness of 10 nm, the (i) layer 5 has a film thickness of 300-1,000 nm and the (n) layer 6 has a film thickness of 20 nm.例文帳に追加

下地層３およびｐ層４は、１０ｎｍの膜厚を有し、ｉ層５は、３００〜１０００ｎｍの膜厚を有し、ｎ層６は、２０ｎｍの膜厚を有する。 - 特許庁

A p-type cladding layer 6 with the film thickness of about 50 nm made of an Mg doped p-type Al_0.15Ga_0.85N is formed on this active layer 5.例文帳に追加

この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。 - 特許庁

A p-type GaAs layer 2 in a thickness of 300 nm is formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上へ厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＡｓ層２を形成する。 - 特許庁

The grain size of the particles is 1-3 nm and the particles contain 2-50 atom% of P.例文帳に追加

前記粒子の粒径は１ｎｍ〜３ｎｍであり、Ｐを２原子％〜５０原子％含有する。 - 特許庁

Stripe width is about 1,500 nm on the flat top surface Σ of the p-type contact layer 105b.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの平頂面Σにおけるストライプ幅は約１５００ｎｍである。 - 特許庁

A peak position of impurity density of the N-type impurity layer is at a depth of equal to or less than 100 nm from the surface of the P-type silicon substrate 1, and a film thickness of the P-type impurity layer 4 is larger than 0 nm and equal to or less than 20 nm.例文帳に追加

Ｎ型不純物層の不純物濃度のピーク位置が、Ｐ型シリコン基板１の表面からの深さが１００ｎｍ以下の位置に存在しており、Ｐ型不純物層４の膜厚は、０ｎｍよりも大きく且つ２０ｎｍ以下である。 - 特許庁

A plane size of the irregular pattern P is almost a rectangle of 50 nm×50 nm to 30 μm×15 mm, and flatness of the disk is 50 μm or less.例文帳に追加

凹凸パターンＰの平面サイズが５０ｎｍ×５０ｎｍ〜３０μｍ×１５ｍｍの略矩形であり、ディスクの平坦度が５０μｍ以下である。 - 特許庁

On top of a p-type clad layer 6, a p-type contact layer 7 which is formed of p-type GaN having a carrier density of 5×10^19/cm^3 by Mg doping and has a thickness of about 120 nm is formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上には、Ｍｇドープによるキャリア濃度５×１０^19／ｃｍ^3 のｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２０ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

The third p-type contact layer has the Mg concentration not lower than 1×10^20/cm^3, and is 2 to 10 nm in thickness.例文帳に追加

第３ｐコンタクト層は、Ｍｇ濃度が１×１０^20／ｃｍ^3 以上で、厚さは２〜１０ｎｍである。 - 特許庁

The thickness of gate insulating films of a load type P-type MOS and a drive type N-type MOS is 4 nm or less.例文帳に追加

負荷型Ｐ型ＭＯＳ及び駆動型Ｎ型ＭＯＳのゲート絶縁膜厚は、４ｎｍ以下である。 - 特許庁

After an SiGe layer 14 is formed on a silicon layer 13 of a substrate 21, a P++ doped SiGe layer 15 with a thickness about 10 nm-100 nm is formed and then an SiGe layer 16 with a thickness of about 500 nm-1000 nm is formed.例文帳に追加

基板２１のシリコン層１３上にＳｉＧｅ層１４を形成した後、Ｐ^^^++ドープのＳｉＧｅ層１５を膜厚１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に形成し、続いてＳｉＧｅ層１６を膜厚５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成する。 - 特許庁

A p-cladding layer 15 has a superlattice structure where a p-AlGaN layer of 0.5-10 nm thick and an InGaN layer are grown repeatedly and laminated.例文帳に追加

ｐクラッド層１５は、厚さ０．５〜１０ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮ層と、ＩｎＧａＮ層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。 - 特許庁

The liquid crystal, a cell gap and the chiral agent are selected in such a manner that 450×d/p+290≤Δnd≤459×d/p+590 is satisfied, when the refractive index anisotropy of the liquid crystal, the cell gap and the helical pitch of the chiral agent are defined as Δn, d (nm) and p (nm), respectively.例文帳に追加

更に、液晶の屈折率異方性をΔｎ、セルギャップをｄ（ｎｍ）、カイラル剤のヘリカルピッチをｐ（ｎｍ）としたときに、４５０×ｄ／ｐ＋２９０≦Δｎｄ≦４５９×ｄ／ｐ＋５９０を満足するように、液晶、セルギャップ及びカイラル剤を選択する。 - 特許庁

The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28.例文帳に追加

受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。 - 特許庁

The p-type contact layer 6 sequentially laminates an optical reflective metal film 7 consisting of Ag having a thickness of 150 nm, a diffusion preventing metal film 8 consisting of W having a thickness of 100 nm, and a cover metal film 9 consisting of Au having a thickness of 150 nm to from a p-type electrode 12.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層６の上には厚さが１５０ｎｍのＡｇからなる光学反射金属膜７と、厚さが１００ｎｍのＷからなる拡散防止金属膜８と、厚さが１５０ｎｍのＡｕからなるカバー金属膜９とが順次積層されたｐ型電極１２が形成されている。 - 特許庁

This dielectric multi-layer film mirror 5 is constituted such that it transmits light with a wavelength of less than 500 nm in both P and S waves and that it reflects light with a wavelength of 500 nm or above.例文帳に追加

この誘電体多層膜ミラー５は、Ｐ波、Ｓ波ともに波長５００ｎｍ以下の光を透過し、波長５００ｎｍ以上の光を反射するように構成する。 - 特許庁

The calcium carbonate-based fluorescent material with calcite-type structure, that emits fluorescence within the wavelength range of 350-600 nm outside the cell when excited by light within the wavelength range of 260-400 nm, is formed by incubating a new bacterium, Geobacillus thermoglucosidasius NY05 (accession number FERM P-21717), in a solution for crystal formation including sodium acetate, calcium chloride, and magnesium sulfate.例文帳に追加

新規細菌Geobacillus thermoglucosidasius NY05（受託番号FERM P-21717）を酢酸ナトリウム、塩化カルシウム、および硫酸マグネシウムを含む結晶形成溶液中でインキュベートすることにより、細胞外に、260〜400 nmの範囲の波長の光により励起されたときに350〜600 nmの範囲の波長の蛍光を発することができる、カルサイト型構造を有する炭酸カルシウム質蛍光体が形成される。 - 特許庁

An etching stop layer 19A in which composition of aluminum is greater than that of a P-type first clad layer 18, whose thickness is almost 50 nm and which is composed of P-type Al0.10Ga0.90N is grown on the P-type first clad layer 18.例文帳に追加

ｐ型第１クラッド層１８の上に、アルミニウムの組成がｐ型第１クラッド層１８よりも大きく且つ厚さが約５０ｎｍのｐ型Ａｌ_0.10Ｇａ_0.90Ｎからなるエッチング停止層１９Ａを成長する。 - 特許庁

The underlayer 30 is formed on the surface of the p-type contact layer 27, Ag (silver) is added to a transition metal, and the underlayer 30 has a thickness of 1 nm or more and 10 nm or less.例文帳に追加

下地層３０は、ｐ型コンタクト層２７の表面に形成されると共に遷移金属にＡｇ（銀）を添加して構成され、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有する。 - 特許庁

Also, the thickness t of the anodized alumina film 5 is suppressed to the range of 0.5-30 μm, the hole diameter (a) of the nano hole is suppressed to the range of 20-300 nm, and the pitch p of the hole of the nano hole is suppressed to the range of 50-500 nm.例文帳に追加

また、陽極酸化アルミナ膜５の厚みｔを０．５〜３０μｍ、ナノホールの孔径ａを２０〜３００ｎｍ、ナノホールの孔のピッチｐを５０〜５００ｎｍの範囲に抑える。 - 特許庁

The light source 2 comprises superimposing UV-B which has wavelength components of about 280-340 nm, and UV-C which cuts wavelength components of about 255 nm or below among wavelength components of about 100-280 nm, and irradiating the UV-B and UV-C to a plant P.例文帳に追加

光源２は、略２８０〜３４０ｎｍの波長成分を有するＵＶ−Ｂと、略１００〜２８０ｎｍの波長成分のうちの略２５５ｎｍ以下の波長成分がカットされたＵＶ−Ｃとを重畳して植物Ｐに照射する。 - 特許庁

The p-type layer 127 having small impurity concentration, and n-type layer 128 having small impurity concentration are as thick as 40 nm or less.例文帳に追加

Ｐ型の不純物濃度の薄い層１２７とＮ型の不純物濃度の薄い層１２８の厚さは４０ｎｍ以下である。 - 特許庁

After a p-type pocket layer 14 is formed on the front surface of a semiconductor substrate 11, a thin sidewall insulating film 15 having a width of about 10 nm is formed, and P ions are implanted.例文帳に追加

Ｐ型ポケット層１４を半導体基板１１の表面に形成した後、幅が１０ｎｍ程度の薄いサイドウォール絶縁膜１５を形成し、Ｐのイオン注入を行う。 - 特許庁

The p-type InGaAs contact layer 14 has: a Be-doping concentration of ≥7×10^18 cm^-3; and a thickness of <300 nm.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上、厚みが３００ｎｍより薄い。 - 特許庁

A heterogeneous catalyst comprises particles containing at least Pt and P and a maximum average grain size of smaller than 5 nm.例文帳に追加

少なくともＰｔとＰを含有し、最大平均粒径が５ｎｍ未満である粒子からなることを特徴とする不均一系触媒。 - 特許庁

The fine particle catalyst is provided in which the particles containing Au and P are carried on a carbon substrate, of which a particle diameter is 3 nm or less.例文帳に追加

カーボン基体上に、ＡｕとＰを含む粒子が担持されており、その粒径が３ｎｍ以下である微粒子触媒を提供する。 - 特許庁

The second p-type contact layer 16b has an Mg concentration in a range between 4×10^19/cm^3 and 9×10^19/cm^3, and is 10 to 60 nm in thickness.例文帳に追加

第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０^19〜９×１０^19／ｃｍ^3 で、厚さは１０〜６０ｎｍである。 - 特許庁

The n-type clad layer 21 has a thickness Dn of 2 μm or more, and the p-type clad layer 23 has a thickness Dp of 500 nm or more.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 - 特許庁

The reflection film for the display comprises a transparent polymer film which exhibits in-plane retardation R(550) [nm] with respect to light with 550 nm wavelength satisfying inequality (I) and which has a transparent conductive layer formed on one surface thereof and a reflection layer and a resin layer P in contact with the reflection layer formed in this order on the other surface.例文帳に追加

波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差Ｒ（５５０）［ｎｍ］が下記式（Ｉ）を満足する透明高分子フィルムの一方の面に透明導電層が形成され、他方の面に反射層及び該反射層に接して樹脂層Pが順に形成されているディスプレイ用反射フィルム。 - 特許庁

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加

ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。 - 特許庁

A p/i interface layer 5 of amorphous silicon oxide having thickness of 1 to 8 nm is provided between a p-type semiconductor layer 6 comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase and an intrinsic i-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層６とｉ型半導体層４との間に、１〜８nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのｐ／ｉ界面層５を設ける。 - 特許庁

On a GaN film 3 formed on a base substrate 1, an Si_3N_4 insulating film 4 having a thickness of about 2-10 nm is formed by the P-CVD method, and successively, a GaN layer 5 is grown on the film 4 by adjusting the temperature to 1,050°C.例文帳に追加

ベース基板１上に形成されたGaN膜３上に、P-CVD法により２〜10ｎｍ程度のSi_3N_4からなる絶縁膜４を形成し、引き続き、温度を1050℃にしてSi_3N_4膜４上にGaN層５を成長させる。 - 特許庁

The protective material P has thickness ≥0.1 μm and ≤10 μm, is water-soluble, and has a property to transmit light of a wavelength of 355 nm.例文帳に追加

保護材Ｐは、厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、水溶性であり、３５５ｎｍの波長の光を透過する特性を有する。 - 特許庁

Light rays emitted from the light emitting layer 16 and having wavelengths of ≤360 nm are intercepted by the p-type electrode pad 20 and absorbed by the n-type GaN layer 12.例文帳に追加

発光層１６からの波長３６０ｎｍ以下の光はｐ型電極パッド２０で遮蔽され、ｎ型ＧａＮ層１２で吸収される。 - 特許庁

A p-type AlGaInP upper cladding layer 40 of the 650 nm wavelength band laser 14 is etched halfway to form ridge waveguides 44.例文帳に追加

６５０ｎｍ帯波長レーザ１４のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０は途中までエッチングされてリッジ導波路４４が形成されている。 - 特許庁

Paper money P carried through a carrying path 4 is irradiated with detection light whose peak wavelength is 253.7 nm from a detection light source 9.例文帳に追加

搬送路４を搬送される紙幣Ｐに対して、検出光光源９から２５３．７ｎｍをピーク波長とする検出光が照射される。 - 特許庁