「nm p」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A machining marks 12 having pitch p are formed by one shot by emitting a pulse laser beam having a wavelength of 250-400 nm from a laser beam source and irradiating the laser beam 42 on the glass substrate 2 by a microlens array 40.例文帳に追加

レーザ光源から、波長が２５０〜４００ｎｍのパルスレーザ光を出射し、マイクロレンズアレイ４０により、レーザ光４２をガラス基板２に照射することにより、１ショットでピッチがｐの加工痕１２を形成する。 - 特許庁

The surface of a polycrystalline silicon film doped with boron (B) or phosphorus (P) is oxidized by using ozone to form a silicon oxide film of 4-20 nm on the surface of the polycrystalline silicon.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、ボロン（Ｂ）またはリン（Ｐ）をドープした多結晶シリコン膜表面を，オゾンを用いて酸化処理することによって，多結晶シリコン表面に４〜２０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

At least one of an n-type nitride semiconductor layer or a p-type nitride semiconductor layer further has a clad layer made of a nitride semiconductor containing Al, and the thickness of the clad layer is 10 nm or less.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層またはｐ型窒化物半導体層の少なくとも一方が、Ａｌを含む窒化物半導体からなるクラッド層をさらに有し、前記クラッド層の膜厚を５０ｎｍ以下とする。 - 特許庁

In the compound-semiconductor laminated structure 30, the InP layer 36 having the film thickness of 1 μm is formed on the GaAs substrate 32 through a GaAs_0.95P_0.05 layer 34 having a uniform P composition and the film thickness of 60 nm.例文帳に追加

本化合物半導体積層構造３０は、ＧａＡｓ基板３２上に、Ｐ組成が一様な膜厚６０ｎｍのＧａＡｓ_０．９５Ｐ_０．０５層３４を介して、膜厚１μｍのＩｎＰ層３６を備えている。 - 特許庁

The carbon material for the negative electrode of a nonaqueous secondary battery is produced by performing nonmechanical treatment so that the pore volume ratio ΔP(=P(B)/P(A))of pore distribution by 250-2500 nm Hg porosimetry analysis of a carbon material (A) before treatment and a carbon material (B) after treatment is 1-10.例文帳に追加

処理前の炭素材（Ａ）と処理後の炭素材（Ｂ）との２５０〜２５００ｎｍのＨｇポロシメトリー解析による細孔分布の細孔量比ΔＰ比（＝Ｐ（Ｂ）/Ｐ（Ａ））が１より大きく１０以下となるように非機械的処理を行うことにより製造されることを特徴とする非水系二次電池負極用炭素材。 - 特許庁

A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

The soft magnetic member 1 comprises a resin film 2, an underlying metal layer 3 formed on the resin film 2, and a soft magnetic metal layer 4 formed on the underlying metal layer 3 wherein the thickness s of the underlying metal layer 3 and the thickness p of the soft magnetic metal layer 4 satisfy following relations: 5≤p/s<10 and 0<s<100 nm.例文帳に追加

樹脂フィルム２と、樹脂フィルム２上に形成された下地金属層３と、下地金属層３上に配設された軟磁性金属層４と、を備えた軟磁性部材１であって、下地金属層３の厚さをｓ、軟磁性金属層４の厚さをｐとすると、５≦ｐ／ｓ＜１０かつ０＜ｓ＜１００ｎｍとする。 - 特許庁

In a process for forming a p-type AlGaInP III-V compound semiconductor layer comprising zinc by using dimethylzinc, etc., by a metal organic vapor phase epitaxy, a growth velocity is made at least 0.3 nm/s.例文帳に追加

有機金属気相成長法によりジメチル亜鉛などを用いて亜鉛を含有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程において、成長速度を０．３ｎｍ／秒以上とする。 - 特許庁

In addition, a p-side electrode is arranged on the surface of the second layer, electrically connected with the second layer, formed with one metal selected from a group composed of Pt, Rh and Pd, and includes a thickness of 1-8 nm.例文帳に追加

ｐ側電極が第２の層の表面上に配置され、第２の層に電気的に接続され、Ｐｔ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択された１つの金属で形成されており、その厚さが１ｎｍ〜８ｎｍである。 - 特許庁

In order to lower the contact resistance, a high carrier concentration region, where the carrier concentration of an n-type or p-type impurity is equal to or higher than 1021 cm-3, is formed close to a semiconductor surface (to within 10 nm) which is in contact with a wiring metal.例文帳に追加

接触抵抗を低下させるために、配線金属と接触する半導体表面近傍（１０ｎｍ以内）にｎ型またはｐ型不純物によるキャリア濃度が１０^21ｃｍ^-3以上の高キャリア濃度領域を形成する。 - 特許庁

The foam rubber roller has at least one foam rubber layer on an outer circumference of a metallic cylinder, wherein the foam rubber layer is formed of a rubber composition comprising ethylene-propylene-nonconjugated diene copolymer rubber, carbon black having an average particle diameter of 90-150 nm and p,p'-oxybisbenzenesulfonyl hydrazide.例文帳に追加

芯金の外周上に少なくとも１層以上の発泡ゴム層を有する発泡ゴムローラにおいて、該発泡ゴム層が、少なくともエチレン−プロピレン−非共役ジエン共重合ゴム、平均粒子径９０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のカーボンブラックおよびｐ，ｐ’−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジドを含有するゴム組成物で形成されていることを特徴とする発泡ゴムローラ。 - 特許庁

Lenses 12, 13, 14 and 22 for forming the stepper 1 are formed from a synthetic quartz glass member having a characteristic which is a dissipation factor of ≤0.0050 cm-1 at 193.4 nm, measured after irradiated with 1×104 pulses ArF excimer laser at an energy density of 0.1 μJ/cm2.p to 200 mJ/cm2.p.例文帳に追加

そして、ステッパー１を構成するレンズ類１２，１３，１４，２２を、ＡｒＦエキシマレーザを０．１μＪ／ｃｍ^2・ｐ以上２００ｍＪ／ｃｍ^2・ｐ以下のエネルギー密度で１×１０^4パルス照射したとき、照射後に測定される１９３．４ｎｍにおける損失係数が０．００５０ｃｍ^-1以下となる特性を有する合成石英ガラス部材により構成する。 - 特許庁

The coating liquid is discharged toward the substrate W from a discharge port 521 of the tip of a discharge nozzle and the coating liquid P immediately after applied on the substrate W is irradiated with UV light L1 having 365 nm wavelength from a first irradiation light sources 551, 552.例文帳に追加

吐出ノズル先端の吐出口５２１から基板Ｗに向けて塗布液を吐出するとともに、基板Ｗに塗布された直後の塗布液Ｐに対して第１の照射光源５５１，５５２から波長３６５ｎｍのＵＶ光Ｌ1を照射する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a structure of an active layer of an In-containing nitride semiconductor sandwiched between p- and n-type clad layers, especially, a threshold current reducing structure of a device emitting light at a wavelength of 450 nm or higher.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４３０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

To reduce a threshold current in a nitride semiconductor device where an active layer having a nitride semiconductor containing In is held between p- and n-type cladding layers, and, especially, light emission is made at a wavelength of at least 440 nm.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４４０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

The p-dichlorodiketopyrrolopyrrole has a 9 nm or less crystallite size in the direction perpendicular to the (-1 5 1) plane calculated based on the X-ray diffraction pattern, and a 60% or more of α-crystallinity.例文帳に追加

ｐ−ジクロロジケトピロロピロール顔料におけるＸ線回折パターンより算出される（−１ ５ １）面垂直方向の結晶子サイズが９ｎｍ以下であり、かつ該顔料のα型結晶化度が６０％以上であるｐ−ジクロロジケトピロロピロール顔料。 - 特許庁

The optical member is a film-like or thin-plate-like optical member, and is composed of oxide crystallites including at least Cu and/or P, contains near-infrared absorption particles having a number-average coagulated particle size from 5-200 nm.例文帳に追加

光学部材は、フィルム状または薄板状の光学部材であって、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が５〜２００ｎｍである近赤外線吸収粒子を含有する。 - 特許庁

In relation to the lower p-SiN film 11, the real part (n) of the complex index of refraction is set in the range of 1.9-2.5, the imaginary part (k) in the range of 0.9-1.7 and the film thickness in the range of 20-60 nm.例文帳に追加

下層ｐ−ＳｉＮ膜１１に関して、複素屈折率の実部ｎを１．９以上２．５以下の範囲内に、虚部ｋを０．９以上ｋ以下１．７の範囲内に及び膜厚を２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内に設定している。 - 特許庁

In relation to the upper p-SiN film 12, the real part (n) of the complex index of refraction is set in the range of 1.7-2.4, the imaginary part (k) in the range of 0.15-0.75 and the film thickness in the range of 10-40 nm.例文帳に追加

上層ｐ−ＳｉＮ膜１２に関して、複素屈折率の実部ｎを１．７以上２．４以下の範囲内に、虚部ｋを０．１５以上０．７５以下の範囲内に及び膜厚を１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内に設定している。 - 特許庁

The insulating film is composed of a first element group of B, P, and O and a second element, capable of generating a cation of bivalent or higher valence having a 6 coordination defined by Shannon and an ionic radius of 0.073 nm or above as indispensable constituent component elements.例文帳に追加

ＢとＰとＯとからなる第１元素群と、シャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じ得る第２元素と、を必須構成元素とすることを特徴とする絶縁皮膜。 - 特許庁

The insulating film is composed of a first element group of P, O, and N and a second element, capable of generating a cation of bivalent or higher valence having a 6 coordination defined by Shannon and an ionic radius of 0.073 nm or above as indispensable constituent component elements.例文帳に追加

本発明の絶縁被膜は、Ｐ、ＯおよびＮからなる第１元素群と、シャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じさせ得る第２元素とを必須構成元素とする。 - 特許庁

The optical element R has a front retardation Re at wavelength 550 nm in the range of from 100 to 180 nm and a refractive index ellipsoid showing the relation of nx>ny≥nz or nx≥nz>ny, and is disposed so that the angle formed by the in-plane delay axial direction and the absorption axis of the first polarizer P ranges from 40 to 50°.例文帳に追加

前記光学素子Ｒの一態様として、波長５５０ｎｍにおける正面レターデーションＲｅが１００〜１８０ｎｍの範囲であり、屈折率楕円体が、ｎｘ＞ｎｙ≧ｎｚ、または、ｎｘ≧ｎｚ＞ｎｙの関係を示し、かつ、面内の遅相軸方向と、前記第１偏光子Ｐの吸収軸とのなす角が４０°〜５０°の範囲となるように配置されたものを用いることができる。 - 特許庁

Related to the photoelectric transducer structure formed on the surface, a p-type semiconductor layer 13 and an intrinsic semiconductor layer 14 contacting the surface are crystalline layers which mainly comprise crystal particles, grown as pillars, whose height is 100 nm or higher.例文帳に追加

該表面上に形成される光電変換素子構造において、該表面に接するｐ型半導体層１３、および真性半導体層１４は、柱状に成長した高さ１００ｎｍ以上の結晶粒により主として構成される結晶質層である。 - 特許庁

This reagent comprises a substrate having 400-450 nm absorbance of a coloring compound to be dissociated by the action of leucine aminopeptidase, such as L-leucyl-p-nitroanilide, a nonionic surfactant having 0.005-0.01 w/v% final concentration and a buffer solution.例文帳に追加

ロイシンアミノペプチダーゼの作用により解離する発色化合物の吸光度が400 〜450nm である基質、例えばＬ−ロイシル−ｐ−ニトロアニリド、最終濃度が0.005 〜0.01w/v ％である非イオン界面活性剤及び緩衝液を含有することを特徴とするロイシンアミノペプチダーゼ活性測定用試薬。 - 特許庁

The separated P-polarized light is transmitted through a wavelength spectral filter 46 to select red/green/blue light components R2, G2, B2 of 650, 550, 475 nm in wavelength, which enter a Y2 device 51, form images and are then modulated thereby.例文帳に追加

分離されたＰ偏光は、波長分光フィルタ４６で６５０ｎｍの赤色光成分Ｒ２と、５５０ｎｍの緑色光成分Ｇ２と、４７５ｎｍの青色光成分Ｂ２とがそれぞれ波長選択された後、Ｙ２デバイス５１に入射結像して変調される。 - 特許庁

In a diamond single crystal base material on whose surface the diamond single crystal is synthesized from the gas phase and epitaxially grown, the value of P-V (Peak to Valley) of the unevenness existing in the surface and having at least a period of 200nm or less is set to be ≤4 nm.例文帳に追加

表面に、ダイヤモンド単結晶が気相から合成されてエピタキシャル成長させられていくダイヤモンド単結晶基材において、表面に存在している少なくとも２００ｎｍ以下の周期を有する凹凸のＰ−Ｖを４ｎｍ以下に設定する。 - 特許庁

In the case where a mean particle size of the heat-treated ZnO quantum dots is equal to or more than 14 nm, when excitation light of excitation intensity exceeding a certain threshold value is radiated, the active layer generates P light emission by a collision between excitons confined in the ZnO quantum dots.例文帳に追加

熱処理されたＺｎＯ量子ドットの平均粒径が１４ｎｍ以上の場合は、活性層は、或る閾値を超える励起強度の励起光を照射すると、ＺｎＯ量子ドット内に閉じ込められた励起子同士の衝突によりＰ発光が生じる。 - 特許庁

To provide a nitrogen compound semiconductor light-emitting element with large emission intensity, which comprises an n-type layer composed of AlGaN, an active layer composed of AlGaInN, and a p-type layer, and emits ultraviolet light with an emission peak wavelength of 400 nm or less, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＡｌＧａＮよりなるｎ型層、ＡｌＧａＩｎＮよりなる活性層、およびｐ型層を有し、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光を放射する、発光強度の大きい窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The lens 10A for the imaging apparatus is for use in the imaging apparatus including a solid-state imaging device; the lens has a layer 12, containing near-infrared absorbing particles which are composed of oxide crystallites containing at least Cu and P, and which have a number-average coagulated particle size of 5 to 200 nm.例文帳に追加

撮像装置用レンズ１０Ａは、固体撮像素子を備えた撮像装置に用いられるレンズであって、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が５〜２００ｎｍである近赤外線吸収粒子を含有する層１２を備える。 - 特許庁

The photocatalyst-dispersed material contains photocatalyst particles having ≤1,000 nm average particle size, an aqueous solvent, benzoic acid and/or alkyl p-hydroxybenzoate (wherein an alkyl group has 1-3 carbon atoms) and has the pH of 3-6.例文帳に追加

本発明の光触媒分散体は、平均粒子径１０００ｎｍ以下の光触媒粒子および水系溶媒を含む分散体であって、安息香酸および／またはｐ−ヒドロキシ安息香酸アルキルエステル（但し、アルキル基は、炭素数１〜３のアルキル基である）を含有し、ｐＨが３〜６である。 - 特許庁

The adhesion layer and the seed layer comprise at least one element selected from the group consisting of Fe, Ni, Co, Cr, Ti, W, and Mo and further comprise at least one element selected from the group consisting of B, Si, P, C, Zr, Nb, and Ta and respectively have 3 to 50 nm film thickness.例文帳に追加

密着層およびシード層はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも一元素を含み、さらに、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも一元素を含んで構成し、各々３ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚とする。 - 特許庁

A doping dipole structure constituted of an N-type high density delta doped layer 132 and a P-type high density delta doped layer 131 which are adjacent to each other at most 20 nm is periodically formed in an undoped layer 133 which is to be irradiated with a light, thereby turning the band structure of a light absorbing layer into a sawtooth type.例文帳に追加

少なくとも２０ｎｍ以下に近接したｎ型高濃度デルタドープ層とｐ型高濃度デルタドープ層とからなるドーピングダイポール構造を、光照射を受けるアンドープ層に周期的に形成することにより光吸収層のバンド構造を鋸歯状にする。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode, at least an n-type foundation layer (4), a strain relaxing layer (11), an InGaN buffer layer (12), a light emitting layer (6) which contains an InGaN quantum well and has a peak wavelength of 440 nm or more and p-type layers (6, 7) are laminated on a substrate (1).例文帳に追加

基板(１)上に少なくとも、ｎ型下地層(４)と、歪緩和層(１１)と、ＩｎＧａＮバッファ層(１２)と、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む発光のピーク波長が４４０ｎｍ以上である発光層(６)と、ｐ型層(６，７)とが積層されている窒化物半導体発光ダイオーである。 - 特許庁

In the negative voltage boosting charge pump circuit, charge transferring transistors and outputting transistors are connected in series at a plurality of the stages, the preceding stage comprises P-channel field effect transistors (P1-P3, ...), and the subsequent stage comprises N-channel field effect transistors (Nm, No).例文帳に追加

本発明に係る負昇圧チャージポンプ回路において、複数段に直列接続された電荷転送用トランジスタと出力用トランジスタのうち、前段側はＰチャネル型電界効果トランジスタ（Ｐ１〜Ｐ３、…）とされており、後段側はＮチャネル型電界効果トランジスタ（Ｎｍ、Ｎｏ）とされている。 - 特許庁

A 1 to 3 nm thickness tunnel insulating film 14 consisting of acid nitride silicon and a degenerated n-type electrode 15 as a second conductivity-type heavily-doped semiconductor layer, whose impurity concentration is 1×1019 cm-3 or higher are formed along recesses and projections on the p-type diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型拡散層１３の上の凹凸形状に沿って、酸窒化シリコンよりなり厚さが１ｎｍ〜３ｎｍのトンネル絶縁膜１４と、不純物濃度が１×１０^19ｃｍ^-3以上であって第２導電型の高濃度半導体層としての縮退したｎ型電極１５が形成されている。 - 特許庁

This is an insulation coating in which indispensable constituting elements are a first element group composed of P and O, and a second element to produce positive ions of divalence or more in which an ion radius in 6 coordination number defined by Shannon is not less than 0.073 nm, and in which B is not substantially contained.例文帳に追加

ＰとＯとからなる第１元素群と、シャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じ得る第２元素とを必須構成元素とし、Ｂを実質的に含まないことを特徴とする絶縁皮膜。 - 特許庁

The solid-state imaging device 10A including a photoelectric conversion element 101 includes, on the solid-state imaging device 101, a near-infrared absorbing layer 107 composed of crystallites of oxide including at least Cu and/or P and containing near-infrared absorbing particles of 5 to 200 nm in number average agglomerated particle size.例文帳に追加

光電変換素子１０１を備えた固体撮像素子１０Ａであって、固体撮像素子１０１上に、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が５〜２００ｎｍである近赤外線吸収粒子を含有する近赤外線吸収層１０７を具備する。 - 特許庁

As a material for this high-pressure hydrogen gas tank and the high-pressure hydrogen gas piping, a stainless steel containing an appropriate quantity of C, Si, P, S, Mn, Ni, Cr and N is used, and this stainless steel has an aluminum layer formed from aluminum or an aluminum alloy and having a thickness of 100 nm to 10 mm in a surface to be brought in contact with hydrogen gas.例文帳に追加

材質が、適量のＣ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎを含有するステンレス鋼であり、水素ガスと接する面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる厚さ１００ｎｍ〜１０ｍｍのアルミ層を有することを特徴とする高圧水素ガス用タンク又は高圧水素ガス用配管。 - 特許庁

There is provided an aqueous inkjet ink composition containing, at least, a self-dispersion pigment having an average particle diameter of 20 to 300 nm, and a polyurethane resin having as constituting components a compound represented by formula (I) (wherein N is an integer of 1 to 6) or/and a compound represented by formula (II) (wherein the value of O+P+Q is an integer of 0 to 6).例文帳に追加

平均粒径が２０〜３００ｎｍの自己分散性顔料と、下記式(I)または／および式（II）で表される化合物を構成成分とするポリウレタン樹脂とを少なくとも含んでなる水性インクジェットインク組成物：（式中、Ｎは１〜６の整数）、（式中、Ｏ＋Ｐ＋Ｑの値は０〜６の整数）。 - 特許庁

A silicon oxide film, having a thickness of 5 nm or smaller, is formed on each surface of a P-type well and an N-type well by wet-oxidizing of the substrate, the substrate is heat treated in an atmosphere containing an approximately 5% NO gas, and an oxynitride silicon film is formed, by introducing nitrogen into the silicon oxide film.例文帳に追加

基板をウェット酸化することによって、ｐ型ウエルおよびｎ型ウエルのそれぞれの表面に膜厚５ｎｍ以下の酸化シリコン膜を形成した後、５％程度のＮＯガスを含む雰囲気中で基板を熱処理し、酸化シリコン膜中に窒素を導入することによって、酸窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A multilayer membrane 3 laminated on a glass substrate surface 21 of a half mirror 1 is a nine-layer structure where the material quality, refractive index and optical thickness of each of multilayer membranes are suitably set and the light transmission/reflection characteristics due to (s) and (p) polarized components thereof are equal for both the wavelengths of 650 and 780 nm.例文帳に追加

ハーフミラー１のガラス基板表面２１に積層された多層薄膜３は、各多層薄膜の材質、屈折率および光学的膜厚を適切に設定した９層構造であり、そのｓ、ｐ偏光成分に対する光透過・反射特性は、６５０、７８０ｎｍ波長のいずれについても同一である。 - 特許庁

An amorphous tantalum oxide film of thickness 10 nm or so is deposited on the primary surface of a semiconductor substrate 1 where an element isolation structure 9, an N-type semiconductor region 10, an N-type well 12, and a P-type well 11 are formed, and the semiconductor substrate 1 is thermally treated in an oxidizing atmosphere at a temperature of 800°C for three minutes.例文帳に追加

素子分離構造９、ｎ型半導体領域１０、ｎ型ウエル１２およびｐ型ウエル１１が形成された半導体基板１の主面上に、約１０ｎｍの膜厚の非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これをたとえば酸化性雰囲気において８００℃、３分間の熱処理を行う。 - 特許庁

The acrylic polymer fine particles comprise primary particles P having a core shell structure consisting of a core polymer C and a shell polymer S, wherein the primary particles P have an average particle diameter of 250 nm or larger; the core polymer C and the shell polymer S are copolymers of (meta)acrylic monomer mixtures Mc and Ms respectively; and the weight proportion of Mc to Ms is 10/90-90/10.例文帳に追加

コア重合体Ｃとシェル重合体Ｓからなるコアシェル構造を有する一次粒子Ｐからなるアクリル系重合体微粒子であり、該一次粒子Ｐの平均粒子径が２５０ｎｍ以上であり、コア重合体Ｃ及びシェル重合体Ｓは（メタ）アクリルモノマー混合物Ｍｃ及びＭｓの共重合体であり、かつＭｃとＭｓの重量比が１０／９０〜９０／１０である上記アクリル系重合体微粒子及び該微粒子を配合したプラスチゾルの提供。 - 特許庁

The insulation coating has a first insulation layer made of a first element-group comprising at least P and O, and made of second elements capable of generating cations having two or more valences whose six-coordination ion radiuses defined by Shannon are not smaller than 0.073 nm, and has a second insulation layer made of a silicone resin wherewith the first insulation layer is coated.例文帳に追加

本発明の絶縁被膜は、少なくともＰおよびＯからなる第１元素群とシャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じ得る第２元素とからなる第１絶縁層と、この第１絶縁層を被覆するシリコーン樹脂からなる第２絶縁層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The waveguide is characterized in that the lower and the upper clad layer are formed by the heat treatment of 800-1,000°C, that the sum of the weight concentrations of P and B elements added into the film is in the range of 8.8-15 wt%, and that the deviation of a transmitting center wavelength dependent on the polarization of the array waveguide grid device is ≤0.03 nm.例文帳に追加

下部及び上部クラッド層はび８００〜１０００℃以下の熱処理によって形成され、膜中に添加されているＰ元素とＢ元素の重量濃度の和は８．８ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の範囲であり、アレー導波路格子デバイスの偏光に依存する透過中心波長のずれが０．０３ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁