「nm p」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The light source 2 irradiates plants P with UV-B having wavelength components of approximately 280 to 340 nm, UV-C comprising wavelength components of approximately 100 to 280 nm from which wavelength components of ≤255 nm are cut, and visible light having a peak in wavelength components having a wavelength distribution of approximately 460 to 550 nm in at least a superimposed state.例文帳に追加

光源２は、略２８０〜３４０ｎｍの波長成分を有するＵＶ−Ｂと、略１００〜２８０ｎｍの波長成分のうちの略２５５ｎｍ以下の波長成分がカットされたＵＶ−Ｃと、略波長分布４６０〜５５０ｎｍの波長成分の中にピークを有する可視光とを少なくとも重畳して植物Ｐに照射する。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The galvannealed steel sheet has a flat part on the surface of an iron-zinc alloy plating layer; a Zn oxide layer of ≥10 nm thickness is formed on the surface of the flat part; and P is contained in the oxide layer.例文帳に追加

鉄−亜鉛合金めっき層の表面に平坦部を有し、その平坦部の表層に厚さが10nm以上のZnの酸化物層が形成され、該酸化物層にPを含有する合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

An InGaAlAs layer 201 is introduced by about 30 nm between an upper side guide layer 104 of undoped InGaAsP and a p-type InP clad layer 105.例文帳に追加

アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層１０４とｐ型ＩｎＰクラッド層１０５との間に、ＩｎＧａＡｌＡｓ層２０１を３０ｎｍ程度導入する。 - 特許庁

To provide a technology for forming a shallow p-n junction of a depth, from the surface of a semiconductor substrate which is 10 nm or less, without decreasing the throughput.例文帳に追加

スループットを低下させずに、半導体基板の表面からの深さが１０ｎｍ以下の浅いｐｎ接合を形成することのできる技術を提供する。 - 特許庁

A p-type AlGaInP second upper cladding layer 28 of the 780 nm wavelength band laser 12 is etched to an ESL layer 26 to form ridge waveguides 32.例文帳に追加

７８０ｎｍ帯波長レーザ１２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２８はＥＳＬ層２６までエッチングされてリッジ導波路３２が形成されている。 - 特許庁

The average particle size of the p-type organic semiconductor nanoparticle 1 and that of the n-type organic semiconductor nanoparticle 2 are each preferably 10-100 nm.例文帳に追加

ｐ型有機半導体ナノ粒子１、及びｎ型有機半導体ナノ粒子２の平均粒子径は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下とすることが好ましい。 - 特許庁

Since the p-methylcalix [7] arene has about 1 nm molecular size and low molecular symmetry, pattern roughness which occurs in the formation of a fine pattern of ≤100 nm can be reduced to a very low level.例文帳に追加

ｐ−メチルカリックス［７］アレーンは分子の大きさが１ｎｍ程度であり、しかも分子の対称性が低いため、１００ｎｍ以下の微細パターン形成時に生成されるパターンラフネスを極めて低いレベルまで低減することが可能となる。 - 特許庁

The transparent organic thin-film transistor is constituted by using a p-type organic semiconductor material in a semiconductor active layer, in which the maximum absorbance in the range of 400 to 700 nm, which is visible region, is 0.2 or less, when the thickness of a thin film is made to be 30 nm.例文帳に追加

半導体活性層に、膜厚３０ｎｍの薄膜としたときに可視域である４００〜７００ｎｍの範囲の最大吸光度が０．２以下であるｐ型有機半導体材料を用いた透明有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

A gain combination DFB laser 20 is a laser of oscillation wavelength of about 1,550 nm, and comprises, on an n-InP substrate 1, an n-InP buffer layer 2, active layer 3, p-InP spacer layer 4, p-InP upper-part clad layer 6, and p-GaInAs contact layer 7.例文帳に追加

本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。 - 特許庁

As the optical filter 11 has characteristics to cut all the light on the infrared side from a threshold wavelength larger than 805 nm and smaller than 815 nm, heat rays on the infrared side including wavelengths around 825 nm, which is substantially the first peak P of the radiation intensity of a xenon lamp 10, can be securely eliminated.例文帳に追加

光学フィルター１１が、８０５ｎｍより大きく８１５ｎｍより小さい波長である閾値よりも赤外側の光を全てカットする特性のため、キセノンランプ１０の放射強度の実質的に最初のピークＰとなる８２５ｎｍ付近を含む赤外側の熱線を確実に除去することができる。 - 特許庁

Furthermore, a p-type impurity concentration (cm^-3) is regulated in a range of 1.4×10^17-1.4×10^18, and a distance (nm) from the quantum well layer 6 to a p-type impurity doping layer is adjusted in a range of 100-350.例文帳に追加

また、ｐ型不純物濃度（ｃｍ^−３）を１．４×１０^１７以上１．４×１０^１８以下の範囲、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を１００以上３５０以下の範囲で適宜調整する。 - 特許庁

In the SiC single crystal base material that the semiconductor film is synthesized in the gaseous phase, and epitaxial growth is performed on the surface of the same, the P-V of irregularities having a wavelength of 200 nm or less present on the surface is set at 2 nm or less.例文帳に追加

表面に、半導体膜が気相から合成されてエピタキシャル成長させられていくＳｉＣ単結晶基材において、表面に存在している２００ｎｍ以下の波長を有する凹凸のＰ−Ｖを２ｎｍ以下に設定する。 - 特許庁

In a semiconductor LD epitaxial structure 1 constituted by laminating thin film crystals of multi layers containing an N cladding layer 4, an active layer 5 and a P cladding layer 6 on a substrate 2, a thin film of the N cladding layer 4 is carried out in 500 nm or more, 1,000 nm or less.例文帳に追加

基板２上に、Ｎクラッド層４、活性層５、Ｐクラッド層６を含む多層の薄膜結晶を積層した半導体ＬＤエピ構造１において、Ｎクラッド層４を５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ未満に薄膜化したものである。 - 特許庁

The transparent ink tank having the roughness of an inner wall surface Ra=520 nm and the maximum height difference P-V=5050 nm is obtained by extrusion molding under a condition that block type propylene resin is heated to 230°C and, thereafter, the extrusion molding is effected under a condition that a melt index is 1 and water cooling temperature is 25°C.例文帳に追加

ブロック状のポリプロピレン樹脂を２３０℃に加熱した後、メルトインデックス１、水冷温度２５℃の条件で押し出し成型により、内壁面粗さＲａ＝５２０ｎｍ、最大高低差Ｐ−Ｖ＝５０５０ｎｍの透明性のインキタンクを得る。 - 特許庁

Moreover, an exchange bias magnetic field Hua is made to be more enhanced by forming a capping film C which is made from titanium(Ti) on the antiferromagnetic film 17a5 of the fixed layer P and by making the thickness of the film C to be 1.8 nm to 3.5 nm.例文帳に追加

また、前記固着層Ｐの反強磁性膜１７ａ５の上に、チタン（Ｔｉ）からなるキャッピング膜Ｃを形成するとともに同キャッピング膜Ｃの厚さを１．８ｎｍから３．５ｎｍとすることにより、交換バイアス磁界Ｈｕａを一層向上した。 - 特許庁

An MgXZn1-XO thin film (0≤X<1) containing p-type impurities is formed so that a surface in a crystal-growing direction may satisfy one of root mean square roughness (RMS)≤10 nm and maximum width (PV) of roughness≤100 nm.例文帳に追加

ｐ型不純物を含むＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ薄膜（０≦Ｘ＜１）の結晶成長方向表面が、二乗平均粗さ（ＲＭＳ）≦１０ｎｍ、又は、粗さの最大幅（ＰＶ）≦１００ｎｍのいずれか一方を満たしているように作製する。 - 特許庁

Then a maximum value of nitrogen atom concentration in a region which is ≤10 nm away from an interface between the p-type layer 4 and oxide layer 8 is ≥1×10^21 cm^-3.例文帳に追加

そして、ｐ型層４と酸化膜８との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値は１×１０^２１ｃｍ^−３以上となっている。 - 特許庁

Consequently, a high-density high-temperature plasma P by the discharge gas is generated between the main discharge electrodes 3a and 3b, and EUV rays having a wavelength of 13.5 nm are emitted from the plasma.例文帳に追加

これにより、主放電電極３ａ，３ｂ間に放電ガスによる高密度高温プラズマＰを発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。 - 特許庁

The undoped AlGaN layer 16 is disposed more towards the active layer 14 side than the p-type AlGaN layer 17 and formed to have a thickness of 2 nm or less.例文帳に追加

そして、アンドープＡｌＧａＮ層１６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層１７より活性層１４側に配されているとともに、２ｎｍ以下の厚みに形成されている。 - 特許庁

An undoped AlGaN layer of 10 nm or thicker having a band gap equal to or larger than that of a p-AlGaN clad layer is inserted between the clad layer and an active layer.例文帳に追加

活性層とｐ−ＡｌＧａＮクラッド層の間に、クラッド層とバンドギャップが同じかより大きいアンドープのＡｌＧａＮ層を１０ｎｍ以上の厚みで挿入する。 - 特許庁

The DFB laser element 52 has the laminated structure of an MQW-SCH layer, a p-InP spacer layer, a diffraction grating whose period is about 240 nm, and a p-InP buried layer for the diffraction grating on the surface of an n-In substrate.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子５２は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層、ＭＱＷ−ＳＣＨ層、ｐ−ＩｎＰスペーサー層、周期が約２４０ｎｍの回折格子、及び回折格子のｐ−ＩｎＰ埋め込み層の積層構造を有する。 - 特許庁

A semiconductor device of an embodiment includes: a p-type nitride semiconductor layer; a polycrystalline nickel oxide layer formed on the p-type nitride semiconductor layer and having a thickness of 3 nm or less; and a metal layer formed on the nickel oxide layer.例文帳に追加

実施の形態によれば、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成され、膜厚が３ｎｍ以下で多結晶質のニッケル酸化物層と、ニッケル酸化物層上に形成される金属層と、を有する半導体素子である。 - 特許庁

Since optical filter 18 has characteristics for cutting a whole of light on an outer side of infrared rays beyond a threshold of wavelengths longer than 805 nm and shorter than 815 nm, in a xenon lamp used generally as a light source, the heat ray on a side including around 825 nm which becomes substantially a first peak P of a radiation intensity can be surely removed.例文帳に追加

光学フィルター１８が、８０５ｎｍより大きく８１５ｎｍより小さい波長である閾値よりも赤外側の光を全てカットする特性のため、光源として広く使用されているキセノンランプの放射強度の実質的に最初のピークＰとなる８２５ｎｍ付近を含む赤外側の熱線を確実に除去することができる。 - 特許庁

Since the optical filter 19 has characteristics to cut all the light on the infrared side from a threshold wavelength larger than 805 nm and smaller than 815 nm, heat rays on the infrared side including wavelengths around 825 nm, which is substantially the first peak P of the radiation intensity of a xenon lamp widely used as a light source, can be securely eliminated.例文帳に追加

光学フィルター１９が、８０５ｎｍより大きく８１５ｎｍより小さい波長である閾値よりも赤外側の光を全てカットする特性のため、光源として広く使用されているキセノンランプの放射強度の実質的に最初のピークＰとなる８２５ｎｍ付近を含む赤外側の熱線を確実に除去することができる。 - 特許庁

The material comprises fluorinated apatite obtained by preparing a neutral aqueous solution at 30 to 100°C in which P and Ca are mixed and then F is supplied thereto, and precipitating crystals having a grain size of not more than 100 nm.例文帳に追加

ＰとＣａを混合し、その後、Ｆを投下した３０〜１００℃の中性水溶液から粒度１００ｎｍ以下の結晶として析出させたフッ化アパタイトで構成される。 - 特許庁

The stacked structure comprises an AlGaInP-based compound semiconductor material, and the p-type clad layer 6 in the stacked structure has a thickness of 600 to 800 nm.例文帳に追加

この積層構造部は、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体材料により構成され、この積層構造部のうちｐ型クラッド層６は、６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の厚さを有する。 - 特許庁

This tantalum oxide mesoporous fine particle has an average particle diameter of 100 nm or smaller, and in its nitrogen adsorption isotherm, the amount of nitrogen adsorbed when the relative pressure P/P_0 is 0.99 is 1.4 time or more relative to the amount of nitrogen adsorbed when the relative pressure P/P_0 is 0.90.例文帳に追加

平均粒子径が１００ｎｍ以下であり、窒素吸着等温線において相対圧Ｐ／Ｐ_０が０．９９の場合の窒素吸着量がＰ／Ｐ_０が０．９０の場合の１．４倍以上であることを特徴とする酸化タンタルメソ多孔体微粒子。 - 特許庁

The nitride based semiconductor light emitting diode element is provided with a p-type ohmic electrode 6 comprising an Al film 6a having a thickness of about 1.0 nm formed to touch a p-type GaN layer 4, and an Ag film 6b formed on the Al film 6a.例文帳に追加

この窒化物系半導体発光ダイオード素子は、ｐ型ＧａＮ層４に接触するように形成され、約１．０ｎｍの厚みを有するＡｌ膜６ａと、Ａｌ膜６ａ上に形成されたＡｇ膜６ｂとを含むｐ側オーミック電極６を備えている。 - 特許庁

To provide a converter-type method of dephosphorizing molten iron having little scattering loss of CaO powder blown up even when up-blowing oxygen flow is increased to 2.0-5.0 Nm^3/min/molten iron t, and reducing [%P] in post-treatment molten iron to 0.015 mass% or lower while suppressing free CaO in the post-process slag.例文帳に追加

上吹き酸素流量を2.0〜5.0Nm^3/min/溶銑tに増加しても上吹きされるCaO粉体の飛散ロスが少なく,処理後スラグ中遊離CaOを抑制しつつ,処理後溶銑中[%P]を0.015質量%以下にまで低減する溶銑の転炉型脱燐方法を提供する。 - 特許庁

A first passivation film 8 having a thickness of 100 nm or smaller is formed on both side walls of a ridge portion 5A formed on a portion of a second p-type cladding layer 5, and flat portions (the top face of the second p-type cladding layer 5) on both sides of the ridge portion 5A.例文帳に追加

ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor film 5 having a flat main surface (having an RMS value less than 10 nm as a surface roughness and a P-V value less than 70 nm) is formed by crystallizing a silicon film 3 containing (several % of or preferably 0.1-10 atoms of) germanium and irradiating the film with a laser beam.例文帳に追加

ゲルマニウム（数％、好ましくは０．１〜１０原子）を含むシリコン膜３を結晶化させてレーザー光を照射することによって、平坦な主表面（表面粗さとしてｒｍｓが１０ｎｍ未満、且つ、Ｐ−Ｖ値が７０ｎｍ未満）を有する半導体膜５を形成する。 - 特許庁

The polarization separation film 3 shows 0 to 10% transmittance for S polarized light at 685 nm wavelength λ, 60 to 80% transmittance for P polarized light, and 300°±16° reflection phase difference at 685 nm wavelength λ at 44° to 46° incident angle.例文帳に追加

偏光分離膜３は、４５°の入射光に対し、波長λ＝６８５ｎｍにおけるＳ偏光の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透過率が６０〜８０％であり、波長λ＝６８５ｎｍの反射位相差が入射角４４〜４６°に対し３００°±１６°である光学特性を有している。 - 特許庁

A first additional barrier layer of ZnMgSe having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the p-type clad layer so as to prevent an overflow of electrons, and a second additional barrier layer having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the n-type clad layer so as to prevent the overflow of holes.例文帳に追加

活性層とｐ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＭｇＳｅ第１追加障壁層を追加して電子オーバーフローを防ぎ、活性層とｎ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＳＳｅ第２追加障壁層を追加して正孔オーバーフローを防ぐ。 - 特許庁

The transmission loss P when dried and a transmission loss difference L between at the time of saturation water absorption and when dried are in a wavelength region that satisfies at least one of 0≤L/P1≤1, 0<L≤100, and 0<L+P1≤200 in the wavelength regions of 500 to 720 nm and 785 to 810 nm.例文帳に追加

乾燥時の伝送損失Ｐと、飽和吸水時と乾燥時との伝送損失の差Ｌとが、５００〜７２０ｎｍ、７８５〜８１０ｎｍの波長領域では０≦Ｌ／Ｐ１≦１、０＜Ｌ≦１００、０＜Ｌ＋Ｐ１≦２００の少なくともいずれかひとつをみたす波長領域となる。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 54, GalnAsP group MQW56 of light- emission wavelength, 1,550 nm, p-InP upper-part clad layer 58, p-GalnAs intermediate layer 60, and p-AllnAs oxidized layer 62 are epitaxial-grown sequentially on an n-InP substrate 52 by through MOCVD method, etc., forming a laminated structure.例文帳に追加

本作製方法は、ｎ−ＩｎＰ基板５２上に、ＭＯＣＶＤ法等によって、ｎ−ＩｎＰバッファー層５４、発光波長１５５０ｎｍのＧａｌｎＡｓＰ系ＭＱＷ５６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層５８、ｐ−ＧａｌｎＡｓ中間層６０、及びｐ−ＡｌｌｎＡｓ被酸化層６２を、順次、エピタキシャル成長させて、積層構造を形成する。 - 特許庁

Since the light-transmitting electrode 20 is formed by adding the niobium by 3% to the titanium oxide, the refractive index to the wavelength of 470 nm is almost equal to that of the p-contact layer 15, and total reflection at an interface between the p-contact layer 15 and the light-transmitting electrode 20 can be avoided mostly.例文帳に追加

透光性電極２０は、酸化チタンに３％のニオブを添加して形成したので、波長４７０ｎｍに対する屈折率がｐコンタクト層１５とほぼ同等となり、ｐコンタクト層１５と透光性電極２０との界面での全反射がほぼ回避できる。 - 特許庁

Ni-P alloy plating 16 in which a P content is 6.80-8.50 mass%, a surface roughness Rz is ≤4.6 μm, and preferably a thickness of an oxide layer on a surface thereof is ≤10 nm, is formed on a surface of a metal plate 12 joined to a ceramic substrate 10.例文帳に追加

セラミックス基板１０に接合した金属板１２の表面に、Ｐ含有量が６．８０〜８．５０質量％であるとともに表面粗さＲｚが４．６μｍ以下であり、好ましくは表面の酸化物層の厚さが１０ｎｍ以下のＮｉ−Ｐ合金めっき１６を形成する。 - 特許庁

Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.例文帳に追加

その後、ｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５の上にカーボンキャップ１７を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ１７を除去してから、ＣＭＰにより基板の最表面を、平均表面粗さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ程度まで研磨する。 - 特許庁

In a group III nitride compound semiconductor light emitting element 100, a sapphire substrate 10, a buffer layer comprising an aluminum nitride (AlN) not shown in a figure, an n-contact layer 11, an n-cladding layer 12, a multiple quantum well layer 13 having a light emitting wavelength of 470 nm, a p-cladding layer 14 and a p-contact layer 15 are formed.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。 - 特許庁

An SiNx film is formed on its surface in a thickness of about 100 nm by a P-CVD method, and a periodically striped mask is formed so that a ratio of area of opening portion/mask portion is 1:5.例文帳に追加

その表面にＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＮｘ膜を約１００ｎｍ製膜し、開口部とマスク部の面積比がそれぞれ１：５になるように周期的なストライプ状のマスクを形成した。 - 特許庁

An n-contact electrode 31 is formed through deposition and lift-off, and a p-contact electrode 21 made of a silver alloy layer, having a film thickness 400 nm and containing Pd and Cu, is formed by sputtering and lift-off.例文帳に追加

蒸着とリフトオフによりｎコンタクト電極３１を形成し、スパッタリングとリフトオフによりＰｄとＣｕを含む膜厚４００ｎｍの銀合金層から成るｐコンタクト電極２１を形成した。 - 特許庁

the multilayer semiconductor sample 31 is irradiated with UV-rays 30a having a wavelength in a range of 200-350 nm for one hour in the atmosphere at the room temperature and then heat-treated at 700°C for 30 min thus activating the p-type impurities.例文帳に追加

この半導体積層試料31に対して、大気中、室温にて波長200nm〜350nmの紫外線30ａを１時間照射し、その後700℃で30分加熱処理することによりｐ型不純物を活性化させる。 - 特許庁

In addition, one impurity 106 is introduced into a region within 30 nm from the surface of the semiconductor layer 101 between the p-type region 102 and the n-type region 103.例文帳に追加

加えて、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挟まれた半導体層１０１の表面より３０ｎｍ以内の領域に導入された１個の不純物１０６を備えている。 - 特許庁

The antireflection fine structure comprises, for example, a great number of conical fine projections 1 having a bottom diameter D of 50 to 380 nm and an aspect ratio (H/D) of 1 to 10 arranged in a pitch P of 50 to 380 nm, wherein the contact angle of the surfaces of the fine projections 1 with water is controlled to <90°.例文帳に追加

例えば、底面径Ｄが５０〜３８０ｎｍであって、アスペクト比（Ｈ／Ｄ）が１〜１０の無数の円錐状微細突起１が５０〜３８０ｎｍのピッチＰで配置されて成る反射防止微細構造において、上記微細突起１の表面における水滴に対する接触角が９０°未満となるようにする。 - 特許庁