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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英語表現辞典 > no breakdownの意味・解説 

no breakdownとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 異常なきこと


Weblio英語表現辞典での「no breakdown」の意味

no breakdown


「no breakdown」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 108



例文

There is no breakdown.例文帳に追加

故障はありません。 - Weblio Email例文集

To obtain a reverse breakdown voltage waveform having no recess.例文帳に追加

凹み現象のない逆方向耐電圧波形を得ること。 - 特許庁

This makes it possible to implement the active element in which no breakdown is generated by the secondary breakdown even if current is concentrated in the unit element.例文帳に追加

これにより、単位素子に電流が集中した場合であっても二次降伏による破壊が発生しない能動素子を実現できる。 - 特許庁

To provide an IC transfer tray which causes no contact failure nor electrostatic breakdown in ICs.例文帳に追加

ICが接触不良や静電破壊などを起こすことのないIC搬送用トレイを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a breakdown-strength is improved with no on-resistance increased.例文帳に追加

オン抵抗を増大させることなく破壊耐量の向上が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a breakdown strength is improved with no on-resistance increased.例文帳に追加

オン抵抗を増大させることなく破壊耐量の向上が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

A DRAM chip 1 contains an input-output terminal 1c for testing having a circuit for coping with dielectric breakdown, another input-output terminal 1b for connecting supporting substrate having a circuit for coping with dielectric breakdown, and a third input-output terminal 1a having no circuit for coping with dielectric breakdown.例文帳に追加

DRAMチップ1は、静電破壊対策用回路を有する試験用の入出力端子1cと、静電破壊対策用回路を有する支持基板接続用の入出力端子1bと、入出力端子1bおよび1c以外の静電破壊対策用回路を有しない入出力端子1aとを含む。 - 特許庁

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「no breakdown」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 108



例文

To provide a method for reconstructing a spanning tree configuration and selecting a shortest route to restart communication by temporarily avoiding communication breakdown except when the circuit breakdown takes place even if a spanning tree is applied, and arbitrarily canceling the setting during the time period wherein no problem arises even when the communication breakdown occurs due to user's reasons.例文帳に追加

スパニングツリーを適応しても回線断以外の場合は通信断を一時的に回避し、また、ユーザ都合で通信断を伴っても問題ない時間帯に任意に設定を解除することにより、スパニングツリー構成を再構築し、最短ルートを選択して通信を再開する方式を提供する。 - 特許庁

To efficiently manufacture on the same semiconductor substrate a high breakdown voltage LOCOS offset transistor with a structure having no off leakage current by providing no LDD region and a regular low breakdown voltage transistor with a structure having no off leakage current by providing an LDD region.例文帳に追加

LDD領域を設けないでオフリーク電流をなくした構成の高耐圧のLOCOSオフセットトランジスタとLDD領域を設けてオフリーク電流をなくした構成の通常の低耐圧トランジスタを同一半導体基板上に効率的に製造すること。 - 特許庁

Then, the control part decides that "there is no breakdown of data management information" when the three pieces of data management information agree and detects "the breakdown of data management information", when they do not agree.例文帳に追加

そして、制御部は、3つのデータ管理情報が一致している場合は「データ管理情報の破壊はない」と判定し、それらが一致していない場合は「データ管理情報の破壊」を検知する。 - 特許庁

To provide a high breakdown-strength semiconductor element where fine working and high-integration are allowed, while higher breakdown-strength is made possible with no thicker protective film for the flat part of a P-N junction part.例文帳に追加

PN接合部の平坦部分の保護膜を厚くすることなく、高耐圧化することができ、且つ微細加工や高集積化が可能な高耐圧半導体素子を提供する。 - 特許庁

A breakdown voltage at OFF is increased in the p-type layer buffer, a breakdown voltage at ON is increased by discharging the hole, the reduction in a drain current is eliminated since there is no leakage from the p-type layer, and high output can be achieved in the points of both current and voltage.例文帳に追加

p型層バッファでOFF時の耐圧を上げ、ホールの排出でON時の耐圧を上げ、p型層からのリークがないのでドレイン電流の低下が無く、電流面、電圧面の両者で高出力化が実現できる。 - 特許庁

To provide an output circuit capable of realizing output amplitude exceeding breakdown strength with no illegal breakdown strength without making a process complicated nor bringing about the increase of power consumption and performance deterioration.例文帳に追加

プロセスを複雑にすることなく、また消費電力の増加や性能の劣化を引き起こさずに、耐圧を越える出力振幅を耐圧違反せずに実現できる出力回路およびそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Also very low frequency voltage with average voltage field of 6 kV/mm to 17 kV/mm is charged for 10 to 100 minutes to test breakdown and no life expectancy for 1 to 10 years is judged for the breakdown cable and the existence of life expectancy of 1 to 10 years and no lowering of AC remaining performance after the withstand voltage test are judged for no breakdown cables.例文帳に追加

また、平均電界が6kV/mm〜17kV/mmとなる超低周波電圧を、10分〜100分課電して、絶縁破壊の有無を調べ、絶縁破壊したケーブルについて、1年から10年の余寿命が無かったと判定し、絶縁破壊しなかったケーブルについては、1年から10年の余寿命があり、かつ耐圧討験前後でAC残存性能が低下していないと判定する。 - 特許庁

例文

Very low frequency voltage with average voltage field of 5 kV/mm to 20 kV/mm is charged to a cable degraded by water tree for 10 to 100 minutes to test breakdown and generation of harmful water tree is judged for the breakdown cable and no harmful water tree and no lowering of AC remaining performance are judged by the test for no breakdown cables.例文帳に追加

平均電界が5kV/mm〜20kV/mmの超低周波電圧を水トリー劣化したケーブルに10分〜100分課電して、絶縁破壊の有無を調べ、絶縁破壊したケーブルについて有害水トリーが発生したものと判定し、絶縁破壊しなかったケーブルについて、有害水トリーが存在せず試験によりAC残存性能が低下していないと判定する。 - 特許庁

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