no breakdownとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device that suppresses accumulation of electric charge which is small in amount enough to cause no dielectric breakdown.例文帳に追加

絶縁破壊に至らない微量の電荷の蓄積を抑制した半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Even if insulation breakdown in the coating thickness direction of the cylindrical insulator 10 should occur, no permanent grounding accident occurs.例文帳に追加

仮に筒状絶縁体１０の肉厚方向の絶縁破壊が生じても、永久地絡事故に至ることがない。 - 特許庁

To efficiently manufacture on the same semiconductor substrate a high breakdown voltage LOCOS offset transistor with a structure having no off leakage current by providing no LDD region and a regular low breakdown voltage transistor with a structure having no off leakage current by providing an LDD region.例文帳に追加

ＬＤＤ領域を設けないでオフリーク電流をなくした構成の高耐圧のＬＯＣＯＳオフセットトランジスタとＬＤＤ領域を設けてオフリーク電流をなくした構成の通常の低耐圧トランジスタを同一半導体基板上に効率的に製造すること。 - 特許庁

To provide a high breakdown-strength semiconductor element where fine working and high-integration are allowed, while higher breakdown-strength is made possible with no thicker protective film for the flat part of a P-N junction part.例文帳に追加

ＰＮ接合部の平坦部分の保護膜を厚くすることなく、高耐圧化することができ、且つ微細加工や高集積化が可能な高耐圧半導体素子を提供する。 - 特許庁

To obtain an end-face protective film having a small light absorption even in high-power operation and causing no optical breakdown.例文帳に追加

高出力動作時においても光吸収が少なく、光学破壊を起こさない端面保護膜を得られるようにする。 - 特許庁

Therefore, there will be no occurrence of dielectric breakdown caused by the hot gas between the fixed contact 1 and the movable contact 3.例文帳に追加

このため、ホットガスによる固定接触子と可動接触子との間の絶縁破壊が発生することがなくなる。 - 特許庁

To provide a method causing no breakdown of data when transmitting binary data such as a firmware command by a printing data channel.例文帳に追加

ファームウェア命令などの２進データが印刷データチャネルで送信される場合データを破壊しない方法を提供する。 - 特許庁

Very low frequency voltage with average voltage field of 5 kV/mm to 20 kV/mm is charged to a cable degraded by water tree for 10 to 100 minutes to test breakdown and generation of harmful water tree is judged for the breakdown cable and no harmful water tree and no lowering of AC remaining performance are judged by the test for no breakdown cables.例文帳に追加

平均電界が５ｋＶ／ｍｍ〜２０ｋＶ／ｍｍの超低周波電圧を水トリー劣化したケーブルに１０分〜１００分課電して、絶縁破壊の有無を調べ、絶縁破壊したケーブルについて有害水トリーが発生したものと判定し、絶縁破壊しなかったケーブルについて、有害水トリーが存在せず試験によりＡＣ残存性能が低下していないと判定する。 - 特許庁