optical absorption edgeとは 意味・読み方・使い方

PROCESS AND DEVICE FOR INCREASING LIGHT TRANSMISSION OF OPTICAL ELEMENT FOR LIGHT OF WAVELENGTH CLOSE TO ABSORPTION EDGE例文帳に追加

吸収縁域に近い波長に対しての光学素子の光透過性を増大するための装置及び方法 - 特許庁

The light transmission of the optical element for light of a fixed wavelength that is close to the absorption edge of the material constituting the optical element is increased by cooling the optical element.例文帳に追加

光学素子を冷却することにより、光学素子構成材料の吸収縁域に近い一定波長光に対する光学素子の光透過能を増加させる。 - 特許庁

To provide a colored optical glass with absorption edges ranging from >0.4 μm to 1.2 μm having characteristic as a sharp edge filter.例文帳に追加

＞０．４μｍ〜１．２μｍまでの吸収端を備えてシャープエッジフィルタとしての特性を持つ光学色ガラスを提供する。 - 特許庁

The aluminum oxide-gallium oxide solid solution has an optical absorption edge wavelength of not less than 230 nm and less than 255 nm.例文帳に追加

２３０ｎｍ以上２５５ｎｍ未満の光吸収端波長を有することを特徴とする酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体。 - 特許庁

To provide a process and a device for increasing the light transmission of an optical element for light of a fixed wavelength that is close to the absorption edge of the material constituting the optical element.例文帳に追加

光学素子を構成する材料の吸収縁域に近い一定波長光に対する光学素子の光透過性を増大させる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical sharp edge filter containing no cadmium which has excellent cutoff characteristics in a short-wavelength region and further high transmittance in a long-wavelength region, of which the wavelength position of the absorption edge is adjustable over a wide wavelength region and which is environment-friendly and is simply manufactured.例文帳に追加

短波長領域で良好な遮断特性、及び長波長領域でさらに高い透過率を有し、その吸収端の波長位置が広い波長領域にわたって調整可能であり、環境に優しくかつ簡単に製造できるような、カドミウム不含光学的シャープエッジフィルタを提供する。 - 特許庁

In forming a miniaturized fine contact, a TiN film 109 is formed inside the contact hole into which contact wiring such as a W film 108 is to be filled, and while heating at 600°C or lower, heat treatment is carried out, by irradiating the film with a light having a main emission wavelength shorter than the optical absorption edge, in a short time of 10 msec or shorter.例文帳に追加

微細コンタクト形成時、Ｗ膜１０８などのコンタクト配線が埋め込まれるコンタクト孔内部にＳｉＮ膜１０９を成膜し、６００℃以下の温度で加熱しながら１０ｍｓｅｃ以下の短時間でシリコンの光の吸収端よりも短波長側に主たる発光波長を有する光で加熱処理を行う。 - 特許庁