光吸収端の英語

光吸収板４は、光吸収板４の光源２側の端部４ａから光吸収板４の光源２側とは反対側の端部４ｂに向かう方向Ｄ１に沿って光吸収率が高くなるように形成されている。例文帳に追加

The light absorbing plate 4 is formed so that the light absorptivity increases in a direction D1 from the end 4a of the light absorbing plate 4 on the side of the light source 2 to the end part 4b of the light absorbing plate 4 on the opposite side from the side of the light source 2. - 特許庁

一連の電子分光像は、(吸収)端より低いエネルギー損失および(吸収)端を超えたエネルギー損失にわたっている。例文帳に追加

A series of electron-spectroscopic images covers energy losses below and beyond the edge.発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

パッケージ内に発光素子４の発光波長よりも長い光吸収端をもつ半導体材料からなる光吸収部材２０を配し、パッケージ内の迷光を吸収させる。例文帳に追加

In the package, a light absorbing member 20 made of a semiconductor material having a light absorption end longer than the light emission wavelength of the light emitting element 4 is disposed to absorb stray light in the package. - 特許庁

光通信用光吸収膜と、これを用いた光固定減衰器および光終端器例文帳に追加

LIGHT ABSORBING FILM FOR OPTICAL COMMUNICATION, AND OPTICAL FIXING ATTENUATOR AND OPTICAL TERMINATOR USING THE SAME - 特許庁

中央部吸収部材２７５及び端部吸収部材２７６は、クリーニングブレード２７１より感光体２の回転方向上流で回転しながら、感光体２の表面に残留する現像剤を吸収する。例文帳に追加

The center part absorption member 275 and the edge part absorption member 276 absorb the developer remaining on the surface of the photoreceptor 2 while rotating in an upstream of the rotational direction of the photoreceptor 2 from a cleaning blade 271. - 特許庁

真性半導体層１６による光の吸収領域についての受光端面２０からの深さ方向への増大を図るべく、吸収層の吸収係数を制御するために前記真性半導体層１６がInGaAsPから成る。例文帳に追加

The intrinsic semiconductor 16 is made of InGaAsP in order to control the absorption coefficient of the absorption layer, for the purpose of increasing a light- absorption region in the intrinsic semiconductor layer 16 in the depth direction from a photo-detecting edge 20. - 特許庁

又、プロキシミティーＸ線露光において、レジストに吸収されるＸ線スペクトルのピーク強度の８０％以上の波長範囲に吸収端を持たない元素が吸収材を構成する主要な元素であることを特徴とする。例文帳に追加

In the proximity X-ray exposure, a main element forming the absorber has no absorption edge in a wavelength range where the peak intensity of an X ray spectrum absorbed in a resist is 80% or higher. - 特許庁

可飽和吸収体の例としては、（１）光源になる半導体レーザの一部に非通電領域を設け、この非通電領域を可飽和吸収体にする、（２）半導体レーザの端面コーティング膜の一部に可飽和吸収特性を有する薄膜層を設け、この薄膜層を可飽和吸収体にする。例文帳に追加

As the sample of the saturable absorber, (1) a nonconductive area is provided at one part of the semiconductor laser being the light source and set as the saturable absorber, (2) a thin-film layer having the saturable absorption characteristic is provided at one part of the coating film of the end face of the semiconductor laser and made the saturable absorber. - 特許庁