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orbit interactionとは 意味・読み方・使い方
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「orbit interaction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
A localized magnetic orbit is expressed as the linear connection of a molecular orbit, and the localized magnetic orbit to be found is determined based on the largest overlapping condition evaluated between a reference orbit localized in an atomic orbit and the localized magnetic orbit, so that the magnetic interaction is calculated.例文帳に追加
局在化磁性軌道を分子軌道の線形結合として表し、原子軌道上に局在化した参照軌道とこの局在化磁性軌道との間で評価される最大重なり条件から、求めるべき局在化磁性軌道を決定し、これにより磁気的相互作用を算出する。 - 特許庁
One can analyze the spin-orbit interaction of the valence states of a material using EELS.発音を聞く 例文帳に追加
研究者は、EELSを使って物質の価電子状態のスピン-軌道相互作用を解析できる。 - 科学技術論文動詞集
On the other hand, a localized magnetic crystal orbit is expressed as the linear connection of a crystal orbit, and the localized magnetic crystal orbit to be found is determined based on the largest overlapping condition evaluated between the reference orbit localized on the atomic orbit and the localized magnetic crystal orbit, so that the magnetic interaction is calculated.例文帳に追加
また、局在化磁性結晶軌道を結晶軌道の線形結合として表し、原子軌道上に局在化した参照軌道とこの局在化磁性結晶軌道との間で評価される最大重なり条件から、求めるべき局在化磁性結晶軌道を決定し、これにより磁気的相互作用を算出する。 - 特許庁
The spin-orbit sum rule works excellently for the actinide 5f states, and this means that we now have an unambiguous probe for the 5f spin-orbit interaction.発音を聞く 例文帳に追加
スピン-軌道総和則はアクチニド5f状態に対して優れて働き、そして、このことは、われわれが今や5fスピン-軌道相互作用に対する確かなプローブを持つということを意味する。 - 科学技術論文動詞集
A semiconductor channel 2 is provided with a carrier injector 3 and a spin-orbit interaction space gradient generator 4, and a potential control unit 1 is also added to its configuration.例文帳に追加
半導体チャンネル2にキャリア注入部3とスピン軌道相互作用空間勾配生成部4が備わり、その構成に電位制御部1が備わる。 - 特許庁
We will show how electron energy-loss spectra recorded in a TEM may be used to investigate the spin-orbit interaction of the actinide 5f states.発音を聞く 例文帳に追加
われわれは、TEM装置で記録された電子エネルギー損失スペクトルが、どのようにアクチナイドの5f状態のスピン-軌道相互作用を調べるために使われるかを示す。 - 科学技術論文動詞集
The catalytic noble metal, by having the d- or f-orbit of the second component or by an interaction with a dangling bond existing in a boundary part between the first component and the second component, produces cohesion to be supported directly.例文帳に追加
触媒貴金属は、第二成分のdまたはf軌道を共有することにより、あるいは、第一成分と第二成分の境界部に存在するダングリングボンドとの相互作用により、結合力を発生し、直接担持可能となる。 - 特許庁
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「orbit interaction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
The light-emitting device which can convert energy from a triplet excitation state into light emission, is obtained by using an organic compound (polynuclear complex) with a molecular structure, which is easy to generate a mutual interaction of spin to orbit, as the light-emitting layer of the EL device, or a dopant.例文帳に追加
スピン−軌道相互作用を生じやすい分子構造を有した有機化合物(多核錯体)をEL素子の発光層もしくはドーパント色素として用いることにより三重項励起状態からのエネルギーを発光に変換しうる発光装置を得る。 - 特許庁
Due to the potential control unit 1, a carrier is injected to a carrier injector 3 by a carrier injection means such as ohmic contact, so as to cancel potential difference that is generated when electric field gradient is given by the spin-orbit interaction space gradient generator 4.例文帳に追加
この電位制御部1を備えることにより、オーミックコンタクトなどのキャリア注入手段によってキャリア注入部3にキャリアを注入し、スピン軌道相互作用空間勾配生成部4により電場勾配を与えたときに発生する電位差を打ち消す。 - 特許庁
To provide a spin transistor which can control the upward direction and the downward direction of a carrier spin by the interaction of the Rashba spin orbit and branching of a carrier passage, and which controls the size of a drain current by a gate electrode, by using a superconducting junction where the drain current flows, by depending on a spin polarization degree.例文帳に追加
Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。 - 特許庁
When a gate insulation layer 12 of different thickness is inserted in the y-axis direction, an effective gate voltage being applied to a two-dimensional electron gas channel 14 has a gradient in the spin filter 10, and spin orbit interaction of the two-dimensional electron gas channel 14 beneath a gate electrode 11 causes spatial gradient in the y-axis direction.例文帳に追加
スピンフィルタ10は、y軸方向に厚さの異なったゲート絶縁層12を挿入することにより、二次元電子ガスチャネル14にかかる有効なゲート電圧の勾配が生じるため、ゲート電極11の下にある二次元電子ガスチャネル14のスピン軌道相互作用はy軸方向に空間的に勾配を生じるようになっている。 - 特許庁
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