p-AlAsとは 意味・読み方・使い方

The multilayer film 25 consisting of the two p-type AlInAs layers and the one p-type AlAs layer is formed into the constitution of a multilayer film formed by making the p-type AlAs layer 25b interpose between the p-type AlInAs layers 25a.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層／ｐ−ＡｌＡｓ層の多層膜２５は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５ａの間にｐ−ＡｌＡｓ層２５ｂを介在させた多層膜の構成になっている。 - 特許庁

A p-type AlAs layer 165 which always gives a strain in a constant amount is inserted between a p-type clad layer 150 and a p-type heterobuffer layer 160.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１５０とｐ型ヘテロバッファ層１６０の間に、常に一定量の歪みを与えるｐ型ＡｌＡｓ層１６５を挿入する。 - 特許庁

A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁

Consequently, in the the first and second AlAs barrier layers 13b, 13c, a thermally excited current passing through the X point is suppressed, thereby improving the P/V ratio of the RTD 10.例文帳に追加

これにより、第１，第２のＡｌＡｓ障壁層１３ｂ，１３ｃにおいて、そのＸ点を流れる熱励起電流が抑制され、ＲＴＤ１０のＰ／Ｖ比を向上させることができる。 - 特許庁

Further, the laser device is provided with SCH-MQW 24, p-AlGaAs clad layer 26 and p-GaAs contact layer 28 of width for 2 μm provided along with the bottom surface (100) of the recessed part on the clad layer 26 along with the AlAs(N) layer and the AlN(As) layer.例文帳に追加

レーザ素子は、ＡｌＡｓ（Ｎ）層及びＡｌＮ（Ａｓ）層に沿って、更に、ＳＣＨ−ＭＱＷ２４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２６、及びクラッド層２６の凹部の底面（１００）面に沿って設けられた幅２μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層２８を備える。 - 特許庁

Also, an upper DBR mirror 4, a p-AlAs layer 6, an Al oxide layer 10 and a GaInNAs, a contact layer 5 consisting of a GaInNAs, and a mesa post consisting of an electrode 8 are formed on the upper surface of the layer 3.例文帳に追加

また、量子井戸活性層３の上面には、上部ＤＢＲミラー４、ｐ−ＡｌＡｓ層６、Ａｌ酸化層１０、ＧａＩｎＮＡｓからなるコンタクト層５および電極８からなるメサポストを形成する。 - 特許庁

The insulating layer 20 is formed by oxidizing Al of high concentration contained in an AlAs layer formed on a p-type contact layer 13 of the semiconductor light detecting element 10, and stuck on the semiconductor laser element 40 with the metal layer 30.例文帳に追加

絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 - 特許庁