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p-Channel Metal-Oxide Semiconductorとは 意味・読み方・使い方
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「p-Channel Metal-Oxide Semiconductor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
The memory cell MC includes P channel MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistors (TRs) 1 to 3.例文帳に追加
メモリセルＭＣは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１〜３を含む。 - 特許庁
Each switch (M1-M4) of the first switch group and the second switch group is constituted by a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加
第１スイッチ群および第２スイッチ群の各スイッチ（Ｍ１〜Ｍ４）は、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）で構成される。 - 特許庁
The semiconductor device 10 has a semiconductor substrate 12 on which a p-type channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 20 is formed.例文帳に追加
ｐ型チャネルＭＯＳＦＥＴ２０が形成されている半導体基板１２を有する半導体装置１０。 - 特許庁
Thus, the pMOS (P-channel metal oxide semiconductor) active region 6 of SOI and the nMOS (N-channel MOS) active region 8 of SOI can be electrically separated completely.例文帳に追加
これにより、ＳＯＩのｐＭＯＳ活性領域６と、ＳＯＩのｎＭＯＳ活性領域８とを電気的に完全に分離することができる。 - 特許庁
The capacitor element C_1 is formed by using a storage region of a p-channel metal insulator semiconductor field-effect transistor having a gate oxide film 9B thicker than the metal insulator semiconductor field-effect transistor of a logic section.例文帳に追加
論理部のＭＩＳＦＥＴよりも厚いゲート酸化膜９Ｂを有するｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの蓄積領域を利用して容量素子Ｃ_1を形成する。 - 特許庁
The shorting transistor which can be either a P-channel Metal Oxide Semiconductor (PMOS) device or an N-channel Metal Oxide Semiconductor (NMOS) device and can be controlled utilizing the same clock that enables the drive of the signals between which charge-sharing occurs.例文帳に追加
短絡トランジスタはＰチャネル金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）デバイスまたはＮチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）デバイスのいずれかであり、電荷共有が起きる間での信号の起動を可能にする同じクロックを利用して制御されることができる。 - 特許庁
This input stage is provided with a differential pair of P-channel metal oxide semiconductor field effect (PMOS) transistors(TRs) generating a differential output current signal.例文帳に追加
本入力段は、差動出力電流信号を生成するＰチャネル金属酸化物半導体電界効果（ＰＭＯＳ）トランジスタの差動対を備える。 - 特許庁
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「p-Channel Metal-Oxide Semiconductor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
A P channel MOS transistor 103 and an N channel MOS transistor 104 are respectively connected between the power terminal VDD of a CMOS (complimentary metal oxide semiconductor) inverter consisting of a P channel MOS transistor 101 and an N channel MOS transistor 102 and a ground terminal.例文帳に追加
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０１とＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０２とから構成されるＣＭＯＳインバータの電源端子ＶＤＤと接地端子との間に、それぞれＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０３及びＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０４を接続する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same solving the problem of prior art removing a liner nitride film of an element isolation film in a PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor) region.例文帳に追加
ＰＭＯＳ領域における素子分離膜のライナー窒化膜の除去を行う従来技術による問題を解決した半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an inverse level shift circuit at a low cost with excellent reliability without using a Pch-DMOS(P-channel Double diffusion Metal Oxide Semiconductor) transistor that is configured on the same semiconductor substrate as a level shift circuit.例文帳に追加
Ｐｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタを使用せず、かつ、レベルシフト回路と同一半導体基板上に構成することで低コストで信頼性に優れた逆レベルシフト回路を提供する。 - 特許庁
A PMOS(P-channel metal oxide semiconductor) transistor 30 is connected additionally between a node SAP1 being a control terminal of a sense amplifier 20A and a node SAP2, thereby offset is caused in the sense amplifier 20A.例文帳に追加
センスアンプ２０Ａの制御端子であるノードＳＡＰ１とノードＳＡＰ２の間に、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０を付加接続し、センスアンプ２０Ａにオフセットを発生させる。 - 特許庁
A p-type diffusion area 17 is formed in a part of a p well area 9 in which an NMOS (N-channel Metal-Oxide Semiconductor) transistor is formed and a GND power supply wire 16 is formed on the p-type diffusion area 17 so as to be electrically connected.例文帳に追加
ＮＭＯＳトランジスタが形成されるＰウェル領域９内の一部にはＰ型拡散領域１７が形成され、Ｐ型拡散領域１７上に電気的に接続してＧＮＤ用電源配線１６が形成される。 - 特許庁
An SiSnC channel layer 14 of a vertical MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is made into a p-type semiconductor by doping Al and includes Si_0.9Sn_0.1C mixed crystal made of SiC crystal doped with Sn.例文帳に追加
縦型のＭＯＳＦＥＴにおけるＳｉＳｎＣチャネル層１４が、Ａｌのドープによりｐ型半導体に構成されると共に、ＳｉＣ結晶にＳｎがドープされたＳｉ_0.9Ｓｎ_0.1Ｃ混晶を含んでいる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device having a proper threshold voltage even when a metal having a work function higher than a predetermined value is employed as a gate electrode for a P-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).例文帳に追加
本発明は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲート電極に所定値以上の仕事関数を有するメタルを用いた場合であっても、適正なしきい値電圧を有する半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
Depletion type p-channel MOS (metal oxide semiconductor) transistors 31-34 are formed in which sources are connected with input terminals 11, 12, 13, drains are connected with a ground line 24, and gates are connected with a power source line 25.例文帳に追加
入力端子１１，１２，１３に対してソースが、グランドライン２４に対してドレインが、電源ライン２５に対してゲートがそれぞれ接続されたデプレッション形のＰｃｈＭＯＳトランジスタ３１〜３４を設ける。 - 特許庁
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