peripheral plasmaとは 意味・読み方・使い方

Accordingly, an uneven distribution of active species of plasma near the peripheral end of the substrate is prevented.例文帳に追加

それによって基板の周端部付近におけるプラズマの活性種の分布の偏りを抑える。 - 特許庁

As a result, the temperature in the central part of the plasma is prevented from rising higher than in the peripheral part.例文帳に追加

これにより、プラズマの中央部の温度が周辺部に対して高くなることが防止される。 - 特許庁

To provide a plasma display filter which can efficiently cut near- infrared light emitted from a plasma display and prevent malfunction of peripheral devices.例文帳に追加

プラズマディスプレーからでる近赤外線光を効率よくカットでき、周辺機器の誤動作を防止できるプラズマディスプレー用フィルターを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that compensates a coil current varying as the coil current revolves on a coil to improve uniformity of generated plasma in a peripheral direction.例文帳に追加

コイル周回に伴い変化するコイル電流を補償し、生成されるプラズマの周方向の均一性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a plasma display unit, capable of suppressing the amount of heat generation from a PDP(plasma display panel) according to the peripheral ambient temperature and heat generation from a power source circuit part.例文帳に追加

周辺環境温度や電源回路部からの発熱に応じて、ＰＤＰからの発熱量を適切に抑制し得るプラズマディスプレイ装置を得る。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing method wherein leakage prevention structure is installed on the whole periphery of an outer peripheral part of a plasma head, in order to prevent microwave from leaking from a gap between the plasma head and a substrate to be treated to the outside of the equipment, and to provide microwave plasma processing equipment and its plasma head.例文帳に追加

プラズマヘッドと被処理基板との隙間から装置外へマイクロ波が漏洩しないようにプラズマヘッドの外周縁部にその全周にわたって漏洩防止構造体を設けたマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドを提供することを目的としている。 - 特許庁

To uniformly form a film by making plasma distribution flat by localizing the distribution of microwaves on a peripheral part.例文帳に追加

マイクロ波の分布を周辺部局在となるようにして、プラズマ分布を平坦にし成膜の均一化を図る - 特許庁

On the plasma treatment device comprising a plasma generating electrode 1 having a vertical part at a peripheral part and a base material supporting body 4 facing each other, the gap between the plasma generating electrode 1 and the base material supporting body 4 is made variable.例文帳に追加

周縁部に垂直部を持つプラズマ発生電極１と基材支持体４とが向かい合っているプラズマ処理装置において、プラズマ発生電極１と基材支持体４との間隔が変更可能である。 - 特許庁