plasma focus deviceとは 意味・読み方・使い方

Many cracks 155 occurred in the quartz member 151 for plasma treatment device used for a shield ring, focus ring, etc., after diamond grinding are removed by polishing the surface of the member 151 with abrasive grains having a grain size of #320-400.例文帳に追加

シールドリング，フォーカスリング等に用いられる，プラズマ処理装置用石英部材１５１に発生している，ダイアモンド研削後の多数のクラック１５５を，例えば粒度＃３２０〜４００の砥粒による表面加工を行って除去する。 - 特許庁

In manufacturing the focus ring used for the plasma device, this focus ring is manufactured by growing the single crystalline silicon, where the concentration of oxygen between lattices is 5×1017 atom/cm3 and not more than 1.5×1018 atoms/cm3, by Czochralski method, and processes that single crystalline silicon into annular form.例文帳に追加

および、プラズマ装置に用いられるシリコンフォーカスリングの製造方法において、チョクラルスキー法により格子間酸素濃度が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である単結晶シリコンを成長させ、該単結晶シリコンを円環状に加工し、シリコンフォーカスリングを製造するシリコンフォーカスリングの製造方法。 - 特許庁

In this case, the load for heating the focus ring substantially acts as the load to a high-frequency power source 28 in place of the load for plasma generation, and a matching device 32A is operated to put its load into an impedance matching in regard to the high-frequency power source 28.例文帳に追加

この場合、プラズマ生成用負荷に置き換わってフォーカスリング加熱用負荷が高周波電源２８に対して実質上の負荷となり、整合器３２Ａは高周波電源２８に対してその負荷をインピーダンス整合させるように動作する。 - 特許庁

To provide a material having small dispersion in electric conductivity and having stable electric conductivity in the material for a focus ring used in a semiconductor manufacturing apparatus for a process utilizing a plasma with a corrosive gas in the manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、腐食ガスのプラズマを用いる工程で使用される半導体製造装置に用いられるフォーカスリングについて、部材内の電気伝導率のばらつきが小さく、導電性の安定した部材を提供することにある。 - 特許庁

As the member for a semiconductor treatment device, a member composed of the porous sintered body can be arranged at at least one kind of an inner wall, a heat insulation material, a shower plate, a plasma trap, a dome, an electrode, a susceptor, a stage, a chuck, a focus ring, a lid, and a pipe.例文帳に追加

この本発明において、半導体処理装置用部材としては、内壁、断熱材、シャワープレート、プラズマトラップ、ドーム、電極、サセプタ、ステージ、チャック、フォーカスリング、リッド、および配管の少なくとも１種に、前記多孔質焼結体からなる部材を配置することできる。 - 特許庁

This focus ring for a plasma etching device is composed of a silicon-contained resin or a silicon-contained resin composite having a repetition unit represented by the following general formula (1), wherein R1, R2 are a hydrogen atom or a specific group and R3 is a specific group containing C≡C-) or a hardened material thereof.例文帳に追加

一般式（１） （式中、Ｒ^1、Ｒ^2は水素原子もしくは特定の基、Ｒ^3は−Ｃ≡Ｃ−を含む特定の基を表す。）で表される繰り返し単位を有する含ケイ素樹脂または含ケイ素樹脂組成物あるいはそれらの硬化物からなること特徴とするプラズマエッチング装置用フォーカスリング。 - 特許庁