polishing acidsとは 意味・読み方・使い方

The polishing method is a polishing method for a substrate in which the substrate is polished with polishing cloth while the CMP polishing liquid is supplied to between the substrate and polishing cloth, wherein the substrate is a substrate having a palladium layer, and the CMP polishing liquid contains the α-amino acid represented by formula (1), phosphoric acids, oxidizing agent, and abrasive grains.例文帳に追加

本発明の研磨方法は、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板が、パラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液が、下記一般式（１）で表されるα−アミノ酸、リン酸類、酸化剤及び砥粒を含有する。 - 特許庁

The polishing composition contains (a) alumina abrasive particles composed mainly of α-alumina, (b) fumed alumina, (c) at least one kind of polishing promoter selected from organic acids, inorganic acids and their salts and (d) water.例文帳に追加

研磨用組成物は、（ａ）α−アルミナを主成分とするアルミナ砥粒、（ｂ）フュームドアルミナ、（ｃ）有機酸、無機酸及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤及び（ｄ）水の各成分を含有している。 - 特許庁

The composition for polishing comprises fumed alumina, alumina other than fumed alumina, colloidal silica, two kinds of organic acids, an oxidizing agent and water.例文帳に追加

本発明の研磨用組成物は、フュームドアルミナ、フュームドアルミナ以外のアルミナ、コロイダルシリカ、二種類の有機酸、酸化剤、及び水を含有する。 - 特許庁

The CMP polishing liquid contains an α-amino acid represented by general formula (1) [wherein R^1 represents an alkyl group with 1 to 2 atoms which may be substituted with a hydroxyl group, or a hydrogen atom], phosphoric acids, an oxidizing agent, and abrasive grains.例文帳に追加

本発明のＣＭＰ研磨液は、下記一般式（１）で表されるα−アミノ酸、リン酸類、酸化剤及び砥粒を含有する。 - 特許庁

The polishing solution for metal contains at least one kind of sulfonic acid compound selected from a group of 1-6C alkyl sulfonic acids and 1-6C alkanol sulfonic acids, and an anionic surfactant.例文帳に追加

炭素数１〜６のアルキルスルホン酸類及び炭素数１〜６のアルカノールスルホン酸類からなる群から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸化合物と、陰イオン界面活性剤と、を含有することを特徴とする金属用研磨液。 - 特許庁

The method has a first process of polishing the surface to be coated and a second process of forming a repair coating film containing information nucleic acids with a solvent to form a repair coating film.例文帳に追加

被塗装面を研ぐ工程と塗膜を形成する工程とを行い、該塗装工程では溶媒を用いて情報化核酸を含有して補修塗膜を形成する。 - 特許庁

The metal polishing liquid in a wiring process of a semiconductor device is characterized in that abrasive grains and oxidant are contained and furthermore pKa contains 6 to 8 amino acids as pH buffer.例文帳に追加

砥粒及び酸化剤を含有し、さらにｐＫaが６〜８のアミノ酸をｐＨ緩衝剤として含有することを特徴とする半導体デバイスの配線工程における金属用研磨液。 - 特許庁