punch-through voltageとは 意味・読み方・使い方

To make feasible of avoiding the fluctuation in the threshold value voltage also raising the surge resistance level as well as avoiding the defective punch through.例文帳に追加

しきい値電圧の変動を防止し、サージ耐圧が高くできると共にパンチスルーの発生を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a trench gate structure having a high punch-through withstand voltage and a wide control range for the threshold voltage Vt, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

パンチスルー耐圧が高く，しきい値電圧Ｖｔの制御範囲の広いトレンチゲート構造の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a punch-through preventive layer 10 is formed by the use of the mask which is used when the threshold voltage adjusting layer is formed.例文帳に追加

その後、しきい値電圧調整層９を形成する際に使用したマスクを使用して、パンチスルー防止層１０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, with which the threshold voltage of a transistor can be controlled easily and a punch-through breakdown can be prevented.例文帳に追加

トランジスタのしきい値電圧の制御が容易で且つパンチスルーを防ぐことが可能な半導体装置及びその製造方を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device that reduces punch-through voltage generated at a pixel simply and suppresses generation of flickers.例文帳に追加

簡便に画素に発生する突抜け電圧を低減することができ、フリッカの発生を抑制することができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極１０３と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層１０７Ａ、１０７Ｂとパンチスルーストッパー層１０８を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型パンチスルーストッパー層１０８の表面に、このパンチスルーストッパー層１０８とは反対導電型のＰ型層１１０を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

To provide an IGBT capable of holding a low on voltage without increasing a switching loss in a non-punch through type IGBT having a trench gate.例文帳に追加

トレンチゲートを有するノンパンチスルー型ＩＧＢＴにおいて、スイッチング損失を増大させることなく低いオン電圧を保つことができるＩＧＢＴを提供する。 - 特許庁

The punch through preventing region effectively reduces the extension of diffusion in the lateral direction in a drain region for high withstand voltage as compared with the extension of the diffusion in the depthwise direction.例文帳に追加

パンチスルー防止領域により、高耐圧用のドレイン領域の横方向の拡散の伸びを深さ方向に比べ効果的に小さくした。 - 特許庁