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punch‐through transistorの英語
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「punch‐through transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR COMPRISING SEPARATED PUNCH THROUGH PREVENTING FILM AND METHOD FOR FORMING IT例文帳に追加
分離されたパンチスルー防止膜を有する集積回路トランジスタ及びその形成方法 - 特許庁
Consequently, a punch through stopper region 4 is formed in a region for forming a submicron CMOS transistor while preventing formation of the punch through stopper region in a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor.例文帳に追加
それによって、サブミクロンＣＭＯＳトランジスタの形成領域にパンチスルーストッパー領域４を形成するとともに、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗の形成領域にパンチスルーストッパー領域が形成されるのを防ぐ。 - 特許庁
To control punch through that occurs at the lower part of Fin in a Fin-type MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加
本発明は、Ｆｉｎ型ＭＩＳＦＥＴにおいて、Ｆｉｎの下部で生じるパンチスルーを抑制できるようにする。 - 特許庁
To provide a PMOS transistor in which decrease of a threshold value and deterioration of cut-off characteristic are prevented by preventing boron punch through in a gate electrode, and a manufacturing method of the transistor.例文帳に追加
ゲート電極でのボロン突き抜けを防止し、しきい値の低下やカットオフ特性の劣化を防止したＰＭＯＳトランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent generation of a punch-through in a MOS transistor and also to reduce junction capacitance of a source layer and a drain layer.例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタのパンチスルーを防止すると共に、ソース層及びドレイン層の有する接合容量を低減する。 - 特許庁
Charge migration (punch-through) between the capacitance that the transistor Q1 has and the capacitor C1 can be compensated for (reduced).例文帳に追加
よって、トランジスタＱ１がもつ容量とキャパシタＣ１との間の電荷移動（突き抜け）を補償（低減）することができる。 - 特許庁
To form a high impurity layer for suppressing punch through at an arbitrary position on a semiconductor layer on which a transistor is formed.例文帳に追加
トランジスタが形成される半導体層の任意の位置にパンチスルーを抑制するための高濃度層を形成する。 - 特許庁
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「punch‐through transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
To provide a two-transistor PMOS memory cell which has a low programming voltage and a superior tolerance with respect to punch through.例文帳に追加
プログラミング電圧が低く、パンチスルーに対して優れた耐性を有する２トランジスタＰＭＯＳメモリセルを提供すること。 - 特許庁
To provide a thin film transistor with LDD structure and its manufacturing method which can reduce hot electron effects, current leak, and punch through.例文帳に追加
ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタとその製造方法において、ホットエレクトロン、電流リーク、及びパンチスルーの低減を図る。 - 特許庁
Then, the punch-through breakdown voltage between the drain and the source can be improved, thus achieving a desired breakdown voltage characteristic of the MOS transistor 1.例文帳に追加
そして、ドレイン−ソース間のパンチスルー耐圧を向上させ、ＭＯＳトランジスタ１の所望の耐圧特性を実現できる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method, with which the threshold voltage of a transistor can be controlled easily and a punch-through breakdown can be prevented.例文帳に追加
トランジスタのしきい値電圧の制御が容易で且つパンチスルーを防ぐことが可能な半導体装置及びその製造方を提供する。 - 特許庁
To provide a transistor utilizing electromagnetic action which has a high ON-current/OFF-current ratio while suppressing a decrease in punch-through resistance accompanying microfabrication.例文帳に追加
微細化に伴うパンチスルー耐性の低下を抑制しつつ高いＯＮ電流／ＯＦＦ電流比を有する電磁作用によるトランジスタを実現する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor substrate of high process efficiency along with its manufacturing method, with no performance degradation such as dropping of a punch through voltage and increase in leakage current.例文帳に追加
パンチスルー電圧の低下、漏洩電流の増加などの性能低下がなく、工程効率が良い薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a punch-through transistor which utilizes the properties of a group III nitride semiconductor as much as possible to achieve lower resistance and which has superior productivity.例文帳に追加
III族窒化物半導体の特性を最大限に引き出して低抵抗化を実現し、かつ、生産性にすぐれたパンチスルー型トランジスタを提供する。 - 特許庁
Next, impurities are injected into the upper part of the substrate region 40 to form a punch through stopper diffusion layer 30 is formed, whereby a Fin transistor is manufactured.例文帳に追加
次に、この基板領域４０の上部に不純物注入を行い、パンチスルーストッパー拡散層３０を形成することで、Ｆｉｎトランジスタを作製する。 - 特許庁
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