radical 103とは 意味・読み方・使い方

The first and second barrier insulating films 103 and 106 are composed of a silicon-based insulating film having branched alkyl radical and carbon-carbon double bond.例文帳に追加

第１、第２のバリア絶縁膜１０３、１０６は、分枝アルキル基、及び、炭素−炭素二重結合を有するシリコン系絶縁膜からなる。 - 特許庁

A treatment chamber 101 is a chamber performing radical treatment on the surface of a processed substrate 102 of semiconductor, or the like, and a gas introduction means 105 is provided between a region 111 where radicals are generated by a radical generating means 108 and a means 103 for supporting the processed substrate.例文帳に追加

処理室１０１は、半導体等の被処理基体１０２の表面のラジカル処理を行う室であり、ガス導入手段１０５は、ラジカル生成手段１０８により生成されるラジカル生成領域１１１と、被処理基体支持手段１０３との間に設けられる。 - 特許庁

By keeping up such a state for a prescribed time, the particles (Ti atom) 141 sputtered from the heated target 102 are oxidized by an activated oxygen such as oxygen ion or oxygen radical in the ECR plasma and are deposited on the substrate 103 to form the titanium oxide film 112 thereon.例文帳に追加

この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element 100 having a semiconductor electrode 108 including a semiconductor layer 103 and pigment, an electrode couple 109, and an electrolyte layer 104 arranged between the semiconductor electrode 108 and the electrode couple 109, a cyclic nitroxyl radical compound and oxammonium salt are included in the electrolyte layer 104.例文帳に追加

半導体層１０３および色素を含む半導体電極１０８、対電極１０９ならびに半導体電極１０８と対電極１０９との間に設けられた電解質層１０４を有する光電変換素子１００であって、電解質層１０４中に環状ニトロキシルラジカル化合物とオキソアンモニウム塩を有する。 - 特許庁