rapid memoryとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor memory device having an arrangement of data input/output pads which enables a rapid operation.例文帳に追加

高速動作を可能とするデータ入／出力パッド配列を有する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To realize rapid and efficient image correction processing by reducing memory capacity to be used by reducing an operation quantity.例文帳に追加

演算量を少なくして使用するメモリ量を減少させ、迅速、効率的な画質補正処理を実現する。 - 特許庁

Since potential information of the first silicon film of a memory node is read by a transistor amplification, it is rapid.例文帳に追加

記憶ノードである第一の多結晶シリコン膜の電位情報は、トランジスタ増幅で読み出すので高速である。 - 特許庁

To provide a computer system or the like capable of performing rapid and precise fingerprint collation with a minimized work memory.例文帳に追加

本発明は、作業メモリが少なく、迅速かつ精度の良い指紋照合が可能な計算機システムなどを提供することを目的とする。 - 特許庁

To enable a camera system to make various corrections on digitalization processing by effectively utilizing a rapid large-capacity memory necessary for a snapshot, adopting a part of the memory as a memory for outputting noise, block-subtracting the noise from a signal output, and noise correcting the signal.例文帳に追加

速写に必要な高速大容量メモリの有効活用及び一部をノイズ出力用メモリとし、信号出力との間でブロック減算を行い、ノイズ補正を行うことによりデジタル化処理のための種々の補正が可能。 - 特許庁

When a user finishes operating an arrow key, the memory in the trimming position of the zoom rapid-shooting frame 20 is updated in accordance with the operation of the arrow key, to display the zoom rapid-shooting frame 20 at the trimming position memorized after updating.例文帳に追加

そして、ユーザの十字キーの操作が行われると、十字キーの操作にしたがってズーム連写枠２０のトリミング位置の記憶を更新して、該更新後に記憶したトリミング位置にズーム連写枠２０を表示させる。 - 特許庁

When a request such as a rapid traverse playback or the like is received, the corresponding additional information 103 is read out from the storage device 7 to a data memory 62.例文帳に追加

そして、早送り再生等の要求を受信すると、記憶装置７から該当する付加情報１０３をデータメモリ６２に読み出す。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, having a memory cell of Fowler-Nordheim (FN) current write erase which enables rapid read in which is effective for an EEPROM mixed loading device.例文帳に追加

本発明は、ＥＥＰＲＯＭ混載デバイスに有効である高速読み出し可能なファウラー−ノルドハイム（ＦＮ）電流書き込み消去のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁