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reacting plasmaとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 反応プラズマ
「reacting plasma」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 46件
METHOD AND APPARATUS FOR DECOMPOSING HALOGEN-CONTAINING COMPOUND BY PLASMA REACTING METHOD例文帳に追加
プラズマ反応法による含ハロゲン化合物分解の方法及び装置 - 特許庁
The reacting gas supply passage 52 and the reacting gas supply port 5 supply the reacting gas used for the plasma treatment by the plasma into a space between the electrode unit 11 and a sample 6.例文帳に追加
反応ガス供給路52、反応ガス供給口5は、プラズマによるプラズマ処理に用いられる反応ガスを、電極ユニット11と試料6との間の空間に供給する。 - 特許庁
The plasma generating device is guide gas in a reacting tube 2 and generates plasma by applying high-frequency voltage to the gas, and a guide tube 1 to introduce the gas to the reacting tube 2 is provided to a vertical direction in the reacting tube 2.例文帳に追加
反応管2内にガスを導入し、このガスに高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、上記のガスを反応管2に導く導入管1を反応管2内に鉛直方向に設ける。 - 特許庁
This plasma treatment device is equipped with an electrode unit 11, a reacting gas supply passage 52, and a reacting gas supply port 5.例文帳に追加
プラズマ処理装置は、電極ユニット11と反応ガス供給路52、反応ガス供給口5とを備える。 - 特許庁
It generates plasma within the reacting vessel 2 under pressure close to atmospheric pressure by applying an alternating current field between the electrodes 3, 4 for generating plasma after introducing gas for generating plasma into the reacting vessel 2.例文帳に追加
反応容器2にプラズマ生成用ガスを導入すると共にプラズマ生成用電極3、4の間に交流電界を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で反応容器2内にプラズマを生成する。 - 特許庁
DPF DEVICE FOR REACTING AND EXTINGUISHING PARTICULATE SUBSTANCE BY USING PLASMA例文帳に追加
プラズマを用いてパティキュレート物質を反応消滅させるDPF装置 - 特許庁
It relates to plasma processing unit emanating a jet of plasma out of the discharge opening 1 of the reacting vessel 2.例文帳に追加
反応容器2の吹き出し口1からジェット状のプラズマを吹き出すプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁
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「reacting plasma」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 46件
It comprises a reacting vessel 2 with discharge opening 1 at one end and a pair of electrodes 3, 4 for generating plasma.例文帳に追加
片側が吹き出し口1として開放された反応容器2と一対のプラズマ生成用電極3、4とを具備して構成される。 - 特許庁
To reproduce a filter by reacting and extinguishing a particulate substance scavenged by the filter by using plasma energy in this DPF device.例文帳に追加
このDPF装置は,フィルタで捕集されたパティキュレート物質をプラズマエネルギを利用して反応消滅させ,フィルタを再生する。 - 特許庁
It is provided with high voltage generating unit 5 for generating pulse voltage and an energizing electrode 6 for energizing plasma within the reacting vessel 2 by applying the pulse voltage to the gas for generating plasma introduced into the reacting vessel 2.例文帳に追加
パルス電圧を発生させるための高電圧パルス発生装置5と、このパルス電圧を反応容器2に導入されたプラズマ生成用ガスに印加して反応容器2内にプラズマを点灯させるための点灯用電極6とを設ける。 - 特許庁
Accordingly, a large quantity of the chlorine plasma without reacting on the mask diffuses into an opening at the center part of a diffraction grating large in mask width, whereby the concentration of the chlorine plasma in the opening is increased and etching speed is increased.例文帳に追加
したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。 - 特許庁
The powder to be treated is introduced to a cyclone 2, spirally moved at a high speed, sent to a plasma treating means 1 and treated by chemically reacting with the activated plasma 10.例文帳に追加
被処理粉体をサイクロン2に導入し、高速にラセン運動させてプラズマ処理手段1へと送り、処理ガスの活性化プラズマ10と化学反応させて処理する。 - 特許庁
The method of manufacturing the titanium-containing oxide superfine particle is performed by supplying at least a titanium raw material as a starting raw material in plasma containing oxygen, decomposing the supplied starting raw material in plasma flame and reacting with oxygen existing in the plasma.例文帳に追加
チタン含有酸化物超微粒子の製造方法であって、酸素を含むプラズマ中に、出発原料として少なくともチタン原料を供給し、供給された出発原料を前記プラズマ炎中にて分解後、プラズマ中に存在する酸素と反応させることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a plasma reactor stably generating plasma discharge in a discharge space at a predetermined place at specified even time intervals using a plasma reacting structural body comprising a dielectric and a palisade electrode, and in addition facilitating the fabrication of the palisade electrode to decrease the manufacturing cost.例文帳に追加
このプラズマ反応器は,誘電体と柵状電極から成るプラズマ反応構造体を用いて,放電空間でプラズマ放電を所定の場所で所定の等間隔に安定して発生させ,しかも柵状電極の加工を容易にして製造コストを安価にする。 - 特許庁
In the semiconductor for the photoelectric conversion material having a semiconductor layer containing at least the semiconductor on the substrate, under the atmospheric pressure or under a pressure in the neighborhood of the atmospheric pressure, the reacting gas for forming the semiconductor is made in a plasma condition, and by exposing the substrate to the reacting gas in the plasma condition, the semiconductor layer has been formed.例文帳に追加
基材上に少なくとも半導体を含有する半導体層を有する光電変換材料用半導体において、大気圧または大気圧近傍の圧力下、半導体を形成するための反応性ガスをプラズマ状態とし、該基材を該プラズマ状態の反応性ガスに晒すことにより該半導体層が形成されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。 - 特許庁
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