reset resistanceとは 意味・読み方・使い方

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR UNIFORMLY MAINTAINING RESISTANCE RANGE OF PHASE-CHANGE MATERIAL IN RESET STATE例文帳に追加

リセット状態での相変化物質の抵抗値の範囲を均一に維持する相変化メモリ装置及びその方法 - 特許庁

To provide a PRAM device and a method for uniformly maintaining the resistance range of phase-change material in a reset state.例文帳に追加

リセット状態での抵抗値の範囲が均一に維持されうるＰＲＡＭ装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

The operating method of a variable resistance memory device includes: applying a reset pulse to a plurality of memory cells (reset memory cells) that enters a reset state, and applying a set pulse to a plurality of memory cells (set memory cells) that enters a set state.例文帳に追加

本発明の可変抵抗メモリ装置の動作方法は、リセット状態に変化する複数のメモリセル（リセットメモリセル）にリセットパルスを印加し、セット状態に変化する複数のメモリセル（セットメモリセル）にセットパルスを印加する段階で構成される。 - 特許庁

A voltage control circuit 20a controls the gate potential of the reset transistor M11 to change its on-resistance with the converter element D11 reset.例文帳に追加

電圧制御回路２０ａは、光電変換素子Ｄ１１のリセット期間中に、リセットトランジスタＭ１１のゲート電位を制御して、リセットトランジスタＭ１１の有するオン抵抗を変化させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that enables reset operation in a short time and prevents a resistance state from being wrongly set.例文帳に追加

短時間でリセット動作を実行可能とし且つ誤セットの発生を抑制した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A resistance is connected to the reset diode which resets residual energy of a recovery coil, the residual energy is consumed by the resistance and the reset diode is made low-loss, whereby a PDP module which improves reliability, reduces cost and is suited for forming a hybrid IC with peripheral semiconductors can be provided.例文帳に追加

回収コイルの残留エネルギーをリセットするリセットダイオードに抵抗を接続し、この抵抗で残留エネルギーを消費させて、リセットダイオードを小容量にして、信頼性向上、原価低減、周辺半導体とのハイブリッドＩＣ化に適したものとする。 - 特許庁

At the beginning of reset operation, a variable resistance Ron3 which is inserted between the scanning switches Sk1 to Skn and the ground is made high, and becomes lower, as the reset operation period elapses.例文帳に追加

リセット動作時の初めにおいては走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｎとグランドとの間に挿入される可変抵抗素子Ｒｏｎ３は高抵抗になされ、リセット動作期間の経過とともに低抵抗となるように可変される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element whereby the adhesiveness between a recording layer and an insulation film is sufficiently ensured and a desired resistance ratio is obtained between the set state and the reset state.例文帳に追加

記録層と絶縁膜との間の十分な接着性を確保しつつ、セット状態とリセット状態との間で所望の抵抗比を得る。 - 特許庁