silicon grain boundaryとは 意味・読み方・使い方

And on the silicon nitride substrate, the distance (L) between the highest top part of the silicon nitride grain and the lowest bottom part of the silicon nitride grain or grain boundary phase exposed to the substrate surface, is 1-40 μm.例文帳に追加

また、この窒化ケイ素基板では、基板表面に露出した窒化ケイ素粒子の最大高さの山頂部と、窒化ケイ素粒子又は粒界相の最低高さの谷底部との距離（Ｌ）が１〜40μｍとなしている。 - 特許庁

The silicon nitride substrate made of silicon nitride sintered compact made up of silicon nitride grain and grain boundary phase practically, has a surface property that center line average ruggedness(Ra) is 0.2-20 μm on the surface, and an area rate of the silicon nitride grain is 70-100% when the total area rate of the silicon nitride grain and the grain boundary phase is 100%.例文帳に追加

実質的に窒化ケイ素粒子と粒界相とからなる窒化ケイ素焼結体からなり、基板表面における中心線平均粗さ（Ra）が0.2〜20μｍの表面性状を有し、さらに前記窒化ケイ素粒子及び前記粒界相の合計面積率を100％としたとき、前記窒化ケイ素粒子の面積率が70〜100％である窒化ケイ素基板である。 - 特許庁

This method can control the position of a silicon crystal grain and the amount of a grain boundary contained in a channel region 1h.例文帳に追加

このため、シリコン結晶粒の位置制御が可能となり、チャネル領域１ｈに含まれる粒界の量を制御することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a high quality silicon carbide single crystal ingot which is free of defect clustered zones including small tilt angle grain boundary and sub-grain boundary clustered zones.例文帳に追加

小傾角粒界や亜粒界密集帯を始めとする欠陥密集領域の無い、高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The objective sintered silicon nitride has the grain boundary phase and the maximum crystal size in the grain boundary phase is adjusted to ≤100 μm in the depth range of 1 mm from the surface.例文帳に追加

粒界相を有する窒化珪素質焼結体であって、表面より１ｍｍの範囲内にある粒界相の最大結晶径を１００μｍ以下とした窒化珪素質焼結体で耐摩耗性部材を構成する。 - 特許庁

To avoid a grain boundary in the direction perpendicular to current in crystallization due to laser annealing in a manufacturing process of a policrystalline silicon FET.例文帳に追加

多結晶シリコンＴＦＴの製造プロセス中でレーザーアニールによる結晶化における電流と垂直方向の粒界の生成を回避する。 - 特許庁

A silicon-based material layer has multiple grains, and metal silicide is formed at the grain boundary.例文帳に追加

複数のグレインを備え、グレイン境界に金属シリサイドが形成されたＳｉベースの物質層である。 - 特許庁

The grain-oriented silicon steel sheet is characterized in that Bi exists at ≥0.01 to ≤1,000 ppm by weight at the boundary between base iron and a primary film.例文帳に追加

地鉄と一次被膜界面にＢｉが重量で０．０１ppm 以上１０００ppm 未満存在することを特徴とする一方向性電磁鋼板。 - 特許庁