silicon isotopeとは 意味・読み方・使い方

Further, when the single crystal is produced by a Czochralski method, quartz is used as a material for a crucible 12 for supporting the silicon melt 11 and the concentration of the isotope Si-28 of the silicon element in the quartz is also set to be ≥92.3%.例文帳に追加

また、これをチョクラルスキー法により行う場合には、シリコン融液１１を保持するルツボ１２の材料を石英とし、且つその石英におけるシリコン元素の同位体Si-28の濃度を92.3％以上とする。 - 特許庁

To provide an isotopic enrichment process capable of massively performing isotopic enrichment on silicon at a low cost by adopting a more convenient and stabler system in an isotope-exchange reaction process.例文帳に追加

同位体交換反応法に於いてより簡便で安定した系を採用することにより、シリコンの同位体濃縮を低コストで大量に行うことが可能な同位体濃縮方法を提供する。 - 特許庁

In at least one of silicon constituting the source-drain regions 122 and carbon contained in the source-drain regions 122, the abundance ratio of stable isotopes having mass numbers greater than the principal isotope is higher than the natural abundance ratio.例文帳に追加

ソースドレイン領域１２２を構成するシリコン及びソースドレイン領域１２２に含まれる炭素の少なくとも一方は、主同位体よりも質量数が大きい安定同位体の存在比が、天然存在比よりも高い。 - 特許庁

To research for an effective substance capable of separating and concentrating two elements, or carbon and silicon, with a high selectivity and in high yield, by using isotope-selective infrared multiple-photon decomposition induced by irradiation of carbon dioxide gas laser.例文帳に追加

炭酸ガスレーザーの照射によって誘起される同位体選択的な赤外多光子分解を用いて、２つの元素、すなわち炭素及びケイ素の同位体を高選択性かつ高収量で分離・濃縮することが出来る有効な物質を探索する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the epitaxial silicon single crystal wafer, a silicon single crystal rod is grown using a silicon polycrystalline material which contains isotope^28Si by 92.3% or above at least by the Czochralski pulled method, and the silicon single crystal rod is sliced into silicon single crystal wafers and then an epitaxial layer is formed on the silicon single crystal wafers.例文帳に追加

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法により、同位体^２８Ｓｉの含有率が９２．３％以上のシリコン多結晶原料を用いてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工し、該シリコン単結晶ウェーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ。 - 特許庁

The all silicon quantum computing element is provided with a silicon terrace 6 in a ^28Si isotope wafer not having a nuclear spin, a bridge 3 having an atom chain of linearly grown ^29Si in a step 7 of the terrace 6, a cap layer of ^28Si to be grown, and a ferromagnetic micro magnet (a magnet) deposited in correspondence to the bridge 3.例文帳に追加

核スピンを持たない^28Ｓｉ同位体ウエハ中にシリコンのテラス６と、このテラス６の段差７に１次元的に成長された^29Ｓｉの原子鎖８とを有するブリッジ３と、成長される^28Ｓｉのキャップ層と、前記ブリッジ３に対応して蒸着される強磁性体のマイクロマグネット（磁石）１とを具備する。 - 特許庁

A silicon substrate 1 is provided on a single chip thereon with a neutron detecting portion having a ^10B diffusion layer 10 which is incorporated with boric acid comprising isotope ^10B, an α ray detecting portion having a p-n junction 13 which consists of a p well and an n well 12, and an analysis circuit portion for analyzing an electric charge generated at the p-n junction 13.例文帳に追加

シリコン基板１には、同位体^１０Ｂを含むホウ素が導入された^１０Ｂ拡散層１０を有する中性子検出部、ｐウェル１１とｎウェル１２とにより形成されるｐｎ接合１３を有するα線検出部、並びに、ｐｎ接合１３に発生する電荷の解析を行う解析回路部が、同一チップ上に形成される。 - 特許庁