slow ionとは 意味・読み方・使い方

Subsequently, the glass 100 subjected to the ion exchange treatment is slow-cooled and, thereafter, is washed with water and, thereby, the glass 1 is produced.例文帳に追加

次いで、このイオン交換処理がされたガラス１００を除冷した後、水で洗浄することでガラス１を製造する。 - 特許庁

Such inductive ionization is enhanced by a relatively slow moving magnetic field, which promotes resonant ionization and ion beam homogenization.例文帳に追加

このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 - 特許庁

To provide an apparatus for determining the end of an operation step and the period of a brine/slow rinse step by a water conditioner having one layer of an ion-exchange material, and a method.例文帳に追加

一層のイオン交換材を有する整水器で稼動ステップの終了およびブライン／スローリンスステップの期間を決定するための装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating phosphorus-containing waste water, by which a phosphate ion in phosphorus-containing waste water can be removed efficiently and the phosphate ion can be recovered as a solid particle of magnesium potassium phosphate usable as slow-acting synthetic fertilizer.例文帳に追加

リン含有排水中のリン酸イオンを効率よく除去することができ、さらに、リン酸イオンを緩効性化成肥料として利用可能なリン酸マグネシウムカリウムの固体粒子として回収できるリン含有排水のリン処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery slow in voltage decrease, having large charge/discharge capacity, easy to handle, and needing a short time for thin film formation; a lithium ion secondary battery using it; and a complex apparatus equipped with it.例文帳に追加

電圧減少が緩やかで充放電容量が大きく、取扱いが容易であると共に、薄膜形成に要する時間が短いリチウムイオン二次電池用負極活物質及びこれを用いたリチウムイオン二次電池並びにこれを備えた複合型機器を提供する。 - 特許庁

(a) A pattern of a main magnetic pole 14 is formed, then (b) a non-magnetic film 16 formed of a non-magnetic material, which has a slow ion milling rate compared with a magnetic metal material forming the main magnetic pole, is deposited to embed the main magnetic pole, and then (c) polishing is performed until at least the main magnetic pole is exposed.例文帳に追加

（ａ）主磁極１４のパターン形成後、（ｂ）主磁極を構成する磁性金属材料よりもイオンミリングレートの遅い非磁性材料からなる非磁性膜１６を堆積させて主磁極を埋め込み、次いで、（ｃ）少なくとも主磁極が露出するまで研磨を行う。 - 特許庁

This new method for forming a MOS structure having a GaAs base 140 includes the steps of ion implanting after formation of an oxide and thereafter performing slow heating and cooling operations, in such a manner that an interface defect detectable by a high-resolution transmission electron microscope essentially will not be generated.例文帳に追加

ＧａＡｓを基本とするＭＯＳ構造を形成する新しい方法は、酸化物形成後のイオン注入及び高分解透過電子顕微鏡によって検出できる界面欠陥が本質的に形成されないように行われるその後のゆっくりした加熱及び冷却を含む。 - 特許庁