spin-dependent scatteringとは 意味・読み方・使い方

MAGNETIC RECORDING MEDIUM UTILIZING SPIN-DEPENDENT SCATTERING OF ELECTRON, AND DATA REPRODUCING DEVICE AND DATA REPRODUCING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

電子のスピン依存散乱を利用した磁性記録媒体および磁性記録媒体のデータ再生装置およびデータ再生方法 - 特許庁

To provide a high density and large capacity magnetic recording medium, a data reproducing device, and a data reproducing method using spin-dependent scattering of electrons.例文帳に追加

電子のスピン依存散乱を利用して、高密度・大容量の磁性記録媒体およびデータ再生装置及びデータ再生方法を提供する。 - 特許庁

A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect.例文帳に追加

負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

By combining a magnetic material having negative spin- dependent bulk scattering parameter β and the spacer layer in which negative spin-dependent interface scattering parameter γ is acquired, large rate of magnetoresistance variation is acquired while utilizing negative magnetoresistive effect, in the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

In a spin valve type element, an interface insertion layer (32 or 34), made of material with large spin dependent interface scattering, is inserted at a magnetized fixed layer (16) or a magnetized free layer (20) on the side of a nonmagnetic intermediate layer (18).例文帳に追加

スピンバルブ型素子において、磁化固着層（１６）あるいは磁化自由層（２０）の非磁性中間層（１８）側にスピン依存界面散乱が大きい材料からなる界面挿入層（３２、３４）を挿入する。 - 特許庁

Through effectively using a spin-dependent scattering effect, a practical magnetoresistance effect element is formed, which has an appropriate resistance value, high sensitivity, and a small number of magnetic materials to be controlled.例文帳に追加

スピン依存散乱効果を有効に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数が少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element and a magnetoresistive effect head which can sufficiently obtain spin dependent scattering without lowering an exchange coupling magnetic field between a diamagnetic layer and a fixed layer and has higher GMR effect than usual.例文帳に追加

反強磁性層と固定層の交換結合磁界が低下することなく、スピン依存散乱を十分に得ることができ、従来よりもＧＭＲ効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁