spin dependentとは 意味・読み方・使い方

The electron current contains a set of spin-dependent terms that guarantee, in accordance with the Fermi-Dirac statistics.例文帳に追加

電子カレントは、フェルミ・ディラック統計に従って保証する１セットのスピン依存の項を含んでいる。 - 特許庁

To provide systems and methods with which electrons or ion dynamics that uses spin-dependent quantum trajectories is calculated.例文帳に追加

スピン依存量子軌道を用いて電子あるいはイオンのダイナミクスを計算する方法とシステムを開示する。 - 特許庁

The spin-dependent quantum trajectories for each of the electrons are updated at each solution cycle, and thus, mean-field approximation is avoided.例文帳に追加

電子のそれぞれに対するスピン依存量子軌道はそれぞれのソリューションサイクルで更新され、したがって、平均場の近似は回避される。 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM UTILIZING SPIN-DEPENDENT SCATTERING OF ELECTRON, AND DATA REPRODUCING DEVICE AND DATA REPRODUCING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

電子のスピン依存散乱を利用した磁性記録媒体および磁性記録媒体のデータ再生装置およびデータ再生方法 - 特許庁

To provide a high density and large capacity magnetic recording medium, a data reproducing device, and a data reproducing method using spin-dependent scattering of electrons.例文帳に追加

電子のスピン依存散乱を利用して、高密度・大容量の磁性記録媒体およびデータ再生装置及びデータ再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spin-dependent switching element suitable for embodying a magnetic memory device having a high level of integration and low electric power consumption in combination.例文帳に追加

高集積度、低消費電力を兼ね備えた磁気メモリ装置を実現するのに適したスピン依存スイッチング素子を提供する。 - 特許庁

A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect.例文帳に追加

負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

By combining a magnetic material having negative spin- dependent bulk scattering parameter β and the spacer layer in which negative spin-dependent interface scattering parameter γ is acquired, large rate of magnetoresistance variation is acquired while utilizing negative magnetoresistive effect, in the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁