スピンに依存したの英語

ゲート１３、ドレイン電極１２の磁化配列が反平行であるとき、電荷島１０にはスピン蓄積効果によりスピンに依存した化学ポテンシャルシフトが生じる。例文帳に追加

A spin-dependent chemical potential shift is generated in the charge island 10 by a spin accumulation effect when the magnetization array of the gate 13 and the drain electrode 12 is autiparellel. - 特許庁

スピンバルブ型素子において、磁化固着層（１６）あるいは磁化自由層（２０）の非磁性中間層（１８）側にスピン依存界面散乱が大きい材料からなる界面挿入層（３２、３４）を挿入する。例文帳に追加

In a spin valve type element, an interface insertion layer (32 or 34), made of material with large spin dependent interface scattering, is inserted at a magnetized fixed layer (16) or a magnetized free layer (20) on the side of a nonmagnetic intermediate layer (18). - 特許庁

微小物質の光学異性、回転依存性、円偏光励起蛍光、磁気光学特性、スピン依存性などを顕微分光できる合成エバネッセント波暗視野励起による局所偏光顕微鏡分析・分光方法および装置とこれを応用した物質操作方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a local polarizing microscope analysis/spectral separation method and an apparatus for the method by composite evanescent wave dark field excitation capable of performing the microspectroscopy of optical isomerism, rotary dependency, circular polarization excitation fluorescence, magnetooptical characteristics, spin dependency, and the like in a minute substance, and to provide a substance operation method and a substance operation apparatus applying the method and the apparatus. - 特許庁

トランジスタ内に含まれる強磁性体に磁化状態によって情報を記憶し、キャリアのスピンの向きに依存するトランジスタの出力特性を用いて情報を読み出す不揮発性メモリを提供すること。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory which stores information into a ferromagnetic material included in a transistor according to a magnetization state and reads the information out by using output characteristics of the transistor depending upon the direction of a spin of a carrier. - 特許庁

Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。例文帳に追加

To provide a spin transistor which can control the upward direction and the downward direction of a carrier spin by the interaction of the Rashba spin orbit and branching of a carrier passage, and which controls the size of a drain current by a gate electrode, by using a superconducting junction where the drain current flows, by depending on a spin polarization degree. - 特許庁

また、Ｃｏ_２Ｍｎ（Ｇｅ_１−ｘＳｎ_ｘ）合金が非磁性材料層に拡散しにくくなり、フリー磁性層又は固定磁性層と非磁性材料層の界面におけるスピン依存界面散乱係数γが向上する。例文帳に追加

Furthermore, the Co_2Mn(Ge_1-xSn_x) alloy is hard to disperse in a nonmagnetic material layer, for improved spin-dependent interface dispersion coefficient γ at the interface between the free magnetic layer or fixed magnetic layer and the nonmagnetic material layer. - 特許庁

光照射によりスピン状態と色調が変化する結晶材料であって、該変化は照射光の強度に非線形に依存することを特徴とする結晶材料とする。例文帳に追加

This crystal material is characterized in that the crystal material changes the spin state and the color tone by photoirradiation but the change depends on intensity of irradiating light nonlinearly. - 特許庁

この発明のスピンエレクトロニクス材料は、スピンに依存した電子現象を発揮する材料であって、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓあるいはそれらの混晶からなるＩＩＩ−Ｖ族半導体と、閃亜鉛鉱型ＣｒＡｓとのヘテロ接合からなる、ことを特徴としている。例文帳に追加

The spin electronics material which shows an electronic phenomenon depending on the spin is formed by a heterojunction of a III-V group semiconductor which consists of GaAs, AlAs, InAs or their mixed crystals with a sphalerite type CrAs. - 特許庁