「spin dependent」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thus, the spin-dependent bulk dispersion coefficient β of the free magnetic layer and fixed magnetic layer is improved.例文帳に追加

これにより、フリー磁性層や固定磁性層のスピン依存バルク散乱係数βが向上する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MRAM drive comprising spin dependent tunneling junction memory cells.例文帳に追加

スピン依存型トンネリング接合メモリセルを含むＭＲＡＭデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The electron current contains a set of spin-dependent terms that guarantee, in accordance with the Fermi-Dirac statistics.例文帳に追加

電子カレントは、フェルミ・ディラック統計に従って保証する１セットのスピン依存の項を含んでいる。 - 特許庁

To provide systems and methods with which electrons or ion dynamics that uses spin-dependent quantum trajectories is calculated.例文帳に追加

スピン依存量子軌道を用いて電子あるいはイオンのダイナミクスを計算する方法とシステムを開示する。 - 特許庁

A spin-dependent chemical potential shift is generated in the charge island 10 by a spin accumulation effect when the magnetization array of the gate 13 and the drain electrode 12 is autiparellel.例文帳に追加

ゲート１３、ドレイン電極１２の磁化配列が反平行であるとき、電荷島１０にはスピン蓄積効果によりスピンに依存した化学ポテンシャルシフトが生じる。 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM UTILIZING SPIN-DEPENDENT SCATTERING OF ELECTRON, AND DATA REPRODUCING DEVICE AND DATA REPRODUCING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

電子のスピン依存散乱を利用した磁性記録媒体および磁性記録媒体のデータ再生装置およびデータ再生方法 - 特許庁

The spin-dependent quantum trajectories for each of the electrons are updated at each solution cycle, and thus, mean-field approximation is avoided.例文帳に追加

電子のそれぞれに対するスピン依存量子軌道はそれぞれのソリューションサイクルで更新され、したがって、平均場の近似は回避される。 - 特許庁

To provide a spin-dependent switching element suitable for embodying a magnetic memory device having a high level of integration and low electric power consumption in combination.例文帳に追加

高集積度、低消費電力を兼ね備えた磁気メモリ装置を実現するのに適したスピン依存スイッチング素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, the spin-polarized hot electrons 27 can not conduct in the conduction band of the second ferromagnetic barrier layer 6, thereby losing their energies in the interface between the base 22 and a collector 23 by spin-dependent scatterings or reflections.例文帳に追加

このため、スピン偏極ホットエレクトロン２７は、第２の強磁性障壁層６の伝導帯を伝導できず、ベース２２とコレクタ２３との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。 - 特許庁

A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect.例文帳に追加

負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

By combining a magnetic material having negative spin- dependent bulk scattering parameter β and the spacer layer in which negative spin-dependent interface scattering parameter γ is acquired, large rate of magnetoresistance variation is acquired while utilizing negative magnetoresistive effect, in the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high density and large capacity magnetic recording medium, a data reproducing device, and a data reproducing method using spin-dependent scattering of electrons.例文帳に追加

電子のスピン依存散乱を利用して、高密度・大容量の磁性記録媒体およびデータ再生装置及びデータ再生方法を提供する。 - 特許庁

In a spin valve type element, an interface insertion layer (32 or 34), made of material with large spin dependent interface scattering, is inserted at a magnetized fixed layer (16) or a magnetized free layer (20) on the side of a nonmagnetic intermediate layer (18).例文帳に追加

スピンバルブ型素子において、磁化固着層（１６）あるいは磁化自由層（２０）の非磁性中間層（１８）側にスピン依存界面散乱が大きい材料からなる界面挿入層（３２、３４）を挿入する。 - 特許庁

To suppress errors in the detection of angle dependent upon the applied intensity of a magnetic field and a temperature in a magnetic field detecting device using a spin valve type-magnetoresistance effect element.例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用いた磁界検出器において、印加磁界強度および温度に依存する角度検出誤差を抑制する。 - 特許庁

Through effectively using a spin-dependent scattering effect, a practical magnetoresistance effect element is formed, which has an appropriate resistance value, high sensitivity, and a small number of magnetic materials to be controlled.例文帳に追加

スピン依存散乱効果を有効に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数が少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁

The resistance of the spin-dependent conduction performing part of this spin valve vertically energized magnetoresistive effect element can be raised to an appropriate value, and, in its turn, the resistance variation of the element can be increased by inserting a resistance adjusting layer composed of a material containing conduction carriers at a rate of ≤10^22 carrier/cm^3 into an magnetoresistive effect layer.例文帳に追加

伝導キャリア数が１０^２２個／ｃｍ^３以下の材料からなる抵抗調節層を磁気抵抗効果膜の中に挿入することにより、スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗素子において、スピン依存伝導をする部分の抵抗値を適切な値まで上げ、ひいては抵抗変化量を大きくすることができる。 - 特許庁

Furthermore, the Co_2Mn(Ge_1-xSn_x) alloy is hard to disperse in a nonmagnetic material layer, for improved spin-dependent interface dispersion coefficient γ at the interface between the free magnetic layer or fixed magnetic layer and the nonmagnetic material layer.例文帳に追加

また、Ｃｏ_２Ｍｎ（Ｇｅ_１−ｘＳｎ_ｘ）合金が非磁性材料層に拡散しにくくなり、フリー磁性層又は固定磁性層と非磁性材料層の界面におけるスピン依存界面散乱係数γが向上する。 - 特許庁

To provide a TMR element exhibiting a negative MR ratio of ≥5% at a room temperature, in which a magnetite (Fe_3O_4) film is one electrode and the spin-dependent electric conductive characteristic inherent to the magnetite (Fe_3O_4) is more reflected.例文帳に追加

マグネタイト（Ｆｅ_３Ｏ_４）膜を一方の電極とし、マグネタイト（Ｆｅ_３Ｏ_４）本来のスピン依存電気伝導特性をより反映した、室温で５％以上の負のＭＲ比を示すＴＭＲ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element and a magnetoresistive effect head which can sufficiently obtain spin dependent scattering without lowering an exchange coupling magnetic field between a diamagnetic layer and a fixed layer and has higher GMR effect than usual.例文帳に追加

反強磁性層と固定層の交換結合磁界が低下することなく、スピン依存散乱を十分に得ることができ、従来よりもＧＭＲ効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

The quantity of a spin bulk dependent scattering of a multilayer film upstream part A and a multilayer film downstream part B of a multilayer film T1 of the magnetic detecting element is asymmetric, and a magnetic resistance variation×an element area ΔRA of the multilayer film upstream part A is made smaller than a ΔRA of the multilayer film downstream part B.例文帳に追加

磁気検出素子の多層膜Ｔ１の多層膜上流部Ａと多層膜下流部Ｂのスピンバルク依存散乱量を非対称にして、多層膜上流部Ａの磁気抵抗変化量×素子面積ΔＲＡを多層膜下流部ＢのΔＲＡよりも小さくする。 - 特許庁

In addition, when a nonmagnetic back face layer (36) is inserted in an interface on the side which is not in contact with the nonmagnetic intermediate layer, a spin-dependent interface scattering at an interface of magnetized fixed layer/nonmagnetic back face layer or at an interface of magnetized free layer/nonmagnetic back face layer is available, and the output can be increased.例文帳に追加

また、非磁性中間層と接しない側の界面に、非磁性背面層（３６）を挿入すると、磁化固着層／非磁性背面層界面あるいは磁化自由層／非磁性背面層界面でのスピン依存界面散乱を利用することができ、出力が増大する。 - 特許庁

According to one exemplary embodiment of the present invention, electrons or ion dynamics are obtained by solving a set of equations for the motion of electrons by using spin-dependent quantum trajectories calculated from electron current with one equation for each electron in the atomic structure of a material of interest.例文帳に追加

本発明の一の例示的な態様では、電子の運動に対する１セットの方程式を、電子カレントから計算されるスピン依存量子軌道を用いて、関心のある材料の原子構造におけるそれぞれの電子に対して１つの方程式によって、解くことによって、電子あるいはイオンのダイナミクスが得られる。 - 特許庁