step on the gasとは 意味・読み方・使い方

The method of manufacturing the fine component includes a step of introducing the gas into the heating chamber 5, a step of heating the introduced gas in the heating chamber 5, a step of introducing the material in the heated gas, a step of generating plasma of the introduced material, a step of converging the plasma, and a step of spraying the converged plasma on the workpiece.例文帳に追加

また、加熱室５にガスを導入する工程と、導入されたガスを加熱室５で加熱する工程と、加熱したガスに材料を導入する工程と、導入された材料のプラズマを生成する工程と、このプラズマを集束させる工程と、集束させた後のプラズマを被処理体に吹き付ける工程とを含む微細部品の製造方法である。 - 特許庁

By the combination of cleaning nozzles set on both sides of the gas nozzle and the moving means, a forward action step and a backward action step are changed over.例文帳に追加

ガスノズルの両側に設けた複数の洗浄ノズルと移動手段の組み合わせにより往動作ステップと復動作ステップを切り替える。 - 特許庁

Then the amount of instantaneous gas consumption is displayed on the displaying part 27 of an operation panel 7 (step S8).例文帳に追加

次いで、操作パネル７の表示部２７に瞬間ガス消費量が表示される（ステップＳ８）。 - 特許庁

When indication is done, the amount of accumulated gas consumption is displayed on the displaying part 27 (step S10).例文帳に追加

指示している場合は表示部２７に累積ガス消費量が表示される（ステップＳ１０）。 - 特許庁

The method comprises a step (a) of providing a gate electrode structure formed on a semiconductor substrate, a step (b) of conducting a short- time annealing (RTA) using a mixed gas of a nitrogen gas and a hydrogen gas on the gate electrode structure, and a step (c) of conducting a short-time thermal oxidation on the gate electrode structure.例文帳に追加

本発明方法は、（ａ）半導体基板上に形成されるゲート電極構造を提供する段階と、（ｂ）該ゲート電極構造に対し窒素ガス及び水素ガスを含む混合ガスを用いる短時間アニ—ル（RTA）を施す段階と、（ｃ）該ゲート電極構造に対し短時間熱酸化を施す段階とからなる。 - 特許庁

Based on the injection sharing ratio α, a cylinder gas temperature Tc is calculated (a step 104).例文帳に追加

その噴き分け率αに基づいて、筒内ガス温度Tcを算出する（ステップ１０４）。 - 特許庁

Based on the fuel property, a cylinder gas temperature Tc is calculated (a step 104).例文帳に追加

その燃料性状に基づいて、筒内ガス温度Tcを算出する（ステップ１０４）。 - 特許庁

The method for producing a gas barrier film includes: a base material preparation step of preparing a base material; and a gas barrier layer formation step of forming a gas barrier layer containing silicon oxynitride formed on the base material, wherein the formation of the gas barrier layer in the gas barrier layer formation step is performed using an ion plating process with a sublimation gas including a xenon gas.例文帳に追加

本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、基材を準備する基材準備工程と、基材の上に酸窒化珪素を含有するガスバリア層を形成するガスバリア層形成工程とを有し、ガスバリア層形成工程におけるガスバリア層の形成を、キセノンガスを含む昇華ガスを用いたイオンプレーティング法を用いて行うようにすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁