super lattice structureとは 意味・読み方・使い方

A GaN (0001) or an AlN (0001) single crystal film, or a super-lattice structure of the GaN (0001) and the AlN (0001) is formed on a Si (110) substrate via a 2H-AlN buffer layer.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）基板上に、２Ｈ−ＡｌＮバッファー層を介して、ＧａＮ（０００１）もしくはＡｌＮ（０００１）単結晶膜、または、ＧａＮ（０００１）およびＡｌＮ（０００１）の超格子構造を形成する。 - 特許庁

A bottom insulating layer 14, a layer of a super-lattice structure having a sandwich structure in which intermediate insulating layers 16A, 16B are inserted into between electronic accumulated layers 15A, 15B and 15C, a top insulating layer 17, and a gate electrode 18 are laminated sequentially on the upper surface of a channel region.例文帳に追加

チャネル領域の上面に、ボトム絶縁層１４と、電子蓄積層１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃの間に中間絶縁層１６Ａ，１６Ｂを介挿させサンドイッチ構造とした超格子構造の層と、トップ絶縁層１７と、ゲート電極１８とを順次積層する。 - 特許庁

An active layer 14 has the type II super-lattice structure of an A layer having the upper end of a valence band higher than the p-type clad layer 13 and a B layer consisting of a mixed crystal having an element configuration equal to the p-type clad layer 13.例文帳に追加

活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a multilayer structure comprising an n-AlInP clad layer, super-lattice active layer section, p-AlInP first clad layer, GaInP etching stop layer, p-AlInP second clad layer, GaInP protective layer, and p-GaAs contact layer.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、ｎ−ＡｌＩｎＰクラッド層、超格子活性層部、ｐ−ＡｌＩｎＰ第一クラッド層、ＧａＩｎＰエッチングストップ層、ｐ−ＡｌＩｎＰ第二クラッド層、ＧａＩｎＰ保護層、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層の積層構造を備える。 - 特許庁

The thermoelectric transducer 1 has a super-lattice structure 20 formed by alternately laminating first layers 11 containing Si and second layers 12 containing Ge and Au, and both the first and second layers 11, 12 are amorphous.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１であって、超格子構造２０は、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層することにより形成され、第１の層１１および第２の層１２はいずれもアモルファスである熱電変換素子。 - 特許庁

By placing a plurality of evaporation sources in different places, the apparatus can form a thin film in which a plurality of materials are mixed, a thin film in which layers of a plurality of materials are arrayed in a lattice shape, or a thin film in which monomolecular layers of a plurality of materials are stacked in the film thickness direction and substantially form a super-multilayer structure of monomolecular.例文帳に追加

複数の蒸発源を異なる位置に配置することにより、複数の材料が混合した薄膜、複数の材料の層が格子状に配列した薄膜、若しくは複数の材料の単分子層が膜厚方向に積層した薄膜であって実質的に単分子超多層構造した薄膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

The method of manufacturing the thermoelectric transducer 1 has the super-lattice structure 20 includes a step of alternately laminating the first layers 11 and the second layers 12 at -100°C to 400°C, by the ion beam sputtering method after adjusting two or more ion beams for irradiating two or more kinds of targets.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１の製造方法であって、イオンビームスパッタ法により、２種類以上のターゲットに照射する２以上のイオンビームを調整して、−１００℃以上４００℃以下において、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層する工程を含む熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 is constituted by laminating a first semiconductor layer 12A having oxide semiconductor as its principal constituent and a second semiconductor layer 12B consisting of non-oxide semiconductor and showing p-type electric conductivity alternately on the buffer layer 11 repeatedly, and the first semiconductor layer 12A and the second semiconductor layer 12B are provided with super lattice structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、バッファ層１１上に、酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層１２Ａと、非酸化物半導体からなり、ｐ型の電気伝導性を示す第２の半導体層１２Ｂとを交互に繰り返し積層して構成されており、第１の半導体層１２Ａおよび第２の半導体層１２Ｂは超格子構造をなしている。 - 特許庁