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surface Igとは 意味・読み方・使い方
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「surface Ig」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
Because the front surface and the back surface of the substrate are cleaned with the cleaning liquid CL, the ice grains IG in the cleaning liquid CL uniformly act on the substrate to uniformly process the front surface and the back surface of the substrate.例文帳に追加
そして、この洗浄液CLにより基板の表面や裏面を洗浄しているため、洗浄液CLの氷粒IGが基板に対して均一に作用して基板の表面や裏面を均一に処理することができる。 - 特許庁
When the bonding of the allosteric bonding agent to a ligand is analyzed by a surface plasmon resonance method, the bonding may cause a negative deviation in an optical response (i.g. a decrease of a resonance angle) or an increase of the optical response (i.g. an increase of the resonance angle) due to a bonding characteristic of the selected allosteric acceptor.例文帳に追加
表面プラスモン共鳴法で分析するとき、このようなアロステリック結合剤類のそれらのリガンドへの結合は、選択されるアロステリック受容体の結合特性によって、光学応答における負の偏差(すなわち、共鳴角の減少)、または光学応答の増加(すなわち、共鳴角の増加)を招く可能性がある。 - 特許庁
The wet raw material is stayed into the above atmosphere for the time te=5WOR/SOR (min) or more (wherein, WOR: stuck moisture + Ig. loss (inside content) of an ore and SOR: specific surface area of the ore).例文帳に追加
湿原料を時間t__e =5W_OR/S_OR(分)以上、上記雰囲気に滞留させる(W_OR:鉱石の付着水分+Ig.loss(内数)、S_OR:鉱石の比表面積)。 - 特許庁
Thus, even if in the low-oxygen silicon wafer 10, the DZ layer 11 having an uniform width in the direction of thickness is formed on the surface layer of the wafer, and the wafer where the IG layer 12 is formed inside is attained.例文帳に追加
よって低酸素のシリコンウェーハ10であっても、ウェーハ表層に厚さ方向の幅が均一なDZ層11が形成され、ウェーハ内部にIG層12が形成されたウェーハが得られた。 - 特許庁
To provide a silicon wafer which is a low-oxygen silicon wafer, has a DZ layer of an uniform thickness on a surface layer, and has an IG layer inside the wafer.例文帳に追加
低酸素シリコンウェーハで、表層に厚さが均一なDZ層を有し、ウェーハ内部にIG層を有するシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A road surface reaction force FXYi of each wheel is estimated, and vehicle turning round moment Mi and limit vehicle turning round moment MiG are estimated based on the road surface reaction force FXYi, etc., (S30) to judge whether the vehicle is in a spin condition or not based on them (S50).例文帳に追加
各車輪の路面反力F_XYiが推定され、路面反力F_XYi等に基づき車輌回頭モーメントM_i及び限界車輌回頭モーメントM_iGが推定され(S30)、これらに基づき車輌がスピン状態があるか否かが判定される(S50)。 - 特許庁
An ignitability parameter IG indicating the ignitability of fuel in a combustion chamber is calculated according to a cylinder pressure PCYL, a cylinder gas temperature TCYL, an engine speed NE, a total fuel injection quantity QIT, a combustion chamber wall surface temperature TWALL, and an intake air flow rate GA.例文帳に追加
筒内圧PCYL、筒内ガス温度TCYL、エンジン回転数NE、総燃料噴射量QIT、燃焼室壁面温度TWALL、及び吸入空気流量GAに応じて、燃焼室内の燃料の着火性を示す着火性パラメータIGを算出する。 - 特許庁
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「surface Ig」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
The blade 17 is supported to press-contact with the surface of the drum 1, and is formed of urethane rubber whose peak temperature at tangent loss tanδ(=G"/G') when a complex elastic modulus showing the delay of distortion at the time of giving sine-wave vibration is set as G=G'+iG' is ≥10°C and ≤30°C.例文帳に追加
このクリーニングブレード17は、感光体ドラム1の表面に圧接して支持されており、正弦波振動を与えたときのひずみの遅れを示す複素弾性率をG=G’+iG”としたときに、正接損失tanδ(=G”/ G’)のピーク温度が10℃以上、30℃以下のウレタンゴムで形成されている。 - 特許庁
To provide a silicon single crystal wafer which well displays the gettering effect by avoiding the abuses of the conventional IG method, contains little impurity or crystal strain on the surface layer at the device forming side and has gettering sites compactly existing in the wafer interior, without deteriorating various characteristics such as intensity characteristic, electric resistance characteristics, etc.例文帳に追加
従来のIG法による弊害が回避され、ゲッタリング効果を良好に発揮できるシリコン単結晶ウエハを提供すること、デバイス形成側面の表層には不純物や結晶歪みがほとんど存在せず、しかも強度特性、電気抵抗特性等の諸特性を損なうことなくウエハ内部(バルク)にゲッタリングサイトが密に存在するシリコン単結晶ウエハを提供すること。 - 特許庁
To provide a method for producing a high-quality silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer, which can be appropriately used for forming the operating area of a semiconductor device, by eliminating a grown-in crystal defect over all the surface and internally forming the oxygen deposition bulk micro-defect (BMD) of density sufficient for presenting an IG effect.例文帳に追加
全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはIG効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥(BMD)が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁
To provide a single crystal silicon wafer, which has necessary volume of BMD(Bulk Micro-Defect) in a gettering region, for removing metal impurities in a device formation surface layer of the silicon single crystal wafer by gettering, without causing inconvenience such as strength reduction of the single crystal silicon wafer that has been observed in the prior art IG gettering treatment.例文帳に追加
従来のIGゲッタリング実施の際にみられたシリコン単結晶ウエハの強度低下等の不都合を招来することなく、シリコン単結晶ウエハのデバイス形成表層に存在する金属不純物を有効にゲッタリング除去するのに必要な体積量のBMDがゲッタリング領域中に生成されたシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁
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※この記事は「北里大学医療衛生学部 医療情報学研究室」ホームページ内の「医学用語集」(2001.06.10. 改訂)の情報を転載しております。 |
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