「surface Ig」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A road surface reaction force FXYi of each wheel is estimated, and vehicle turning round moment Mi and limit vehicle turning round moment MiG are estimated based on the road surface reaction force FXYi, etc., (S30) to judge whether the vehicle is in a spin condition or not based on them (S50).例文帳に追加

各車輪の路面反力Ｆ_XYiが推定され、路面反力Ｆ_XYi等に基づき車輌回頭モーメントＭ_i及び限界車輌回頭モーメントＭ_iGが推定され（Ｓ３０）、これらに基づき車輌がスピン状態があるか否かが判定される（Ｓ５０）。 - 特許庁

An ignitability parameter IG indicating the ignitability of fuel in a combustion chamber is calculated according to a cylinder pressure PCYL, a cylinder gas temperature TCYL, an engine speed NE, a total fuel injection quantity QIT, a combustion chamber wall surface temperature TWALL, and an intake air flow rate GA.例文帳に追加

筒内圧ＰＣＹＬ、筒内ガス温度ＴＣＹＬ、エンジン回転数ＮＥ、総燃料噴射量ＱＩＴ、燃焼室壁面温度ＴＷＡＬＬ、及び吸入空気流量ＧＡに応じて、燃焼室内の燃料の着火性を示す着火性パラメータＩＧを算出する。 - 特許庁

The blade 17 is supported to press-contact with the surface of the drum 1, and is formed of urethane rubber whose peak temperature at tangent loss tanδ(=G"/G') when a complex elastic modulus showing the delay of distortion at the time of giving sine-wave vibration is set as G=G'+iG' is ≥10°C and ≤30°C.例文帳に追加

このクリーニングブレード１７は、感光体ドラム１の表面に圧接して支持されており、正弦波振動を与えたときのひずみの遅れを示す複素弾性率をＧ＝Ｇ’＋ｉＧ”としたときに、正接損失tanδ（＝Ｇ”／ Ｇ’）のピーク温度が１０℃以上、３０℃以下のウレタンゴムで形成されている。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal wafer which well displays the gettering effect by avoiding the abuses of the conventional IG method, contains little impurity or crystal strain on the surface layer at the device forming side and has gettering sites compactly existing in the wafer interior, without deteriorating various characteristics such as intensity characteristic, electric resistance characteristics, etc.例文帳に追加

従来のＩＧ法による弊害が回避され、ゲッタリング効果を良好に発揮できるシリコン単結晶ウエハを提供すること、デバイス形成側面の表層には不純物や結晶歪みがほとんど存在せず、しかも強度特性、電気抵抗特性等の諸特性を損なうことなくウエハ内部（バルク）にゲッタリングサイトが密に存在するシリコン単結晶ウエハを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer, which can be appropriately used for forming the operating area of a semiconductor device, by eliminating a grown-in crystal defect over all the surface and internally forming the oxygen deposition bulk micro-defect (BMD) of density sufficient for presenting an IG effect.例文帳に追加

全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはＩＧ効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥（ＢＭＤ）が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon wafer, which has necessary volume of BMD(Bulk Micro-Defect) in a gettering region, for removing metal impurities in a device formation surface layer of the silicon single crystal wafer by gettering, without causing inconvenience such as strength reduction of the single crystal silicon wafer that has been observed in the prior art IG gettering treatment.例文帳に追加

従来のＩＧゲッタリング実施の際にみられたシリコン単結晶ウエハの強度低下等の不都合を招来することなく、シリコン単結晶ウエハのデバイス形成表層に存在する金属不純物を有効にゲッタリング除去するのに必要な体積量のＢＭＤがゲッタリング領域中に生成されたシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁