surface two-dimensional electronとは 意味・読み方・使い方

A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.例文帳に追加

電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁

The photo electron is enlarged by an objective lens 8, a middle lens 9 in an internal cylinder 3, and a projection lens 10 for forming an image in a two-dimensional detector 11, and the surface of the sample 12 is observed.例文帳に追加

この光電子は対物レンズ８と、内円筒３内の中間レンズ９と、投影レンズ１０とにより拡大され二次元検出器１１に結像され、試料１２の表面観測がなされる。 - 特許庁

If a voltage is applied to the cathode electrode 3 and the gate electrode 5, an electron 10 by an electric field is emitted from a part where the hole exists, on the surface of the diamond thin film 4 in their crossing area, and this structure can be operated as a two dimensional cold cathode electron source.例文帳に追加

カソード電極３とゲート電極５に電圧が印加されると、これらが交差している領域のダイヤモンド薄膜４の表面で、孔７が存在する部分から電界による電子１０が放出され、二次元の冷陰極電子源としての動作が得られる。 - 特許庁

Also, the photo electron emitted by applying a monochromatic X ray from a monochromatic X-ray source 17 passes through an incidence slit part formed in the two-dimensional detector 11 and is dispersed by an energy analyzer 19, and an electron with specific energy is detected by a detector 7, thus analyzing the surface of the sample 12.例文帳に追加

また、単色Ｘ線源１７より単色Ｘ線が照射されることで放出された光電子は、二次元検出器１１に形成された入射スリット部３１を通過し、エネルギ分析器１９で分光された後、検出器７により特定エネルギの電子が検出されることで試料１２の表面分析が行われる。 - 特許庁

Each of ohmic electrodes 3 and 4 has a first electrode 51 brought into contact with the peripheral portion of a recess 28 of the surface of a GaN cap layer 26, and a second electrode 52 which is brought into contact with the first electrode 51 and reaches a two-dimensional electron gas layer 27 via the recess 28.例文帳に追加

各オーミック電極３、４は、ＧａＮキャップ層２６表面のリセス２８周辺部位に接触する第１電極５１と、第１電極５１に接触して、リセス２８を介して２次元電子ガス層２７に及ぶ第２電極５２とを有している。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for imaging a two-dimensional electron density distribution and a nucleus scattering length density distribution on a surface, an interface and a specific depth position of a thin film and a multilayered film having nonuniform and different structure for every place in plane, by an X-ray reflectometry and neutron reflectometry.例文帳に追加

Ｘ線反射率法および中性子反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における２次元の電子密度分布および核散乱長密度分布を画像化する方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

According to the present invention, the apparatus provides images of the two-dimensional electron density distribution and the nucleus scattering length density distribution on the surface, the interface and the specific depth position not using a method for making minute beams and performing an XY scan, but using beams having same size as those used in the regular X-ray reflectometry and the neutron reflectometry by algorithm of mathematical image reconstruction.例文帳に追加

本発明では、微小ビームを作製してＸＹスキャンを行う方法によらず、通常のＸ線反射率法および中性子反射率法において用いられるものと同じサイズのビームを用い、数学的な画像再構成のアルゴリズムによって、表面や界面、特定深さ位置における２次元の電子密度分布および核散乱長密度分布の画像が得られる装置を開発した。 - 特許庁