target-orientedとは 意味・読み方・使い方

The first surface of the target is in fluid contact with the processing region, and the second surface of the target is oriented toward the backing plate.例文帳に追加

ターゲットの第１の表面は、処理領域と流体接触しており、ターゲットの第２の表面はバッキングプレートに向かって配向されている。 - 特許庁

The control means 3 transmits signals to the electrodes 11, 11 and directs the artificial muscle 1 in such a way that a beam direction of the antenna AN is oriented in a direction where a target is positioned or a radio wave comes from the target.例文帳に追加

制御手段３は、電極１１，１１に信号を送信して目的物の位置する方向、または、目的物からの電波の到来方向に空中線ＡＮのビーム方向を指向させるように人工筋肉１を向ける。 - 特許庁

Orientation direction of the lens is determined based on the position, direction cosine matrix, and target inertial position of a flying object obtained by an inertia navigation device, and the lens for RCS magnification is oriented to the target by a gimbal servomechanism.例文帳に追加

慣性航法装置により得られる飛しょう体の位置および方向余弦行列と目標の慣性系位置からレンズの指向方向を定め、ジンバルサーボ機構によりＲＣＳ拡大用レンズを目標に指向させる。 - 特許庁

In an indium metal target having a tetragonal crystal structure, the sputtering surface of the target is mainly oriented in the (101) plane.例文帳に追加

結晶構造が正方晶であるインジウムメタルターゲットであって、該ターゲットのスパッタ面が１０１が主配向であることを特徴とするインジウムメタルターゲット。 - 特許庁

The negative electrode has an electronic beam axis 22 oriented at a 1st angle 26 which intersects the target surface in a focus 24, and is in a range of 15 degrees-60 degrees to the target surface.例文帳に追加

陰極は、焦点２４においてターゲット表面と交差し且つターゲット表面に対して１５°〜６０°の範囲にある第１の角度２６で方向づけられる電子ビーム軸２２を有する。 - 特許庁

It is possible to inspect a target on the substrate when illuminated by the linearly polarized radiation which is oriented in the first direction, and also when illuminated by the linearly polarized radiation which is oriented in the direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

第１の方向に配向された直線偏光放射によって照明されたときと、第１の方向に対して直交する方向に配向された直線偏光放射によって照明されたときに、共に基板上のターゲットを検査することが可能である。 - 特許庁

When reactive sputtering is performed by using a base material 1 composed of silicon and having a (111)-oriented surface 1a for film deposition, a target formed from Ta, and a process gas comprising Ar and N_2, at least a (100)-oriented tantalum nitride film is formed on the surface 1a for film deposition of the base material 1.例文帳に追加

被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。 - 特許庁

By a second antenna horn 3b, when the target zone is irradiated with the first microwave S5a by the first antenna horn 3a through the parabola antenna 4, a next target zone is oriented by irradiating with the second microwave S5b through the parabola antenna 4.例文帳に追加

第２のアンテナホーン３ｂは、第１のアンテナホーン３ａがパラボラアンテナ４を介して目標地域に第１のマイクロ波Ｓ５ａを照射しているとき、パラボラアンテナ４を介して第２のマイクロ波Ｓ５ｂを照射して次の目標地域を指向する。 - 特許庁