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thermal breakdownとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 熱的絶縁破壊
「thermal breakdown」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 113件
To suppress breakdown of an electrode part due to thermal stress.例文帳に追加
熱応力によって、電極部が破壊されるのを抑制する。 - 特許庁
To achieve compatibility between a dielectric breakdown voltage and a thermal conductivity of a ceramic substrate.例文帳に追加
セラミックス基板の絶縁破壊耐圧と熱伝導率との両立を図る。 - 特許庁
To prevent thermal break of a semiconductor device, containing a MOSFET constituted in a high breakdown voltage structure.例文帳に追加
高耐圧構造のＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置が熱破壊する。 - 特許庁
The MOS transistor 1 is thus protected against thermal breakdown due to self-heating.例文帳に追加
そして、ＭＯＳトランジスタ１が、自己加熱により熱破壊することを抑止することができる。 - 特許庁
To suppress thermal fatigue breakdown of heat generating electronic components by a heat cycle in starting an engine.例文帳に追加
エンジン起動時におけるヒートサイクルによる発熱性電子部品に熱疲労破損を抑制する。 - 特許庁
To prevent thermal breakdown of the driver circuit in an inkjet printer and to perform printing efficiently.例文帳に追加
インクジェットプリンタのドライバ回路の熱破壊を防止し、且つ、効率的に印字することを可能とする。 - 特許庁
To provide a sodium-sulfur secondary cell which relieves thermal stress at a joining part and hardly generates thermal fatigue breakdown at the joining part.例文帳に追加
接合部の熱応力を緩和し、接合部の熱疲労破壊の生じにくいナトリウム−硫黄二次電池の提供を目的とする。 - 特許庁
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「thermal breakdown」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 113件
To provide a semiconductor device for preventing the thermal breakdown of a laser chip, and to provide the method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
レーザチップの熱破壊を阻止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an airtight functional plane, preventing a contact from breakdown caused by thermal expansion.例文帳に追加
熱膨張による接点の破壊を防止するとともに、機能面を気密にできる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide an electrolyte for an electrolytic capacitor which has high electrical conductivity, superior thermal stability, and high breakdown voltage.例文帳に追加
電気伝導率が高く、熱安定性に選れ、耐電圧性の高い電解コンデンサ用電解液を提供することである。 - 特許庁
A resistor R3 like a thermistor is arranged, thereby reducing the drain bias current Idsdc in the case of high temperature and protecting the FET from the thermal breakdown.例文帳に追加
サーミスタ等の抵抗Ｒ3を設けて高温時にドレインバイアス電流Ｉdsdcを低下させ、ＦＥＴを熱破壊から防ぐ。 - 特許庁
An oxynitirde film 5 is formed in a low breakdown voltage transistor LMOS region and an oxide film 7 which becomes the gate insulating film of high breakdown voltage transistor HMOS is formed through a thermal oxidation processing.例文帳に追加
低耐圧トランジスタＬＭＯＳ領域に酸窒化膜５を形成した後、熱酸化処理によって高耐圧トランジスタＨＭＯＳのゲート絶縁膜となる酸化膜７を形成する。 - 特許庁
To provide a PIN diode suppressing occurrence of thermal breakdown caused by concentration of currents onto a curved part of an anode region in application of reverse bias exceeding a breakdown voltage.例文帳に追加
降伏電圧を越える逆方向バイアス時にアノード領域の曲線部への電流集中によって、熱破壊が生じるのを抑制することができるＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁
The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed through thermal oxidation from inside to outside of a principal surface of the silicon substrate 1, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed so as to be thinner than the high-breakdown-voltage insulating film IH1.例文帳に追加
高耐圧絶縁膜ＩＨ１は、熱酸化法によって、シリコン基板１の主面より内側から外側に至るようにして形成し、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は高耐圧絶縁膜ＩＨ１より薄くなるようにして形成する。 - 特許庁
To increase the breakdown voltage of a thermal oxidation film used for a gate insulating film or the like and to increase the operation reliability of a device.例文帳に追加
ゲート絶縁膜等に使用される熱酸化膜の絶縁耐圧を向上させ、デバイスの動作信頼性の向上を図る。 - 特許庁
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