thermal mobilityとは 意味・読み方・使い方

To provide an organic EL element of high brightness and high durability by incorporating an organic material having high film formation property, high carrier mobility and thermal stability.例文帳に追加

高い製膜性、高いキャリア移動度と熱安定性を有した有機材料を含有させることにより高輝度および耐久性に優れた有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The mechanical force is related to the difference between the first and second thermal expansion coefficients, and a change in the temperature of the organic semiconductor device 100, and changes at least the partial carrier mobility of the organic semiconductor material 102.例文帳に追加

この機械的な力は、当該有機半導体デバイス１００の温度の変化とに関係し、前記有機半導体材料１０２の少なくとも一部分のキャリア移動度を変化させる。 - 特許庁

A high electron mobility InP thin film is grown epitaxially by a material supply process for suppressing intermediate reaction in epitaxial growth of a compound semiconductor thin film multilayer wafer, a thermal decomposition process, and a chemical reaction process.例文帳に追加

化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長における中間反応を抑制する原料供給工程と、熱分解工程、化学反応工程により、高い電子移動度のInP薄膜を結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a method of producing an SiC semiconductor element having good characteristics by removing carbon clusters which occur in a MOS interface during thermal oxidation of a silicon carbide semiconductor substrate and which reduce, for example, mobility of a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor element, having a satisfactory characteristic by removing a carbon cluster which is generated in a MOS interface in the thermal oxidation operation of a carbide semiconductor substrate and which lowers the mobility of, e.g. a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

The ionic mobility spectrometer comprises an inlet for introducing a sample molecule in itself, a drift part installed separately from the inlet, a capturing electrode purposing to capture ionized molecules moving inside the drift part, and a reaction chamber having an electronic means installed between the inlet and the drift part, purposing to generate an ionic plasma of thermal neutron from the sample molecule.例文帳に追加

サンプル分子をイオントラップ移動度スペクトロメータに導入するための入口と、該入口と離間して設けられたドリフト部を、該ドリフト部中を移動するイオン化された分子を捕集するための捕集電極と、前記入口とドリフト部との間に設けられ、サンプル分子から熱中性子化されたイオンのプラズマを電子的に発生させるための手段を有する反応室とからなることを特徴とする。 - 特許庁