transverse processとは 意味・読み方・使い方

Moreover, since a line beam exceeding several meters in the length of a transverse axis can be formed, the throughput of a laser anneal process is improved.例文帳に追加

また、長軸の長さが数メートルを超える線状ビームの形成が可能なため、レーザアニールプロセスのスループットを向上させる。 - 特許庁

To provide a process for producing a polarization hologram element having proton exchange layers to lessen transverse spread.例文帳に追加

横広がりを低減するプロトン交換層を有する偏光ホログラム素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises processes to successively form transverse perforations (2a) by a laser process on a wounded sheet (2) being wounded into a roll shape.例文帳に追加

ロール状に巻き取られる巻取りシート（２）にレーザ加工により横ミシン目（２ａ）を順次形成する工程を含む。 - 特許庁

The fixed bracket (16a) and the mobile carrier (18a) each include a body and a pedicle screw (20) or a transverse process hook articulated to the body.例文帳に追加

固定ブラケット（１６ａ）と可動キャリア（１８ａ）は、それぞれ、本体と、この本体に連接されたペディクルネジ（２０）又は横突起フックとを含む。 - 特許庁

The process changes the pitch of transverse perforation along the winding direction according to the thickness of the sheet.例文帳に追加

この工程では、シートの厚さに応じて、巻取り方向に沿った横ミシン目の形成間隔を変化させる。 - 特許庁

In the vibration process, the container C is reciprocatingly vibrated along almost a longitudinal direction and/or a transverse direction of the container C.例文帳に追加

振動工程では、容器Ｃを当該容器Ｃの長手方向及び又は短手方向に略沿った往復運動で振動させる。 - 特許庁

In the method for successively manufacturing the biaxially stretched polyester film by which the transverse stretching process is performed by a flat transverse stretching machine after longitudinal stretching, a detector for detecting the break of the film is set in the transverse stretching machine and the film is nipped by a roll-type nipping device installed after the longitudinal stretching process during actuating the detector.例文帳に追加

縦延伸後にフラット式横延伸機により横延伸する逐次二軸延伸ポリエステルフィルムの製造方法において、横延伸機内でフィルムが破断したことを検知する検知器を備え、検知器作動時に縦延伸工程の後に設置されたロール式ニップ装置でフィルムをニップすることを特徴とする逐次二軸延伸ポリエステルフィルムの製造方法。 - 特許庁

The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation.例文帳に追加

この窒化物系半導体の形成方法は、第１ＧａＮ層３の上面上に、第２ＧａＮ層５を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第２ＧａＮ層５上に、量子ドット６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁