trapped electronとは 意味・読み方・使い方

Thus, the energy-controlled electron can be made to reach the parent ion trapped.例文帳に追加

このためエネルギー制御された電子をトラップしている親イオン１に到達させることができる。 - 特許庁

Electrons can be trapped by an electron absorbing plate 22 before trapped by the substrate 20, and static charge of the substrate 20 is appropriately prevented because a major part 21a of the anode plates 21 can be enclosed with the electron absorbing plate 22.例文帳に追加

また、アノード板２１の本体部２１ａを電子吸収板２２で取り囲むことができるので、電子が、基板２０で捕捉される前に電子吸収板２２で捕捉することができ、基板２０の帯電が適切に阻止される。 - 特許庁

A hole injected from the hole transport layer 13 is trapped in the hole trap within the electron transport layer 14, and efficiently contributes to luminescence.例文帳に追加

正孔輸送層１３から注入された正孔は、電子輸送層１４内の正孔トラップに捕獲され、効率よく発光に寄与する。 - 特許庁

When a space charge is formed of trapped electron on an upper part of the TFT 4, the influence of the electron is shut off by a shielding electrode 9, and hence switching characteristics of the TFT 4 are not changed.例文帳に追加

ＴＦＴ４の上部に、トラップされた電子により空間電荷が形成された場合、これによる影響はシールド電極９によって遮断されるため、ＴＦＴ４のスイッチング特性が変調を受けることはない。 - 特許庁

The current collapse phenomenon caused by an electron trapped in a semiconductor substrate 121 after impressing high voltage can be suppressed nicely by the effect of the current collapse suppression film 125.例文帳に追加

前記電流コラプス抑制膜１２５の作用により、高電圧印加後に半導体基体１２１の内部にトラップされた電子が引き起こす電流コラプス現象が良好に抑制される。 - 特許庁

The generated positive charge (a hole) and a negative charge in a charge accumulation layer 16 combine, while the negative charge (an electron) and a positive charge in the charge transport layer 13 combine, thereby erasing the remaining electric charges trapped in the charge transport layer 13.例文帳に追加

この際、発生した正の電荷（正孔）と蓄電層１６に存在する負の電荷とが結合し、また負の電荷（電子）と電荷輸送層１３に存在した正の電荷とが結合することにより、電荷輸送層１３にトラップされている残像電荷が消去される。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor storage element, a storage part 200 equipped with two transistors as one set by the standard CMOS process makes a hole and an electron generated when an inter-band tunnel current generated between a source and a semiconductor substrate flows trapped in a crystal defect in the vicinity of the boundary of the semiconductor substrate and a gate oxide film.例文帳に追加

標準的なＣＭＯＳプロセスによるトランジスタ二個を一組とし備える記憶部２００は、ソース・半導体基板間に発生するバンド間トンネル電流が流れる際に発生する正孔と電子を、半導体基板とゲート酸化膜の境界付近にある結晶欠陥にトラップさせる。 - 特許庁