trench systemとは 意味・読み方・使い方

A coordinate system transformation operation from the IJK coordinate system to an XYZ orthogonal coordinate system is performed, by performing a geometrical operation based on the angle of inclination of the bevels of the trench G, and the magnetic components H(x), H(y), and H(z) in the orthogonal coordinate system are obtained.例文帳に追加

溝Ｇの斜面のなす傾斜角に基く幾何学演算を行うことにより、ＩＪＫ座標系からＸＹＺ三次元直交座標系への座標系変換演算を行い、直交座標系における磁気成分Ｈ（ｘ），Ｈ（ｙ），Ｈ（ｚ）を得る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory cell transistor 2 and a peripheral circuit Vcc system transistor 3 having a trench 7 for isolating elements and a thermal oxide film 10 of first thickness, and a peripheral circuit Vpp system transistor 4 including a thermal oxide film 9 of second thickness thicker than the first thickness formed before the trench 7 is formed.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、素子間を分離するトレンチ７と、第１の厚みの熱酸化膜１０を有するメモリセルトランジスタ２および周辺回路Ｖｃｃ系トランジスタ３と、第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有しトレンチ７の形成前に形成された熱酸化膜９と熱酸化膜１０とを含む周辺回路Ｖｐｐ系トランジスタ４とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device for power, a plurality of MOS trench gates are disposed at least at two kinds of different distances, floating n^+ layers of low resistance are adjacently disposed on the main surface sides of semiconductors in floating p-layers disposed between MOS trench gates of wide adjacent distances, thereby enabling the system to be compatible in a low ON-voltage and a high breakdown resistance.例文帳に追加

本発明の電力半導体装置は、少なくとも２種類の異なる間隔で、複数個のＭＯＳ形トレンチゲートを配置し、隣り合う間隔が広いＭＯＳ形トレンチゲートの間に配置したフローティングｐ層の半導体基体の主表面側に、低抵抗のフローティングｎ^+ 層を隣接して配置し、低いオン電圧と高い破壊耐量とを両立させた。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

An Si rich silicon oxide film (SiOxCy film, x<2) 106 containing carbon is deposited by a bias system high density plasma CVD method in trenches 104a-10c made or a silicon substrate 10 deeper than the depth of the trench.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に形成された溝１０４ａ〜１０ｃ内に、バイアス系高密度プラズマＣＶＤ法により、炭素を含有したSiリッチなシリコン酸化膜（SiOxCy膜、X<2）１０６を溝の深さより厚く堆積する。 - 特許庁

The system (10) further includes a trailing edge trench (94) that is formed in the radial blade tip (62) and which extends towards a trailing edge (68) of the turbine blade (40).例文帳に追加

システム（１０）は更に、半径方向ブレード先端（６２）内に形成され、タービンブレード（４０）の後縁（６８）に向かって延びる後縁トレンチ（９４）を含む。 - 特許庁

To provide an IC stress control system capable of employing a shallow trench isolation portion so that PMOS device performance may be raised without deteriorating NMOS device performance.例文帳に追加

ＮＭＯＳデバイス性能を劣化させることなくＰＭＯＳデバイス性能を高めるように浅いトレンチ分離部が取り入れられるようにする集積回路応力制御システムを提供する。 - 特許庁

As to a semiconductor device containing power MOSFET section having a super junction structure formed in the active cell section by the trench philharmonic system, the upper part of the base epitaxy layer is so made that it has a multilevel structure having high impurity concentration.例文帳に追加

本願の一つの発明は、アクティブセル部にトレンチフィル方式によって形成されたスーパジャンクション構造を有するパワーＭＯＳＦＥＴ部を含む半導体装置において、ベースエピタキシ層を上方が不純物濃度の高い多段構造としたものである。 - 特許庁