underlying formとは 意味・読み方・使い方

(iii) There is the issue of whether they were providing adequate information on the risks arising form underlying assets to the arrangers of securitized products.発音を聞く 例文帳に追加

③原債権のリスクについて、証券化商品の組成者に対して十分な情報提供を行っていたのかどうか。 - 金融庁

To form an insulating layer which possesses contact holes, absorbs the level difference of an underlying layer and offers a flat surface by an ink-jet method.例文帳に追加

下地層の段差を吸収して平坦な面を提供する絶縁層であって、コンタクトホールを有する絶縁層を、インクジェット法で形成すること。 - 特許庁

In the ink jet printing, ink droplets are impacted onto the surface of the underlying 3 other than positions where beads 4 are arranged so as to form ink dots 5.例文帳に追加

インクジェット印刷に当っては、ビーズ４が配置された位置を除いた印刷下地３の表面に、インク滴を着弾させてインクドット５を形成する。 - 特許庁

Ion implantation is performed in two steps, so as to form an overall barrier region 20B and a high-concentration barrier region 20 underlying a vertical transfer register 120.例文帳に追加

このイオン注入を２段階で行い、全体的なバリア領域２０Ｂと、垂直転送レジスタ１２０の下層の高濃度バリア領域２０Ａとを有する。 - 特許庁

ABL is notable for its use of moveable assets as a new form of underlying collateral, an innovation prompted by the reduction in the value of real estate collateral following the fall in land prices.例文帳に追加

地価の下落に伴う不動産担保価値の減少に伴い、新たな担保物件として動産を利用するという背景からも注目されている。 - 経済産業省

In order to form an electrode 3, for example, on a θ rotation Y-cut (θ=36° to 42°) LiTaO_3 piezoelectric substrate 2, an underlying electrode layer including Ti or Cr as a primary component is formed, and an Al electrode layer 4 including Al as a primary component is then formed on this underlying electrode layer 5.例文帳に追加

たとえばθ回転Ｙカット（θ＝３６°〜４２°）のＬｉＴａＯ_3圧電基板２上に電極３を形成するため、ＴｉまたはＣｒを主成分とする下地電極層５を形成し、その上にＡｌを主成分とするＡｌ電極層４を形成する。 - 特許庁

At a final annealing, heating is performed in an atmosphere containing a nitrogen gas, and nitrogen in the atmosphere reacts with underlying aluminum to form the aluminum nitride in the oxide film.例文帳に追加

最終焼鈍に際し、窒素ガスを含む雰囲気で加熱を行い、雰囲気中の窒素と基地のアルミニウムとを反応させて酸化皮膜中に窒化アルミニウムを形成する。 - 特許庁

Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film.例文帳に追加

シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。 - 特許庁