vacancy defectとは 意味・読み方・使い方

VACANCY DOMINATED SILICON HAVING LOW DEFECT DENSITY例文帳に追加

低欠陥密度の空孔優勢シリコン - 特許庁

LOW DEFECT DENSITY VACANCY-DOMINATED SILICON WAFER AND INGOT例文帳に追加

低欠陥密度の空孔優勢シリコンウエハおよびインゴット - 特許庁

LOW DEFECT DENSITY SILICON HAVING VACANCY-DOMINATED CORE SUBSTANTIALLY FREE OF OXIDATION-INDUCED STACKING FAULT例文帳に追加

酸化誘起積層欠陥を実質的に有さない空孔優勢コアを有する低欠陥密度シリコン - 特許庁

The ingot thus pulled is sliced into zones V rich in vacancy containing each vacancy mass at the center and a plurality of semi-zero defect wafers W_1 to W_4 having a zero defect zone P free from a vacancy mass and an interstitial mass though being positioned between the zone V rich in vacancy and the edge part of the wafers.例文帳に追加

このように引上されたインゴットは各べーカンシー固まりを含むその中央のべーカンシー豊富領域Ｖと、べーカンシー豊富領域Ｖとウェーハの縁部分の間に位置しながらべーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりがない無欠陥領域Ｐを有する複数個のセミ-無欠陥ウェーハＷ_１乃至Ｗ_４にスライシングされる。 - 特許庁

To manufacture a single crystal silicon ingot having homogeneous vacancy defect density and distribution in a radial direction by removing minute vacancy defects not larger than a critical size that adversely affects the voltage-resistance characteristics of an oxide film.例文帳に追加

酸化膜耐圧特性に悪影響を及ぼす臨界サイズ以下の微細なベイカンシ欠陥を除去し、半径方向に均一なベイカンシ欠陥密度及び分布を有するシリコン単結晶インゴットを製造すること。 - 特許庁

If the position of the defect measured with the wafer inspection device agrees with a vacancy-rich region of the wafer, the kind of the defect is determined as being not particles.例文帳に追加

前記ウェーハ検査装置によって測定された前記欠陥の位置が前記ウェーハのベイカンシ−リッチ領域に該当するなら、前記欠陥の種類がパーチクルでないと判定する。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER HAVING HOMOGENEOUS VACANCY DEFECT, AND METHOD AND APPARATUS FOR MAKING SAME例文帳に追加

均一なベイカンシ欠陥を有するシリコン単結晶インゴット、シリコンウエハ、シリコン単結晶インゴットの製造装置、及びシリコン単結晶インゴットの製造方法 - 特許庁