varying resistance methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a resistance-varying type memory which can manifest hysteresis characteristics, without fail, and the memory characteristics of resistance at the higher reproducibility than those of conventional technologies, and has an change and rate of change which is greater than those of conventional technologies, and to provide a method for controlling and manufacturing the memory.例文帳に追加

従来技術に比較して高い再現性で確実に抵抗のヒステリシス特性及びメモリ特性を発現させることができ、従来技術に比較して大きな変更変化率を有する抵抗変化型メモリとその制御方法及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes the steps of: measuring resistance values of resistor elements having various length (L) and width (W) while varying a voltage applied to the resistor elements, respectively; calculating a voltage coefficient resist (VCR) by voltage of the resistor elements by expressing the measured resistance values as a linear function of voltage and calculating resistance value of a resistor element having a specific length and width using the VCR.例文帳に追加

多様な長さ（Ｌ）と幅（Ｗ）を有するそれぞれの抵抗素子に対して印加される電圧を変化させながら抵抗値を測定する段階と、測定された抵抗値を電圧に対する線形関数で表すことで、抵抗素子の電圧による抵抗変化係数（ＶＣＲ：Voltage Coefficient Resist）を算出する段階と、ＶＣＲを用いて特定の長さと幅を有する抵抗素子の抵抗値を算出する段階とを備える。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a bottom electrode having a first area; a step of forming an electrical pulse-varying resistance (EPVR) material put on the bottom electrode; and a step of forming a top electrode to put on the EPVR layer with a second area smaller than the first area.例文帳に追加

この方法は、第１の面積を有する下部電極を形成するステップと、下部電極上に載る電気パルス変動抵抗（ＥＰＶＲ）材料を形成するステップと、ＥＰＶＲ層上に載る、第１の面積よりも狭い第２の面積を有する上部電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide an additive composition for a color development processing liquid for a silver halide color photosensitive material having oxidative deterioration resistance and having high stability without varying the developability of a silver halide color photosensitive material after development processing, and also to provide a method for processing a silver halide color photosensitive material having excellent oxidative deterioration resistance.例文帳に追加

本発明の目的は、現像処理後のハロゲン化銀カラー写真感光材料の現像性を変動させることなく、酸化劣化耐性に優れ、安定性の高いハロゲン化銀カラー写真感光材料用の発色現像処理液用添加剤組成物を提供することであり、また、酸化劣化耐性に優れたハロゲン化銀カラー写真感光材料の処理方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a high-accuracy polycrystalline silicon resistor which is restrained from varying in resistance due to the fact that hydrogen is diffused from polycrystalline silicon in a thermal treatment or hydrogen contained in polycrystalline silicon is absorbed by Ti or the like which is used as a barrier metal of an Al wiring and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌ系配線のバリアメタルとして用いられるＴｉ等による多結晶シリコン中の水素の吸収や、熱処理の際の多結晶シリコンからの水素の拡散に起因する多結晶シリコン抵抗素子の抵抗値の変動が抑制された高精度の多結晶シリコン抵抗素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁