wide band gap materialとは 意味・読み方・使い方

SEMICONDUCTOR MATERIAL EQUIPPED WITH WIDE CONDUCTIVITY BAND GAP OF TRANSPARENCY AND CHEMICAL STABILITY, AND DEPOSITION METHOD例文帳に追加

透明で化学的に安定した導電性の広いバンドギャップを備えた半導体材料および堆積方法 - 特許庁

To form a semiconductor material at a low cost, which has a smooth surface, high density and large strength, and as for a band gap, can correspond to a wide-range wavelength between a wide gap due to silicon nanocrystals and a narrow gap due to silicide nanocrystals.例文帳に追加

平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。 - 特許庁

First, a layer made of nitride material with a wide band gap such as gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, etc., is adhered to a sapphire substrate 11.例文帳に追加

この方法は、サファイア基板上に窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムなどの広バンド・ギャップの窒化物材料の層を付着させることから始まる。 - 特許庁

This contactless AC switch is characterized by that a power semiconductor element of its switching part is a unipolar transistor using as a material a wide-gap semiconductor crystal of ≥2.0 eV in the band-gap energy between a valance electron band and a conductive electron band and has linear output characteristics for a control signal.例文帳に追加

本発明の非接触交流開閉器は、開閉部のパワー半導体素子が、価電子バンドと伝導電子バンド間のバンドギャップエネルギが２.０ｅＶ 以上のワイドギャップ半導体結晶を素材としていて、しかも制御信号に対してリニアな出力特性を有するユニポーラ型トランジスタである。 - 特許庁

A power semiconductor device is a bipolar-type power semiconductor device constituted by plural layers lamination wherein at least three layers of p-type layer 34, n-type layers 33 and 35 composed of a wide-gap semiconductor material having substantially the same band gap are alternately laminated.例文帳に追加

本発明のパワー半導体素子は、実質的に同じバンドギャップを有するワイドギャップ半導体材料からなるｐ型層３４とｎ型層３３，３５とが少なくとも三層交互に、複数層積層されたバイポーラ型のパワー半導体素子である。 - 特許庁

To provide an electronic device which is so excellent in voltage endurance characteristics as to be usable to high electric power, and where the position of a flat band is so proper as to avoid occurrence of lowering of an interface level to operate at high speed by using a semiconductor material having a wide band gap.例文帳に追加

ワイドバンドギャップを有する半導体材料を使用しているため耐電圧特性等に優れ、大電力に使用すること等が可能、その上フラットバンドの位置も適切で、界面準位の低下が発生せず、高速作動する電子デバイスを提供する。 - 特許庁

The cathode electrode is a cathode electrode for the plasma source of a vacuum deposition system for depositing a coating film particularly on a optical substrate, and this cathode electrode is composed of a material which has at least 3 eV energy band gap (wide band gap), preferably the maximal one, between the energy bands.例文帳に追加

特に光学的基板上にコーティング膜をつけるための真空蒸着装置のプラズマ発生源用のカソード電極において、カソード電極は、少なくとも部分的にエネルギーバンドの間に少なくとも３ｅＶの好ましくは最大可能なエネルギーバンドギャップ（ワイドバンドギャップ）を有する材料から成ることを特徴とするカソード電極。 - 特許庁