write access transistorとは 意味・読み方・使い方

Current capability of a write-access transistor 21 constituting memory cells 1a2, 1b2 is made lower than current capability of a read-access transistor 3 in a range in which write-operation can be finished.例文帳に追加

メモリセル１ａ２、１ｂ２を構成するライトアクセストランジスタ２１の電流能力を、ライト動作が完了できる範囲で、リードアクセストランジスタ３の電流能力よりも低くする。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction section MTJ is coupled between a write-word line WWL and the access transistor ATR.例文帳に追加

磁気トンネル接合部ＭＴＪは、ライトワード線ＷＷＬおよびアクセストランジスタＡＴＲの間に結合される。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction part MTJ is connected between a write word line WWL and the access transistor ATR.例文帳に追加

磁気トンネル接合部ＭＴＪは、ライトワード線ＷＷＬおよびアクセストランジスタＡＴＲの間に結合される。 - 特許庁

The floating body B is charged or discharged via an access transistor 204 during data write.例文帳に追加

フローティング・ボディＢは、データ書込み動作中に、アクセス・トランジスタ２０４を介して充電および放電される。 - 特許庁

To supply a large bit line write current without reducing a size of a bit line driver while guaranteeing the pressure resistance of a memory cell transistor in a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁場書込型磁気抵抗性メモリ（ＭＲＡＭ）において、メモリセルトランジスタの耐圧を保証しつつ、ビット線ドライバのサイズを低減させることなく大きなビット線書込電流を供給する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) cell circuit which makes a dedicated read line unnecessary by suppressing limiting conditions on transistor dimensions in ensuring certain write operation and read operation and reducing the number of transistors used, and to provide its driving method.例文帳に追加

書き込み動作や読み出し動作を確実にすることに伴うトランジスタ寸法への制約条件を抑制し、使用トランジスタ数を少なくし、読み出し専用線を不要とするＳＲＡＭセル回路およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁