けい化物界面の英語

酸化物界面層１２は、酸化物である基板１１と、窒化物であるInGaN半導体層１３との間に形成されている。例文帳に追加

The oxide interfacial layer 12 is formed between the substrate 11 of the oxide and the InGaN semiconductor layer 13 of the nitride. - 特許庁

繊維表面に、高温酸化雰囲気でも滑り効果を発現できる酸化物界面層を有することを特徴とする酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維。例文帳に追加

This oxide sliding interface-coated silicon carbide-based fiber is characterized by having an oxide interface layer capable of expressing a slipping effect even in a high temperature oxidizing atmosphere. - 特許庁

複素環を有する化合物、界面活性剤、および酸化剤を含有し、複素環を有する化合物と界面活性剤との質量比が１：１０〜１：０．０３である化学機械研磨用水系分散体を得る。例文帳に追加

This aqueous dispersion for a chemical machine polishing comprises a heterocycle-containing compound, a surfactant and an oxidizing agent and has the mass ratio of the heterocycle-containing compound to the surfactant of 1:10-1:0.03. - 特許庁

窒化物系半導体素子１０は、ウルツ鉱型構造を有する酸化物単結晶からなる基板１１と、前記基板上に形成され、亜鉛（Ｚｎ）と、ＩＩ族の元素及びＩＩＩ族の元素の少なくとも一方とを含む酸化物からなる酸化物界面層１２と、前記酸化物界面層上に形成されたInGaN半導体層１３と、を備える。例文帳に追加

A nitride-based semiconductor device 10 includes a substrate 11 consisting of an oxide single crystal having a wurtzite structure, an oxide interfacial layer 12 formed on the substrate and consisting of an oxide including zinc (Zn) and at least either an element of group II or an element of group III, and an InGaN semiconductor layer 13 formed on the oxide interfacial layer. - 特許庁

基板２４にトレンチ２００を形成する工程、トレンチ２００の側壁３２の少なくとも一部を覆う窒化物界面層１２５０を形成する工程と、窒化物界面層１２５０を覆うアモルファス層を形成する工程と、アモルファス層を酸化して酸化物層１６０を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

This method has a stage, where the trench 200 is formed in the substrate 24, a stage where a nitride interface layer 1250 covering at least part of the sidewall 32 of the trench 200 is formed, a stage where an amorphous layer covering the nitride interface layer 1250 is formed, and a stage where an oxide layer 160 is formed by oxidizing the amorphous layer. - 特許庁

アルコールと脂肪酸のエステル化物を含む融点４０〜１１０℃の固形物、界面活性剤及び有効成分を含有する事を特徴とする水系農薬組成物。例文帳に追加

The aqueous pesticide composition contains a solid material having a melting point of 40-110°C including an esterified compound of an alcohol and fatty acid, a surfactant, and an active constituent. - 特許庁

酸化物単結晶基板１１とInGaN半導体層１３界面に熱的に安定で薄くて均一な酸化物界面層１２を形成することにより、酸化物単結晶基板１１上に高温でInGaN半導体層１３を形成することができ、高品質のInGaN半導体層が得られる。例文帳に追加

Since the oxide interfacial layer 12 which is thermally stable and has an even thin thickness is interposed on the interface between the oxide single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, the InGaN semiconductor layer 13 can be formed at a high temperature on the oxide single crystal substrate 11, and thus the InGaN semiconductor layer of a high quality can be obtained. - 特許庁