キャリアトラップの英語

キャリアトラップ層のＥＬスペクトルのピーク波長は、基板のバンドギャップに相当する波長及び活性層のＥＬスペクトルのピーク波長よりも長い。例文帳に追加

The peak wavelength of the EL spectrum of the carrier trap layer is the longer wavelength equivalent to the band gap of the substrate and than the peak wavelength of the EL spectrum of the active layer. - 特許庁

特に、ＴＦＴ３０は、Ｐチャネル型トランジスタより不対結合手及びキャリアトラップが発生し易いＮチャネル型トランジスタであり、アニール処理等の所定の処理によって、不対結合手及びキャリアトラップに起因して生じるＢＴ試験後のおける動作特性及び信頼性の低下が効果的に抑制されている。例文帳に追加

In particular, a TFT 30 is an N channel transistor that easily generates unpaired coupling hand and carrier trapping than a P channel transistor, and a predetermined treatment such as annealing or the like effectively suppresses the degradation of operational characteristic or reliability after BT testing caused by the unpaired coupling hand or carrier trapping. - 特許庁

低コストで大量生産することが可能であり、かつキャリアトラップが少ないシートおよびその製造方法、ならびに当該シートを用いた太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a sheet which can be mass-produced at low cost and has less carrier traps and to provide its manufacturing method, and a solar battery using the sheet. - 特許庁

エピタキシャル成長の低温化の促進と光劣化の原因となるアモルファス膜中弱結合を低減させ、また、キャリアトラップ準位となる未結合の膜中密度を低減させる。例文帳に追加

To promote an epitaxial growth in a lower temperature, to reduce a weak bond in an amorphous film which causes deterioration by light, and to reduce density in an uncoupled bond in the film, which shows a level of trapping a carrier. - 特許庁

ゲート酸化膜中又はゲート酸化膜と炭化珪素との界面におけるキャリアトラップを低減し、ＦＥＴ特性を安定にすると共にゲート酸化膜の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To reduce carrier trap in a gate oxide film or on a boundary face between the gate oxide film and a silicon carbide, stabilize FET characteristics, and improve the reliability of a gate oxide film. - 特許庁

このメモリ装置は、Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に形成され、キャリアトラップ準位（ダングリングボンド５ａ）を含むゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５上に形成されたゲート電極６とを備えている。例文帳に追加

The memory device is provided with an Si substrate 1, a gate insulating film 5 which is formed on the Si substrate 1 and comprises a carrier trap level (dangling bond 5a) and a gate electrode 6 formed on the gate insulating film 5. - 特許庁

埋め込みクラッド層及びコンタクト層を選択成長により形成することにより、埋め込みクラッド層をエッチングすることなくキャリアトラップ層および半絶縁性ブロック層の一部がエッチングされた狭メサ構造を形成する。例文帳に追加

By forming a buried clad layer and a contact layer by selective growth, a narrow mesa structure formed by etching a part of the carrier trap layer and semi-insulating block layer can be formed without etching the buried clad layer. - 特許庁

このため、ゲート酸化膜７中又はゲート酸化膜７と炭化珪素との界面におけるキャリアトラップを低減でき、ＦＥＴ特性を安定にできると共にゲート酸化膜７の信頼性を向上させることができる。例文帳に追加

Thus, carrier traps on the boundary face in the gate oxide film 7 or on the boundary face between the gate oxide film 7 and the silicon carbide can be reduced, the FET characteristics stabilized, and the reliability of the gate oxide film 7 improved. - 特許庁