下層グループの英語

車載器１０の制御部４は、記憶部１ｆの記憶されているコンテンツ情報（１又は複数の情報グループ）に含まれる遷移情報に基づいて、最下層リストを生成して最下層のコンテンツ情報を抽出する。例文帳に追加

In the onboard device 10, a control part 4 generates a bottom layer list based on transition information contained in content information (one or more information groups) stored in a storage part 1f, and extracts content information of the bottom layer. - 特許庁

走査電極１７の幅は各グループＧＡ，ＧＢ，ＧＣの下層データ電極１２上に配置された複数の上層データ電極１４の上方を覆うように設定される。例文帳に追加

The width of the scanning electrode 17 is set up so as to cover the upper part of the plural of upper data electrodes 14 arranged on the lower layer data electrodes 12 of each groups GA, GB, and GC. - 特許庁

下層の雲層候補から上層の雲層候補を見て所定の高度範囲内に雲層候補が存在するとこれをグループ化して１つの雲層候補とする。例文帳に追加

If a cloud layer exists in a specific height range looked from a lower layer cloud layer candidate to an upper layer cloud layer candidate, it is grouped to be a cloud layer candidate. - 特許庁

所定のグループのダミーパターンの一番下層のダミーパターン１ａは、半導体装置のプロービングが必要な箇所に配線およびスルーホールによって接続され、プロービング用パッドとして使用される。例文帳に追加

The lowest dummy pattern 1a in the dummy patterns of the prescribed group is connected to a part, where probing of the semiconductor device is required by wiring and the through-hole, and is used as the pad for probing. - 特許庁

第１及び第３のセラミック層１１０〜１３０、内部電極２１、２２は、第１のセラミック層１１０を最下層とし、第３のセラミック層１３０を最上層とする積層グループＣ１〜Ｃｎを構成する。例文帳に追加

Laminated groups C1 to Cn each comprise a first to a third ceramic layer, 110 to 130, and internal electrodes 21 and 22, wherein the first ceramic layer 110 serves as a lowermost layer, and the third ceramic layer 130 serves as an uppermost layer. - 特許庁

この方法は、この方法は、ネットワーク・ノードを含む最下層と、各層において前の層のノードのグループがそれぞれの論理ノードによって表された１つまたは複数の漸進的に高くなる層とを有するサービス配備階層を定義するステップを含む。例文帳に追加

This method comprises a step of defining a service deployment hierarchy having a lowermost layer including network nodes and one or a plurality of gradually elevating layers where a group of nodes in the preceding layer are expressed by their respective logical nodes in each layer. - 特許庁

半導体集積回路が形成された基板の上部に形成された複数の平行な下層層配線１２と、下層配線間及び上部を覆う層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３上に形成され、互いに独立して対向する櫛歯状の上層配線１４，１５とでテストエレメントグループが構成されている。例文帳に追加

A test element group consists of a plurality of parallel lower- layer wiring 12 formed a the upper portion of a substrate, where a semiconductor integrated circuit is formed, an interlayer insulating film 13 for covering the area between the lower layer wiring and an upper portion, and comb-shaped upper-layer wiring 14 and 15 which is formed on the interlayer insulating film 13, while opposing each other independently. - 特許庁

パターニングしたＳＯＧ膜をマスクとして用い、ＳＯＧ膜の下層に位置する有機膜を、アンモニア（ＮＨ_3）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、シアン化水素（ＨＣＮ）ガス、メタン（ＣＨ_４）ガス、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）ガス、メタノールガス、エタノールガスから成るグループから選択されるいずれか１のガスを導入して、酸素ガスとの混合ガスプラズマによりエッチングする。例文帳に追加

Using a patterned SOG film as a mask, any one of gas selected from a group of ammonia (NH3) gas, nitrogen dioxide (NO2) gas, hydrogen cyanide (HCN) gas, methane (CH4) gas, ethylene (C2H4) gas, methanol gas and ethanol gas is introduced and etching is performed by plasma of mixture gas with oxygen gas. - 特許庁