「"いあき"」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

また、浄土宗明顕山祐天寺に鐘楼を寄進した。例文帳に追加

Moreover, she donated Shoro (a bell tower) to Myokenzan Yuten-ji Temple of Jodo sect.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

安芸氏の出自については他にも諸説ありはっきりしない。例文帳に追加

There are various theories about the origin of the Aki clan, and that remains undetermined.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この間に栄叡は病を得て端州龍興寺で亡くなってしまった。例文帳に追加

Yoei died of an illness at Ryuko-ji Temple, Duanzhou, during one of those attempts.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

大坂の役で父真田信繁と兄真田幸昌を亡くす。例文帳に追加

He lost his father Nobushige SANADA and his older brother Yukimasa SANADA in the Siege of Osaka.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

大学博士（正六位下相当）1名　明経道（儒教）を教える例文帳に追加

1 Daigaku Hakase (equivalent to Shorokuinoge [Senior Sixth Rank, Lower Grade]): Taught Myogyodo  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

那(な)須(す)大(だい)亮(すけ)選手が，ボールをゴールにヘディングした。例文帳に追加

Nasu Daisuke headed the ball into the net.  - 浜島書店 Catch a Wave

この映画の声優陣には宮﨑あおいや南明(あき)奈(な)がいる。例文帳に追加

The movie's voice actors include Miyazaki Aoi and Minami Akina.  - 浜島書店 Catch a Wave

第10条から第15条までは，第5章第3節に準用する。例文帳に追加

The Articles 10 to 15 of this Law shall apply mutatis mutandis to Section 3 of Chapter 5 of this Law.  - 特許庁

第27条から第29条までは，第5章第5節に準用する。例文帳に追加

The Articles 27 to 29 of this Law shall apply mutatis mutandis to Section 5 of Chapter 5 of this Law.  - 特許庁

第II 章　外国で取得した登録及び優先権のための書類例文帳に追加

CHAPTER II DOCUMENTS FOR REGISTRATIONS OBTAINED ABROAD AND FOR PRIORITIES - 特許庁

第5章　証明書及び証明書の申請に係わる施行規定例文帳に追加

CHAPTER 5 Implementation provisions pertaining to certificates and applications for certificates - 特許庁

第3 章　植物特許出願に係る条件及び規定例文帳に追加

Chapter Three Conditions and Provisions for Filing an Application for a Plant Patent - 特許庁

第4 章　工業意匠証明書出願に係る条件及び規定例文帳に追加

Chapter Four Conditions and Provisions for Filing an Application for Certificate of an Industrial Design - 特許庁

「条約出願」は，第8章第2部に基づいてされる特許出願を意味する。例文帳に追加

Convention application means a patent application made under Part 2 of Chapter 8.  - 特許庁

まずサファイア基板上で窒化ガリウム層を成長させる。例文帳に追加

First, a gallium nitride layer is grown on a sapphire substrate. - 特許庁

サファイア基板上超電導酸化物多層薄膜及びその作製方法例文帳に追加

SUPERCONDUCTING OXIDE MULTILAYER THIN FILM ON SAPPHIRE SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION PROCESS - 特許庁

エピタキシャル成長用サファイア基板、およびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL GROWTH SAPPHIRE SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

サファイア基板とそれを用いたエピタキシャル基板およびその製造方法例文帳に追加

SAPPHIRE SUBSTRATE, EPITAXIAL SUBSTRATE USING IT, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。例文帳に追加

A light emitting diode (LED) substrate including a sapphire substrate is provided. - 特許庁

次に、レーザーリフトオフによりサファイア基板１０を除去する。例文帳に追加

After that, the sapphire substrate 10 is removed by laser lift-off. - 特許庁

単結晶サファイア基板およびこれを用いた窒化物半導体発光素子例文帳に追加

SINGLE-CRYSTAL SAPPHIRE SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

サファイア基板11上に、GaNバッファ層12、GaN層13を成長させる。例文帳に追加

On a sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown. - 特許庁

サファイア基板２００上に発光エピタキシャル構造２０２を形成する。例文帳に追加

A light emitting epitaxial structure 202 is formed on the sapphire substrate 200. - 特許庁

単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

その後、レーザーリフトオフによりサファイア基板１０を分離除去する。例文帳に追加

Thereafter, the sapphire substrate 10 is separated and removed by the laser lift-off. - 特許庁

パターン化されたサファイア基板および発光ダイオードの製造方法例文帳に追加

PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE - 特許庁

サファイア基板１上に電界放射型電子源２を形成する。例文帳に追加

A field-emission-type electron source 2 is formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM ON SAPPHIRE SUBSTRATE - 特許庁

単結晶サファイア基板の厚みは１００μｍ以下とする。例文帳に追加

The thickness of single-crystal sapphire substrate is 100 μm or less. - 特許庁

サファイア基板とその熱処理方法、及び結晶成長方法例文帳に追加

SAPPHIRE SUBSTRATE AND ITS HEAT TREATMENT METHOD, AND METHOD OF CRYSTAL GROWTH - 特許庁

サファイア基板１２上にＧａＮ成長層１０を成膜される。例文帳に追加

A GaN growth layer 10 is film-formed on a sapphire substrate 12. - 特許庁

下地体５は、サファイア基板５０１と、ＧａＮ膜５０２とからなる。例文帳に追加

The ground body 5 is composed of a sapphire substrate 501 and a GaN film 502. - 特許庁

半導体素子を形成したサファイア基板を歩留まり良く分離する。例文帳に追加

To separate a sapphire substrate, wherein a semiconductor element is formed, with proper yield. - 特許庁

発光素子、発光装置およびサファイア基板の加工方法例文帳に追加

LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, AND METHOD OF PROCESSING SAPPHIRE SUBSTRATE - 特許庁

次に、レーザーリフトオフによりサファイア基板２０を除去する。例文帳に追加

Next, the sapphire substrate 20 is removed through the laser lift-off process. - 特許庁

下地体５は、サファイア基板５０１と、ＧａＮ膜５０２とからなる。例文帳に追加

The base body 5 comprises a sapphire substrate 501 and a GaN film 502. - 特許庁

その結果、サファイア基板１０に付着する異物が除去される。例文帳に追加

As a result, the foreign substances adhering to the sapphire substrates 10 are removed. - 特許庁

反り量の少ないサファイア基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a sapphire substrate with a small amount of warpage. - 特許庁

ベンツイミダゾロン系混晶顔料を含有する着色組成物例文帳に追加

COLORING COMPOSITION COMPRISING BENZIMIDAZOLONE MIXED CRYSTAL PIGMENT - 特許庁

この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。例文帳に追加

The sapphire substrate 61 is peeled and removed from the site of the void parts 65. - 特許庁

この空隙６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。例文帳に追加

The sapphire substrate 61 is separated and removed from the part of the void 65. - 特許庁

広い空きスペースでの作業を可能として操作性の向上を図る。例文帳に追加

To improve manipulatability by making a work possible in a wide free space. - 特許庁

スプリング付勢アキュムレータを有する電気流体圧式アクチュエータ例文帳に追加

ELECTRO-HYDRAULIC ACTUATOR WITH SPRING ENERGIZED ACCUMULATOR - 特許庁

AlN層１０３はサファイア基板１０１上にてエピタキシャル成長する。例文帳に追加

The AIN layer 103 is epitaxially grown on the sapphire substrate 101. - 特許庁

第2章　開業・廃業と小規模企業を取り巻く環境例文帳に追加

Chapter 2 Entries, exits, and the environment of small enterprises - 経済産業省